Оптически индуцированные канальные волноводные структуры с пространственной модуляцией параметров в поверхностном слое ниобата лития
Представлены результаты экспериментальных исследований канальных оптических волноводных структур с пространственно-модулированными параметрами, полученных путем поточечного индуцирования возмущений показателя преломления лазерным излучением видимого диапазона, в образцах LiNbO3 Y-среза с фоторефрактивным поверхностным слоем.
Optically induced channel waveguide structures with spatial modulation of parameters in the surface layer of lithium nio.pdf Введение Монокристаллы ниобата лития (LiNbO3) широко используются при создании различных элементов и приборов интегральной и нелинейной оптики, фотоники и лазерной техники благодаря уникальному набору физических свойств [1]. Легирование ниобата лития ионами переходных металлов, такими, как Fe, Cu, Mn, которые могут находиться в кристалле в нескольких зарядовых состояниях, значительно увеличивает его фоторефрактивный отклик [2]. Фоторефрактивный эффект, заключающийся в возмущении показателя преломления под действием света, в образцах LiNbO3, легированных такими примесями, обусловлен фотовольтаическим механизмом транспорта носителей заряда и не требует приложения внешнего электрического поля, обеспечивающего дрейф этих носителей. В кристаллах LiNbO3 с фотовольтаическим типом нелинейного отклика изменения оптических свойств наблюдаются и при низких интенсивностях света, составляющих 0.1 Вт/см2 и менее. С использованием излучения маломощных непрерывных лазеров в них могут формироваться фазовые дифракционные решетки и более сложные голографические структуры [3, 4], что открывает перспективы создания гибридных оптоэлектронных и полностью оптических приборов фотоники [5, 6]. В фоторефрактивных кристаллах возможно индуцирование волноводно-оптических элементов пространственными оптическими солитонами [7], однако в LiNbO3 нелинейный отклик при фотовольтаическом механизме транспорта имеет самодефокусирующий характер [8]. Соответственно за счет этого механизма в нем возможно формирование лишь темных пространственных солитонов [8, 9]. Легирующие примеси могут как вводиться в шихту, в процессе роста кристаллов, так и внедряться через оптически полированную поверхность образцов, с использованием методов диффузии, ионного обмена и ионной имплантации [5, 9, 10]. Изменение физических свойств материала вблизи поверхности может обеспечивать в этой области волноводно-оптические или лазерные свойства [5, 9, 10], а также модифицировать его акустические и оптические параметры [5, 11]. Поверхностное легирование позволяет получить более высокую концентрацию примесей, в сравнении с их введением в процессе выращивания кристаллов. При этом возможно и легирование необходимых областей поверхности образца разными примесями или их комбинациями для изменения функционального назначения этих областей [12]. Целью данной работы является исследование оптического индуцирования канальных оптических волноводов в кристаллических образцах Y-среза ниобата лития с поверхностным легированием ионами Cu, с использованием пространственного перемещения записывающего лазерного пучка. Параметры сформированных волноводов изучались методом оптического зондирования светом с длиной волны λ = 633 нм, поляризация которого соответствовала необыкновенной волне в кристалле. 1. Формирование канальных волноводных структур Эксперименты по созданию волноводных элементов проводились для пластины Cu:LiNbO3 Y-среза c размерами 30×3×15 мм по осям X, Y и Z соответственно. Ионы меди в кристалл вводились поверхностным легированием. Для этого на поверхность XZ кристалла термическим распылением в вакууме наносилась пленка Cu толщиной ~ 200 нм. Далее в течение 10 ч проводился процесс диффузии в воздушной атмосфере при температуре 900 С. В результате в приповерхностной области образца формировался слой Cu:LiNbO3. Толщина слоя оценивалась при зондировании образца с торца излучением с λ = 532 нм и выходной мощностью P = 2 мВт. Световой пучок фокусировался на торце кристалла сферической линзой с фокусным расстоянием F = 25 см. Кристалл был расположен на линейном трансляторе с точностью перемещения 10 мкм. Смещение образца относительно падающего излучения осуществлялось с шагом 50 мкм. Интенсивность излучения, прошедшего через кристалл, регистрировалась фотодиодом (ФД). По полученным с помощью ФД данным рассчитан коэффициент поглощения внутри кристалла через каждые 50 мкм. В результате построена зависимость поглощения лазерного излучения внутри образца, изображенная на рис. 1. Толщина легированного слоя оценивалась по уровню 0.95 от максимального значения коэффициента α и составила h ≈ 200 мкм. Рис. 1. Результат измерения поглощения света при вводе излучения с торца кристалла Формирование канальных оптических волноводов осуществлялось за счет фоторефрактивного эффекта [13, 14] на экспериментальной установке, схема которой приведена на рис. 2. Рис. 2. Схема экспериментальной установки для формирования канальных волноводных структур: 1 - источник излучения; 2 - микрообъектив; 3 - микрометрический столик; 4 - кристалл ниобата лития; 5 - изображающая линза; 6 - анализатор лазерных пучков; 7 - персональный компьютер Световой пучок от источника излучения 1, в качестве которого использовался твердотельный YAG:Nd3+-лазер с удвоением частоты (λ = 532 нм) и выходной мощностью 10 мВт, фокусировался на поверхность XZ образца Cu:LiNbO3 4, установленного на подвижном столике 3, микрообъективом 2 с увеличением ×10. Распределение интенсивности света на данной поверхности регистрировалось анализатором лазерных пучков BS-FW-FX33 (АЛП), сопряженным с персональным компьютером. Диаметр фокусированного пучка в области перетяжки, по уровню 1/e от максимальной интенсивности, составлял ~ 20 мкм. Подвижный столик 3 представлял собой микрометрический позиционер, позволяющий задавать положение образца относительно формирующего пучка с точностью 5 мкм. Поточечное экспонирование поверхности при смещении образца с шагом 20-60 мкм приводило к формированию в приповерхностном легированном слое Cu:LiNbO3 областей с пониженным показателем преломления, длина которых варьировалась от 1 до 2 мм. Ориентация вектора поляризации экспонирующего излучения вдоль оси X кристалла соответствовала обыкновенной волне. Для реализации волноводного эффекта создавались структуры, состоящие из двух параллельных полосок, ориентированных вдоль оси X кристалла [13]. 2. Исследование индуцированных канальных волноводных структур Вследствие фоторефрактивного эффекта, при фотовольтаическом механизме транспорта электронов в зоне проводимости, показатели преломления LiNbO3 в освещенной области понижаются [3, 5], поэтому волноводно-оптический эффект может проявляться в промежутке между двумя такими областями. В экспериментах облучаемые области представляли собой параллельные полоски, ориентированные в направлении оси X кристалла. Каждая из полосок создавалась последовательным точечным экспонированием поверхности LiNbO3 сфокусированным световым пучком и состояла из набора точек. Количество точек экспонирования и расстояния между их центрами варьировались в различных экспериментах. Расстояние между центрами полосок в различных экспериментах составляло 40-60 мкм. Время экспонирования точки в разных экспериментах изменялось от 5 до 12 с. Индуцированные в легированной поверхностной области LiNbO3 неоднородности зондировались коллимированным пучком He-Ne-лазера (λ = 633 нм) диаметром 1 мм (рис. 3). Рис. 3. Схематическое изображение зондирования индуцированных волноводных структур Некоторые результаты зондирования образованных структур приведены на рис. 4. На рис. 4, а показан результат зондирования волноводной структуры, однородной в продольном направлении. Две параллельные темные полосы в центральной части рисунка образованы индуцирующими пятнами, расстояние между центрами которых составляло 20 мкм. Эти полосы соответствуют областям с пониженным вследствие фоторефрактивного эффекта показателем преломления. Светлая полоса между ними - волноводная область. На рис. 4, б показан результат зондирования волноводной структуры, образованной индуцирующими пятнами, расстояние между центрами которых составляло 60 мкм. Этот случай соответствует канальной волноводной структуре с периодической неоднородностью в продольном направлении. Ширина волноводной области для однородной и неоднородной структур составляет ~ 20 мкм. Пример формирования волноводной структуры с изменяющейся пространственной модуляцией в продольном направлении приведен на рис. 4, в. В процессе индуцирования структуры шаг между экспонирующими пятнами варьировался от 20 до 50 мкм. Рис. 4. Световые картины, полученные при зондировании канальных волноводных структур: а - продольно однородной; б - периодически неоднородной; в - с изменяющейся однородностью При ориентации экспонированной полоски вдоль оптической оси кристалла формирование фоторефрактивных фазовых элементов затруднено [5]. Это связано с тем, что поле пространственного заряда появляется только на границах освещенной области, перпендикулярной направлению оптической оси кристалла. Однако поточечное экспонирование поверхности кристалла узким световым пучком позволяет сформировать волноводную структуру вдоль оси Z кристалла. На рис. 5, а показан результат зондирования структуры, образованной при смещении индуцирующего пятна вдоль оси Z кристалла. Шаг экспонирования составлял 60 мкм. Рис. 5. Световые картины, полученные при зондировании: а - экспонированной полоски, ориентированной вдоль оптической оси кристалла; б - индуцированной структуры со сложной топологией Возможность формирования экспонированных областей вдоль оси Z кристалла позволяет индуцировать волноводные структуры сложной топологии в фоторефрактивных слоях. Типичный пример структуры сложной топологии приведен на рис. 5, б. Экспонирование световым пучком канальных оптических волноводов использовалось в работе [15] для модуляции параметров прямолинейных волноводных элементов, полученных диффузией титана в подложке LiNbO3. Полученные авторами результаты показывают, что поточечное экспонирование может использоваться и для создания в фоторефрактивных слоях волноводных систем более сложной топологии, определяемой формой пути светового пятна на поверхности образца. Количественная оценка изменений показателя преломления Δn, вносимых при поточечном индуцировании волноводных структур в поверхностном слое кристалла, проводилась с использованием интерферометра Жамена. Полученные интерферограммы фиксировались ПЗС-камерой. Пример такой интерферограммы приведен на рис. 6. Рис. 6. Световая картина на выходе интерферометра Жамена при введении исследуемого образца в одно из плеч интерферометра Из интерферограммы видно, что в индуцированной области кристалла, выделенной на рис. 6, наблюдается фазовый сдвиг интерференционных полос Δφ относительно участка образца без внесенных лазером изменений показателя преломления. Величина фазового сдвига интерференционных полос составила Δφ = 1.1π. Количественная оценка изменений показателя преломления Δn проводилась по формуле [16] Δ = (n1 - n2) d = Δnd, (1) где n1 - показатель преломления кристалла; n2 - показатель преломления кристалла, измененный под воздействием лазерного излучения; d - толщина легированного слоя; Δ - разность хода лучей. По полученным расчетам изменение показателя преломления в экспонированной области составило n = 1•10-3. Заключение Таким образом, экспериментально показаны возможности индуцирования канальных волноводных структур с пространственной модуляцией их параметров. При точечном экспонировании появляется возможность влиять на продольную однородность волноводных каналов, а также формировать волноводные каналы вдоль полярной оси кристалла LiNbO3. Это позволяет создавать в легированном поверхностном слое кристалла канальные волноводы и их системы со сложной топологией, определяемой перемещением светового пятна по поверхности образца. Такие структуры допускают многократную оптическую реконфигурацию и могут быть использованы в оптических устройствах фотоники.
Ключевые слова
probing,
exposure,
lithium niobate,
photorefractive effect,
spatial modulation,
channel waveguide,
зондирование,
экспонирование,
пространственная модуляция,
фоторефрактивный эффект,
ниобат лития (LiNbO3),
канальный волноводАвторы
Безпалый Александр Дмитриевич | Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники | мл. науч. сотр. НОЦ «НОНЛТ» ТУСУР, аспирант каф. сверхвысокочастотной и квантовой радиотехники | id_alex@list.ru |
Шандаров Владимир Михайлович | Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники | д.ф.-м.н., профессор, гл. науч. сотр. НОЦ «НОНЛТ» ТУСУР, профессор каф. сверхвысокочастотной и квантовой радиотехники | |
Мандель Аркадий Евсеевич | Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники | д.ф.-м.н., профессор, профессор каф. сверхвысокочастотной и квантовой радиотехники | mandelae@svch.tusur.ru |
Быков Виталий Иванович | Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники | к.ф.-м.н., доцент каф. электронных приборов | vitalii.i.bykov@tusur.ru |
Мамбетова Ксения Мустафиевна | Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники | инженер каф. электронных приборов | mambetova_ksenia@mail.ru |
Всего: 5
Ссылки
Kanshu A., Rüter C.E., Kip D., and Shandarov V.M. // Appl. Phys. B. - 2009. - V. 95. - No. 3. - P. 537-543.
Борн М., Вольф Э. Основы оптики. - 2-е изд.: пер. с англ. - М.: Наука, 1973. - 713 с.
Bezpaly A.D., Verkhoturov A.O., and Shandarov V.M. // Proc. SPIE. The Int. Soc. Opt. Eng. - 2017. - V. 10603. - P. 10603-1-10603-6.
Kushibiki J., Kobayashi T., Ishiji H., and Jen C.K. // J. Appl. Phys. - 1999. - V. 85. - No. 11. - P. 7863-7868.
Bezpaly A.D., Verkhoturov A.O., and Shandarov V.M. // Ferroelectrics. - 2017. - V. 515. - Iss. 1. - P. 34-43.
Davydov S.A., Trenikhin P.A., Shandarov V.M., et al. // Phys. Wave Phen. - 2010. - V. 18. - No. 1. - P. 1-6.
Kip D. // Appl. Phys. B. - 1998. - V. 67. - P. 131-150.
Kivshar Y.S. and Agrawal G.P. Optical Solitons: from Fibers to Photonic Crystals: - Academic Press, 2003. - 540 p.
Morin M., Duree G., Salamo G., and Segev M. // Opt. Lett. - 1995. - V. 20. - No. 20. - P. 2066- 2068.
Valley G.C., Segev M., Crosignani B., et al. // Phys. Rev. A. - 1994. - V. 50. - P. R4457.
Shandarov V., Kip D., Wesner M., and Hukriede J. // J. Opt. A: Pure Appl. Opt. - 2000. - V. 2. - P. 500-503.
Chen F. // Laser Phot. Rev. - 2012. - V. 6. - No. 5. - P. 622-640.
Шандaров В.М. // Изв. вузов. Физика. - 2015. - Т. 58. - № 10. - С. 13-21.
Петров М.П., Степанов С.И., Хоменко А.В. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике. - СПб.: Наука, 1992. - 275 с.
Toney J.E. Lithium Niobate Photonics. - Boston; London: Artech House, 2015.
Krätzig E. and Schirmer O.F. // Photorefractive Materials and Their Applications I / ed. by P. Günter, J.P. Huignard (Topics in Appl. Phys. No. 61). - Berlin: Springer, 1988. - P. 131-166.