Programmable switching area | Vestnik Tomskogo gosudarstvennogo universiteta. Upravlenie, vychislitelnaja tehnika i informatika – Tomsk State University Journal of Control and Computer Science. 2020. № 50. DOI: 10.17223/19988605/50/14

Programmable switching area

The main trends of the modern development of the electronic component base are considered. The main problems faced by chip manufacturers are shown. One of the solutions to these problems can be the development of 3D integration chips with a separate arrangement of chips and interchip connections in space. The proposed approach will allow the creation of unified basic technologies and designs of 3D integration chips, which simplify technological and algorithmic problems.

Download file

Counter downloads: 173

Keywords

электронная компонентная база, матричный коммутатор, микросхема 3D-интеграции, технология 3D-TSV, технология SiP, electronic component base, cross-bar switch, 3D-integration chip, 3D-TSV technology, SiP technology

Authors

Name	Organization	E-mail
Soldatov Alexey I.	Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics; Tomsk Polytechnic University	asoldatof@mail.ru
Matrosova Anzhela Yu.	Tomsk State University	mau11@yandex.ru
Kim Oleg H.	Tomsk State University	oh.kim@mail.ru
Soldatov Andrey A.	Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics; Tomsk Polytechnic University	Soldatov.88@bk.ru
Kostina Mariya A.	Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics; Tomsk Polytechnic University	mashenkasoldatova@mail.ru

Всего: 5

References

Чипы-гибриды парадоксально уплотняют схемы без уплотнения. URL: http://www.membrana.ru/articles/technic/ 2009/09/21/173100.html. (дата обращения: 20.10.2019).

Юдинцев В. Трехмерная кремниевая технология. Что, где, когда // Электроника: наука, технология, бизнес. 2011. № 4 (110). C. 70-75.

Golishnikov A.A., Kostyukov D.A., Putrya M.G., Shevyakov V.I. Features of silicon deep plasma etching process at 3D-TSV structures producing // Proc. of SPIE - The International Society for Optical Engineering/ 2019. 11022. 110221Z.

Wang Z. Microsystems using three-dimensional integration and TSV technologies: Fundamentals and applications // Microelectronic Engineering. 2019. V. 210. P. 35-64.

Meng M., Cheng L., Yang K., Sun M., Luo Y. A novel seedless TSV process based on room temperature curing silver nanowires ECAs for MEMS packaging // Micromachines. 2019. V. 10 (6). P. 351.

Liu Z., Tian Q., Li J., Liu X., Zhu W. An Efficient and High Quality Chemical Mechanical Polishing Method for Copper Surface in 3D TSV Integration // IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 2019. V. 32 (3). 8738875. P. 346-351.

3D сборка микросхем: «Сделано в России» // SEMICON Russia 2014. URL: https://www.semiconeuropa.org/en/sites/ semiconrussia.org/files/docs/3.%20SEMI_2014_GS%20Group_3D%20packaging.pdf (дата обращения: 20.10.2019).

Haran B.S., Kumara A., Adam L. et al. 22 nm Technology Compatible Fully Functional 0.1 pm2 6T-SRAM Cell // 2008 IEEE International Electron Devices Meeting. 2008. P. 615-619.

Гольцова М. Международная конференция ISSCC 2011. От микросхем больших объемов до имплантируемых устройств // Электроника: наука, технология, бизнес. 2011. № 3. С. 32-45.

Патент РФ № 2335821, Трехмерный электронный модуль. Патентообладатель: ОАО «НПК “ЭЛАРА” им. Г.А. Ильенко» (ОАО «ЭЛАРА»).

Патент РФ № 2336595 Способ изготовления объемных мини-модулей Патентообладатель: Завадский Александр Иванович.

Патент РФ № 2463684(73). Многокристальный модуль. Патентообладатели: Минпромторг РФ, ЗАО «НПО “НИИТАЛ”».

Патент РФ № 2461911. Многокристальный модуль. Патентообладатель: Минпромторг РФ.

Строгонов А., Цыбин С., Быстрицкий А. Трехмерные интегральные схемы 3D БИС // Компоненты и технологии. 2011. № 1. С. 118-121.

Аракелян В.А. Проблемы и перспективы в трехмерном проектировании интегральных схем // SWorld. 2014. Т. 4, № 1. С. 71-78.

Ежов В. Тенденции развития электронных технологий. Ближайшие перспективы. URL: http://www.russianelectronics.ru/ leader-r/review/521/doc/40568/ (дата обращения: 20.10.2019).

Перспективы развития микросхем. URL: http://iqrate.com/infotech/perspektivy-razvitiya-mikroshem/ (дата обращения: 20.10.2019).

Тенденции и перспективы глобального и российского рынка микроэлектроники. URL: https://www.crn.ru/news/detail.php?ID=119695. (дата обращения: 20.10.2019).

Микроэлектронная промышленность России: состояние и перспективы развития. URL: https://pandoraopen.ru/2017-06- 18/mikroelektronnaya-promyshlennost-rossii-sostoyanie-i-perspektivy-razvitiya/ (дата обращения: 20.10.2019).

Куликова Н.Н. Современное состояние и тенденции развития электронной промышленности в России // Теория и практи ка общественного развития. 2017. № 12. С. 87-92.

Miao M., Wang L., Chen T., Sun L., Duan X., Zhang J., Liu H., Jin Y. Modeling and Design of a 3D Interconnect Based Circuit Cell Formed with 3D SiP Techniques Mimicking Brain Neurons for Neuromorphic Computing Applications // Proc. Electronic Components and Technology Conf. 2018. 8429591. P. 490-497.

U.S. Patent No. 5,414,638 entitled Programmable Interconnect Architecture. Filed May. 2011. by Aptix Corporation.

U.S. Patent No. 6,272,646 entitled Programmable Logic Device Having an Integrated Phase Lock Loop. Filed February 18. 2011. by Xilinx.

U.S. Patent No. 6,188,578 entitled Intergrated Circuit Package with Multiple Heat Dissipation Paths and owned by HTC Corporation. Filed February 14. 2011.

Солдатов А.И., Ким О.Х. Технические и алгоритмические проблемы коммутации современной электроники // Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9-3. С. 308-310.

Патент РФ № 2 402 061. Пространственная коммутационная среда (варианты). Патентообладатель: ООО «Хонбин». 16.03.2009.