Плазмохимический синтез аморфных углеводородных пленок, легированных кремнием, кислородом и азотом | Изв. вузов. Физика. 2019. № 7. DOI: 10.17223/00213411/62/7/97

Плазмохимический синтез аморфных углеводородных пленок, легированных кремнием, кислородом и азотом

Получены и исследованы аморфные углеводородные (a-C:H) пленки, легированные Si, O и N. Пленки наносились на образцы кристаллического кремния методом плазмохимического осаждения в смеси паров полифенилметилсилоксана, аргона и азота. Исследовано влияние содержания азота в пленках на их физико-механические свойства. Состав пленок изучали методами рентгеновской флуоресцентной спектроскопии и инфракрасной спектроскопии с фурье-преобразованием. Структура пленок изучалась с использованием рамановской спектроскопии. Твердость и другие механические свойства пленок были определены с помощью наноиндентирования. Показано, что химический состав и свойства a-C:H:SiO x :N-пленок можно контролировать путем изменения парциального давления азота в процессе осаждения. Увеличение содержания азота в a-C:H:SiO x :N-пленке приводит к росту ее среднеквадратической шероховатости и угла смачивания с водой. Также это сопровождается уменьшением содержания углерода в пленке и уменьшением ее твердости, обусловленным уменьшением содержания sp 3-фазы углерода.

Plasma-chemical synthesis of amorphous hydrocarbon films doped by silicon, oxygen and nitrogen.pdf Введение В последнее время особое внимание уделяется вопросу модификации поверхности материалов, обеспечивающей изменение физико-механических свойств поверхности. Одним из способов модификации поверхности является нанесение на материал тонких плёнок и покрытий различными методами. Для этого особый интерес представляют вакуумные технологии, позволяющие получить пленки и покрытия с минимальным содержанием нежелательных примесей. Пленки на основе углерода (a-C, a-C:H), формируемые с использованием физических и плазмохимических методов газофазного осаждения, обладают уникальным набором физико-механических, оптических и трибологических свойств. Однако серьезным недостатком a-C- и a-C:H-пленок являются высокие внутренние напряжения, приводящие к отслаиванию пленок, а также низкая термическая стабильность при температурах выше 300 °С. Для устранения этих недостатков углеродные пленки легируют различными металлами [1, 2] или неметаллическими компонентами, такими, как Si, O, N и F. Легирование углеродных плёнок приводит к еще большему разнообразию их свойств, что, в свою очередь, расширяет область их применения. Наиболее перспективным является легирование пленок в процессе синтеза путем введения легирующего компонента в состав плазмы [3]. В качестве прекурсоров для получения легированных углеродных пленок, содержащих Si, O, N, H, используют различные силоксаны, силазаны, силаны. С данными соединениями легко обращаться, поскольку они являются нетоксичными жидкостями при комнатной температуре и могут переноситься в камеру осаждения с использованием различных углеводородных и нейтральных газов, что приводит к образованию a-C:H-пленок, модифицированных Si/O/N. Введение кремния с образованием a-C:H:Si-пленок позволяет улучшить оптические свойства a-C:H-пленок, повысить их термостабильность и снизить коэффициент трения [4-6]. Легирование a-C:H-плёнок кремнием и кислородом (a-C:H:SiOx) приводит к снижению внутренних напряжений и позволяет повысить термическую стабильность до 500 °С [7, 8]. По механическим и трибологическим свойствам, a-C:H:SiOx-пленки во многом не уступают алмазоподобным углеродным пленкам, их твердость составляет 10-20 ГПа, скорость износа не превышает 10-5 мм3/(Н•м), а коэффициент трения находится в диапазоне от 0.02 до 0.2. В качестве легирующего элемента для углеродсодержащих плёнок можно использовать азот, способный образовывать C3N4-фазу, которая по прогнозам должна обладать высокой твердостью [9]. Включение азота в структуру углеродной пленки, содержащей кремний, приводит к образованию SiCN-соединений, для которых характерна высокая твердость, низкий коэффициент трения и большая ширина запрещенной зоны [10]. В работе [11] показано, что, контролируя количество связей Si-C, Si-N и концентрацию графита в SiCxNy-пленках, можно регулировать прозрачность, ширину запрещенной зоны и твердость пленок. Введение азота в пленку тетраэдрического аморфного углерода (tа-С) приводит к нескольким эффектам [12, 13]. При низких концентрациях азот облегчает объединение sp2-фазовых центров в кластеры. Далее, при концентрациях выше 10 % азот приводит к образованию новых центров sp2-фазы, снижению ширины запрещенной зоны и увеличению проводимости. В то же время содержание sp3-фазы в tа-С-пленке существенно снижается. Кроме того, азот способен образовывать множество недопирующих (компенсированных) центров в результате разнообразия его конфигурационного связывания с углеродной матрицей. С увеличением содержания азота в пленке ее сопротивление постепенно снижается, а сопротивление а-С-пленки [14] снижается с 109 до 10 Ом•см. А.Я. Колпаков с соавт. [15] показали, что при нанесении углеродных покрытий с различным содержанием азота ширину запрещённой зоны можно изменять от 1.12 эВ (ширина запрещённой зоны, характерная для кремния) до 0.19 эВ, а В.И. Севастьянов и В.Н. Василец [16] - что возможно повышение гемосовместимости фторполимерных материалов путем измерения параметров адгезии тромбоцитов к поверхности политетрафторэтилена до и после нанесения допированных азотом алмазоподобных пленок. Это говорит о том, что азотсодержащие углеводородные пленки интересны не только для трибологических и оптических применений, но и для медицинских приложений. В работе [17] были детально исследованы состав и структура a-C:H:SiOx- и a-C:H:Si:N-пленок методом многоволновой рамановской спектроскопии. В научной литературе к настоящему времени чрезвычайно мало представлена информация о получении a-C:H-пленок, легированных одновременно атомами Si, O и N. Исключение составляют только работы Н.И. Файнер с соавт. [18-20], в которых исследуется синтез пленок гидрогенизированного оксикарбонитрида кремния (SiCxNyOz:H) из кремнийорганических соединений в смесях с азотом и кислородом. Поскольку a-C:H:SiOx:N-пленки представляют собой нестехиометрическое соединение переменного состава, то изучение состава и свойств таких пленок является сложной задачей. Цель данной работы заключалась в исследовании структуры и физико-механических свойств a-C:H:SiOx:N-плёнок, наносимых в смеси азота, аргона и паров полифенилметилсилоксана (ПФМС) методом плазмохимического осаждения с использованием импульсного биполярного смещения подложки, в зависимости от парциального давления азота в вакуумной камере. Экспериментальное и аналитическое оборудование Эксперименты по нанесению a-C:H:SiOx:N-пленок осуществлялись на вакуумной установке, блок-схема которой представлена на рис. 1. Условия осаждения были выбраны на основе наших предыдущих исследований по осаждению a-C:H:SiOx-пленок [21, 22]. Расход аргона (50 мл/мин) и ПФМС (100 мкл/мин) поддерживались постоянными, что обеспечивало рабочее давление смеси аргона и паров ПФМС около 0.1 Па. На подложку подавалось импульсное биполярное напряжение смещения с частотой 100 кГц. При этом амплитуды отрицательного и положительного импульсов напряжения смещения составляли 500 и 100 В соответственно. Расстояние между накальным катодом плазмогенератора и подложкой равнялось 100 мм. Для увеличения эффективности ионизации газа, в пространстве между плазмогенератором и подложкой с помощью электромагнитной катушки создавалось продольной магнитное поле с индукцией 20 Гс на оси катушки. Напряжение разряда Uр составляло 140 В и поддерживалось постоянным. В экспериментах изменялось парциальное давление азота путем регулирования его расхода от 0 до 120 мл/мин. Увеличение последнего приводило к увеличению рабочего давления от 0.1 до 0.3 Па и росту тока разряда Iр от 7 до 11 А. Температура подложки в процессе осаждения пленки контролировалась с помощью термопары К-типа. Обнаружено, что увеличение рабочего давления и разрядного тока приводит к увеличению температуры подложки от 280 до 450 °С. В качестве подложек использовались пластины монокристаллического кремния (100) с односторонней полировкой поверхности, размерами 2×2 см и толщиной 350 мкм. Для предварительной очистки поверхности подложки обрабатывались в спирте и ацетоне с использованием ультразвуковой ванны. Непосредственно перед осаждением пленки производилась очистка подложек в плазме аргона в течение 5 мин. В этом случае давление аргона составляло 0.3 Па, Uр = 100 В, Iр = = 10-11А, а к подложкам прикладывалось импульсное биполярное напряжение смещения с амплитудой отрицательного импульса 1000 В. Рис. 1. Схема экспериментальной установки для осаждения a-C:H:SiOx:N-плёнок в плазме несамостоятельного дугового разряда с накальным катодом: 1 - источник питания напряжения смещения подложки; 2 - двигатель вращения стола; 3 - подложкодержатель; 4 - источник питания нити накала; 5 - источник питания разряда; 6 - накалённый вольфрамовый катод; 7 - источник паров ПФМС; 8 - медные держатели-электроды; 9 - вращаемый рабочий стол; 10 - насос для подачи ПФМС; 11 - электромагнитная катушка; 12 - источник питания катушки Для измерения механических свойств полученных образцов, в частности твердости H, модуля упругости Е, индекса пластичности H/E и сопротивления пластической деформации H 3/E 2, применялось наноиндентирование по методике Оливера - Фарра [23] при нагрузке 5 мН с использованием прибора Nanotest 600. При данной нагрузке производилось 10 измерений и определялось среднее значение. Определение химического состава пленок проводили рентгенофлуоресцентным методом анализа на спектрометре XRF-1800. Для исследования составляющих пленку функциональных групп использовался инфракрасный фурье-спектрометр Nicolet 5700. ИК-фурье-спектры регистрировались в диапазоне 750-4000 см-1 с разрешением 2 см-1. Спектры комбинационного рассеяния измеряли с помощью комплекса Centaur U HR (длина волны лазерного возбуждения 532 нм). Спектры регистрировались в спектральном диапазоне 800-1800 см-1 со спектральным разрешением 1.5 см-1. Для исследования краевого угла смачивания с водой θ использовался прибор «KRÜSS Easy Drop». Для измерения краевого угла смачивания на образце выбиралось 5 произвольных участков и рассчитывалось среднее значение краевого угла. Морфология поверхности полученных пленок исследовалась при помощи атомно-силового микроскопа (АСМ) Solver P47. Результаты и их обсуждение В табл. 1 представлены результаты исследования механических свойств a-C:H:SiOx:N-плёнок, наносимых при различных парциальных давлениях азота. Толщины исследованных пленок были в диапазоне от 1.5 до 3 мкм. Далее в тексте статьи будем оперировать величиной R - отношением парциального давления азота к суммарному парциальному давлению смеси Ar и ПФМС. При увеличении R от 0 до 1.74 происходит снижение твердости и модуля упругости пленки примерно на 30 %. Это сопровождается небольшим снижением индекса пластичности (с 0.11 до 0.10) и уменьшением сопротивления пластической деформации (с 196 до 110 МПа). Параметры H/E и H 3/E 2 характеризуют стойкость материала к износу и локализованную деформацию материала [24]. Поэтому они имеют первостепенное значение для трибологических применений. Из табл. 1 также видно, что увеличение R приводит к повышению краевого угла смачивания с водой с 83 до 90°, т.е. увеличению степени гидрофобности поверхности. В углеводородных плёнках увеличение краевого угла смачивания связывают с гидрофобными CH2- и CH3-группами [25]. Так, в работе [26] показано, что увеличение краевого угла смачивания в a-C:H-пленках с 88 до 91.6° коррелирует с трансформацией sp2-CH-групп в sp3-CH2- и CH3-группы. Таблица 1 Результаты измерения механических свойств, смачиваемости и скорости осаждения a-C:H:SiOx:N-пленок, нанесенных при различных парциальных давлениях азота R H, ГПа E, ГПа H/E H 3/E 2, МПа θ, град v, нм/мин 0 15.6 139.4 0.11 196 83 64 0.7 12.3 111.5 0.11 149 88 47 1.34 12.2 121.3 0.10 122 89 33 1.74 10.9 108.1 0.10 110 90 29 Примечание. R - отношение парциального давления азота (РN2) к суммарному парциальному давлению смеси аргона и ПФМС (РAr+ПФМС). В табл. 2 представлены результаты измерения химического состава a-C:H:SiOx:N-пленок, нанесенных при различных парциальных давлениях азота. Результаты являются приблизительными, поскольку метод не позволяет измерять содержание водорода в пленке, а концентрация кремния может быть завышена вследствие использования подложки из кремния. Видно, что с увеличением парциального давления азота его содержание в пленке увеличивается. Одновременно с этим происходит значительное уменьшение содержания углерода в пленке при неизменном содержании кремния. Таблица 2 Элементный состав a-C:H:SiOx:N-пленок, нанесенных при различных парциальных давлениях азота R Элементный состав, ат. % C Si O N 0 61.0 32.9 6.1 - 0.7 42.6 33.4 2.6 21.4 1.34 37.7 32.3 6.3 23.7 1.74 33.4 33.2 5.0 28.4 Возможной причиной уменьшения концентрации углерода в пленке при увеличении парциального давления азота в реакционной камере является образование летучего дициана (CN)2, наряду с образованием других летучих продуктов, таких, как монооксид углерода в результате химических реакций кислорода с радикалом CH3* и СО с азотсодержащими радикалами N, NO или N2 [18]: 2CH3*+3O2 →2CO+2H+4OH, 2CO+2NO→2O2+(CN)2. Косвенным подтверждением этого являются следующие факты. Во-первых, значительное увеличение парциального давления азота не приводит к пропорциональному увеличению концентрации азота в пленке. Увеличение расхода азота в 2 раза (с 60 до 120 мл/мин) приводит к увеличению концентрации азота в пленке с 21.4 до 28. 4 ат. %. Во-вторых, скорость осаждения пленки снижается вдвое при увеличении R от 0 до 1.74 (см. табл. 1). Методом ИК-спектроскопии изучены типы химических связей в a-C:H:SiOx:N-пленках, полученных при различных парциальных давлениях азота. На рис. 2 показаны ИК-спектры полученных образцов. Для образцов в основном характерны следующие полосы поглощения: Si-O, C=C, C≡N и N-H. Полоса поглощения валентного колебания Si-O относится к классу кремнийорганических соединений и располагается в районе 1000-1100 см-1. Возможно, она также является суперпозицией валентных колебаний связей Si-N (950 см-1), Si-O (1030 см-1) и Si-O-C (1140 см-1). Полоса поглощения валентного колебания C=C относится к классу алкены и располагается в диапазоне волновых чисел 1600-1700 см-1. К классу нитрилы (R-C≡N) (2200-2250 см-1) и изонетрилы (R-N+≡C-) (2100-2200 см-1) относится валентное колебание C≡N, которое располагается в районе 2200 см-1 [27]. Кроме того, карбоимиды (N=C=N) также могут внести вклад в эту полосу поглощения [28]. Функциональная группа N-H относится к классу амины. Соответствующий этому соединению диапазон волновых чисел находится от 3300 до 3500 см-1. Из рис. 2 можно заметить, что при увеличении R происходит уширение Si-O-полосы, а полосы C≡N и N-H становятся более выраженными и их интенсивность увеличивается, что свидетельствует об увеличении содержания этих функциональных групп в пленке. Рис. 2. ИК-спектры a-C:H:SiOx:N-плёнок, полученных при раз¬личных парциальных давлениях азота На рис. 3, a показаны спектры рамановского рассеяния полученных пленок и их разложение на две составляющие полосы D и G. Рис. 3. Рамановские спектры a-C:H:SiOx:N-плёнок, полученных при различных парциальных давлениях азота Пленки гидрогенизированного оксикарбонитрида кремния, полученные Файнер и др. [18] при температуре 500 °С в смеси 1,1,1,3,3,3-гексаметилдисилазана + О2, не имели в рамановских спект¬рах характерные для углерода полосы D (disordered) и G (graphitic). В отличие от них, спектры полученных в данной работе a-C:H:SiOx:N-пленок являются типичными для аморфного углерода, и в них наблюдаются две известные полосы: D-полоса с частотой максимума в области 1350-1420 см-1 и G-полоса с частотой максимума в области 1560-1600 см-1. В табл. 3 приведены частоты максимумов полос D и G и отношение интенсивностей полос в максимуме. Согласно рамановским спектрам, при увеличении R происходит увеличение интенсивности D-полосы и смещение D- и G-полос в сторону больших энергий. Это сопровождается небольшим увеличением соотношения ID / IG. Увеличение соотношения ID / IG связано с увеличением количества и размера кластеров sp2-фазы в матрице пленки. Феррари и Робертсоном [29] была обнаружена связь между спектрами комбинационного рассеяния и долей sp3-фазы в пленках аморфного углерода, заключающаяся в том, что содержание sp3-фазы увеличивается с одновременным смещением положения G-пика в сторону меньших энергий и уменьшением соотношения ID / IG. Таким образом, можно предположить, что отношение sp3/sp2 в пленке a-C:H:SiOx:N уменьшается при введении азота. Это согласуется с уменьшением твердости пленок при увеличении парциального давления азота и с аналогичной тенденцией в пленках тетраэдрического аморфного углерода, в которые вводился азот [12, 13]. Таблица 3 Результаты разбиения на гауссианы рамановских спектров a-C:H:SiOx:N-пленок, полученных при различных парциальных давлениях азота R ωD, см-1 ωG, см-1 ID /I G 0 1373 1518 0.95 0.7 1385 1542 1.01 1.34 1386 1544 1.03 1.74 1391 1555 1.04 Примечание. ωD - расположение D-полосы; ωG - расположение G-полосы; ID / IG - отношение интенсивностей D- и G-полос. На рис. 4 приведены АСМ-изображения поверхности пленок, полученных без подачи азота в камеру (R = 0) и с максимальным парциальным давлением азота (R = 1.74). Пленки без азота имеют более гладкую поверхность с большей плотностью нановыступов. Их среднеквадратичная шероховатость Rq равнялась 1.2 нм на участке поверхности размером 15×15 мкм. Поверхность пленки с азотом, полученная при R = 1.74, более грубая, а ее среднеквадратичная шероховатость на участке такого же размера составляет 12 нм. Это согласуется с многократным увеличением шероховатости алмазоподобных пленок после введения в их структуру азота, наблюдаемым в [30]. Рис. 4. АСМ-изображения поверхности a-C:H:SiOx:N-плёнок, полученных при различных парциальных давлениях азота: а - R = 0; б - R = 1.74 Заключение В работе показано, что увеличение парциального давления азота в процессе синтеза a-C:H:SiOx :N-плёнок приводит к снижению механических свойств, в частности уменьшению твердости с 15.6 до 10.9 ГПа и соответственно к снижению сопротивления пластической деформации с 196 до 110 МПа. Анализ спектров рамановского рассеяния показал, что введение азота в пленку способствует образованию новых центров sp2-фазы, что и приводит к снижению механических свойств формируемых a-C:H:SiOx :N-плёнок. Согласно результатам ИК-фурье-спектроско¬пии, добавление азота в реакционную камеру приводит к образованию новых связей в пленке, таких, как C≡N и N-H, а также трансформации Si-O- и C=C-связей. Кроме этого, добавление азота в a-C:H:SiOx-пленку приводит к увеличению краевого угла смачивания с водой с 83 до 90° и десятикратному увеличению среднеквадратичной шероховатости поверхности (с 1.2 до 12 нм). Авторы выражают благодарность региональному центру коллективного пользования Томского научного центра СО РАН за возможность использования наноиндентора NanoTest 600, атомно-силового микроскопа AFM Solver P47 и ИК-фурье-спектрометра Nicolet 5700, а также ведущему инженеру Института химии нефти СО РАН Н.В. Рябовой за помощь в обсуждении результатов, полученных с использованием ИК-фурье-спектрометра. Результаты рентгеновской флуоресцентной спектроскопии получены в ЦКП НОЦ ТГУ «Физика и химия высокоэнергетических систем».

Ключевые слова

Raman spectroscopy, Fourier-transform infrared spectroscopy, doped amorphous carbon, plasma-chemical synthesis, фурье-ИК-спектроскопия, рамановская спектроскопия, легированный аморфный углерод, плазмохимический синтез

Авторы

ФИООрганизацияДополнительноE-mail
Сыпченко Владимир СергеевичНациональный исследовательский Томский политехнический университетк.ф.-м.н., старший преподаватель отделения экспериментальной физикиsypchenko@tpu.ru
Иванова Нина МихайловнаНациональный исследовательский Томский политехнический университетассистент исследовательской школы физики высокоэнергетических процессовnmi2@tpu.ru
Соловьев Андрей АлександровичИнститут сильноточной электроники СО РАНк.т.н., зав. лаб. прикладной электроникиandrewsol@mail.ru
Гренадёров Александр СергеевичИнститут сильноточной электроники СО РАНк.т.н., инженер-исследователь1711Sasha@mail.ru
Оскомов Константин ВладимировичИнститут сильноточной электроники СО РАНк.ф.-м.н., ст. науч. сотр.oskomov@lae.hcei.tsc.ru
Всего: 5

Ссылки

Yan X., Xu T., Chen G., et al. // Appl. Phys. A. - 2005. - V. 81. - P. 41-46.
Ferrari А.С. and Robertson J. // Phys. Rev. B. - 2000. - V. 61. - No. 20. - P. 14095-14107.
Bhattacherjee S., Niakan H., Yang Q., et al. // Surf. Coat. Tech. - 2015. - V. 284. - No. 12. - P. 153-158.
Yan X.B., Xu T., Yue S.S., et al. // Diam. Relat. Mater. - 2005. - V. 14. - P. 1342-1347.
Ye P., Xu F., Wu J., et al. // Surf. Coat. Tech. - 2017. - V. 320. - P. 183-189.
Shtansky D.V., Kulinich S.A., Levashov E.A., et al. // Thin Solid Films. - 2002. - V. 420- 421. - P. 330-337.
Nakayama M., Tsuyoshi A., and Shibahara M. // J. Vac. Sci. Technol. A. - 1995. - V. 13. - P. 195- 199.
Oliver W.C. and Pharr G.M.// J. Mater. Res. - 2004. - V. 19. - P. 3-20.
Grenadyorov A.S., Solovyev А.А., Oskomov K.V., et al. // Thin Solid Films. - 2019. - V. 669. - P. 253-261.
Grenadyorov A.S., Solovyev А.А., Oskomov K.V., and Sypchenko V.S. // Surf. Coat. Technol. - 2018. - V. 349. - P. 547-555.
Fainer N.I., Plekhanov A.G., Maksimovsky E.A., and Rumyantsev Yu.M. // Glass Phys. Chem. - 2018. - V. 44. - No. 6. - P. 607-615.
Fainer N.I., Plekhanov A.G., Rumyantsev Yu.M., et al. // Glass Phys. Chem. - 2014. - V. 40. - No. 6. - P. 643-649.
Tamulevičienė A., Kopustinskas V., Niaura G., et al. // Thin Solid Films. - 2015. - V. 581. - P. 86-91.
Fainer N.I., Plekhanov A.G., Rumyantsev Yu.M., et al. // Glass Phys. Chem. - 2014. - V. 40. - No. 5. - P. 570-577.
Sevast’yanov V.I. and Vasilets V.N. // Russ. J. Gen. Chem. - 2009. - V. 79. - P. 596-605.
Kolpakov A.Ya., Sudzhanskaya I.V., Galkina M.E., et al. // Nanotechnologies in Russia. - 2011. - V. 6. - No. 3-4. - P. 185-188.
Veerasamy V.S., Yuan J., Amaratunga G.A., et al. // Phys. Rev. B. Condens. Matter. - 1993. - V. 48. - No. 24. - P. 17954-17959.
Ermakova E., Rumyantsev Y., Shugurov A., et al. // Appl. Surf. Sci. - 2015. - V. 339. - P. 102- 108.
Robertson J. // Mater. Sci. Eng. R. Rep. - 2002. - V. 37. - P. 129-281.
Kleinsorge B., Ferrari A.C., and Robertson J. // J. Appl. Phys. - 2000. - V. 88. - P. 1149-1157.
Bulou S., Le Brizoual L., Miska P., et al. // Thin Solid Films. - 2011. - V. 520. - P. 245-250.
Nakao S., Kinomura A., and Sonoda T. // Nucl. Instrum. Methods. B. - 2013. - V. 307. - P. 333-339.
Damasceno J.C. and Camargo S.S. // Thin Solid Films. - 2008. - V. 516. - P. 1890-1897.
Zavedeev E.V., Zilova O.S., Shupegin M.L., et al. // Appl. Phys. A Mater. Sci. Process. - 2016. - V. 122. - No. 11. - Art. 961.
Oguri K. and Arai T. // J. Mater. Res. - 1990. - V. 5. - P. 2567-2571.
Ikeyama M. and Sonoda T. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. - 2013. - V. 307. - P. 340-343.
Camargo S.S., Santos R.A., Baia Neto A.L., et al. // Thin Solid Films. - 1998. - V. 332. - P. 130-135.
Mort J., Machonkin M.A., and Okumura K. // Appl. Phys. Lett. - 1991. - V. 59. - No. 24. - P. 3148-3150.
Gorshunov B.P., Shupegin M.L., Ivanov V.Y., et al. // Tech. Phys. - 2008. - V. 53. - No. 5. - P. 641-645.
Zhigalina O.M., Khmelenin D.N., Pimenov S.M., et al. // Crystallography Rep. - 2018. - V. 63. - No. 5. - P. 796-801.
 Плазмохимический синтез аморфных углеводородных пленок, легированных кремнием, кислородом и азотом | Изв. вузов. Физика. 2019. № 7. DOI: 10.17223/00213411/62/7/97

Плазмохимический синтез аморфных углеводородных пленок, легированных кремнием, кислородом и азотом | Изв. вузов. Физика. 2019. № 7. DOI: 10.17223/00213411/62/7/97