Оценка влияния температуры на временной отклик модального фильтра на основе микрополосковой линии с двумя боковыми проводниками, заземленными на обоих концах
Впервые оценено влияние температуры на временной отклик нового модального фильтра (МФ) на основе микрополосковой линии с двумя боковыми проводниками, заземленными на обоих концах. Оценка выполнена по результатам квазистатического моделирования с учетом температурной модели и измерения изготовленного макета МФ с помощью камеры тепла-холода. Анализировались временные отклики на сверхкороткий импульс на выходе МФ. Представлены результаты моделирования без учета потерь, с учетом потерь и измерений при температурах -50, 25 и 150 °С. Оценены отклонения задержки и амплитуды напряжения первого из импульсов, на которые разлагается воздействующий сверхкороткий импульс. Показана согласованность результатов моделирования и измерения. Выявлено малое влияние температуры на задержку (около 1%) и значительное влияние на амплитуду (до 36%) первого импульса.
Estimation of the effect of temperature on the time response of a modal filter based on a microstrip line with two side .pdf Жесткие условия эксплуатации (космос, Арктика, тропики и др.) радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) предъявляют к ней требование безотказной работы в широком диапазоне температур (T). Исследование влияния T на различные характеристики линий передачи, а также использование полученной информации на этапе проектирования позволяют оценить изменения этих характеристик и их критичность для функционирования РЭА [1-4]. В РЭА часто используются микрополосковые линии (МПЛ) и их модификации [5-7]. В этой связи ранее авторами исследовано влияние температуры на характеристики МПЛ с заземленными проводниками сверху [8]. Между тем такие МПЛ могут обладать свойствами модального фильтра (МФ) для защиты от различных кондуктивных воздействий, например сверхкороткого импульса (СКИ), за счет его модального разложения на последовательность импульсов меньшей амплитуды [9-12]. В общем случае это происходит за счет различия задержек распространения импульсов мод поперечных волн в отрезке многопроводной линии передачи. Такое различие возможно при неоднородном (в поперечном сечении) диэлектрическом заполнении линии. В результате модального разложения, в частности за счет уменьшения результирующей амплитуды напряжения на выходе МФ, опасность воздействия СКИ на компоненты РЭА, подключенные к выходу МФ, может значительно уменьшиться. Однако изменение температуры может повлиять на эффективность проявления свойств МФ у МПЛ, а значит, ее защитных свойств. В целях получения новых оригинальных результатов в данном контексте применения МПЛ очень важно проанализировать искажения формы временного отклика таких МФ при изменении T. Цель данной работы - оценить влияние температуры на временной отклик модального фильтра на основе МПЛ с двумя боковыми проводниками, заземленными на обоих концах. Использовались два подхода: измерения макета МФ и его квазистатическое моделирование в системе TALGAT [13]. Поперечное сечение изготовленного макета МФ представлено на рис. 1, а. Его параметры: t = 105 мкм, w = 0.45 мм, w1 = 0.2 мм, h = 0.5 мм, d = 1 мм, s = 0.45 мм, εr = 4.7, tg δ = 0.03, l = 328 мм. Материал макета СТФ-2-105-0.5. Общие размеры макета 100×100 мм. На рис. 1, б и в представлены фото верхнего и нижнего слоев макета. Для уменьшения длины макета он согнут в меандр. Связь между полувитками меандра очень слабая, поскольку расстояние между ними 10 мм. МФ соединялся с измерительным оборудованием SMA-соединителями. Моделирование выполнено при T = -50, 25 и 150 °С с помощью температурной модели, представленной в работе [14]. Температурный коэффициент линейного расширения меди принят 17⋅10-6 К-1, а диэлектрической основы макета по осям Z и Y - 70⋅10-6 и 17⋅10-6 К-1 соответственно [15]. Для материала СТФ-2-105-0.5 с εr = 4.7 температурный коэффициент принят 8.33⋅10-4 К-1. Рис. 1. Поперечное сечение (а), фото верхнего (б) и нижнего (в) слоев макета МФ Моделировалась принципиальная электрическая схема, представленная на рис. 2, а, где сигнальный проводник соединен с источником СКИ, представленным на схеме идеальным источником ЭДС E и внутренним сопротивлением R1. На другом конце проводник соединен с R2. Параметры схемы: длина линии l = 328 мм, внутренние сопротивления источника СКИ и нагрузки R1 = R2 = 50 Ом. В качестве СКИ при моделировании и измерении принят трапециевидный импульс с амплитудой ЭДС 1 В и временами нарастания, плоской вершины и спада по 40 пс (рис. 2, б). Рис. 2. Принципиальная электрическая схема (а) и форма воздействующей ЭДС (б) Измерения выполнены однократно при изменении температуры от -50 до 150 °С с помощью векторного анализатора цепей (ВАЦ) R&S ZVA 40 (погрешности измерения модуля коэффициентов передачи и отражения (S-параметры) составляют 0.1-1.0 и 0.4-3 дБ соответственно в зависимости от частоты и значения) при размещении макета в климатической (испытательной) камере тепла-холода ESPEC SU-262 (колебания температуры: ±0.3 °С (-60 ... +100 °С); ±0.5 °C (101.1- 150 °C)). ВАЦ соединялся c SMA-соединителями измерительными кабелями R&S ZV-Z195 и Semflex 60637. Затем измеренные частотные зависимости S-параметров были преобразованы во временные отклики в Advanced Design System. Таким образом, погрешности измерения S-параметров определяют точность моделирования временных откликов. На рис. 3 представлены результаты моделирования и измерения при T = -50, 25, 150 °С. Видно, что СКИ раскладывается на 2 импульса. С увеличением температуры задержки импульсов увеличиваются как при моделировании, так и при измерении, а амплитуды импульсов уменьшаются. Из результатов моделирования без учета изменения потерь (рис. 3, а) видно, что амплитуды импульсов значительно отличаются от измеренных. Так как известно, что с увеличением T возрастают потери, то дополнительно проведено тестовое моделирование с учетом изменения потерь в диэлектрике в 2 раза при T = -50, 150 °С (рис. 3, б). Видно, что амплитуды импульсов уменьшились так же, как и при измерении, поскольку потери влияют на дисперсию. Рис. 3. Формы напряжения на выходе макета МФ, полученные при моделировании без учета (а) и с учетом (б) изменения потерь в диэлектрике и измерении (в) для T = -50 (- -), 25 (--), 150 °С (• •) Выполнена количественная оценка отклонений задержки и амплитуды напряжения импульса 1 (таблица). Она показала хорошую согласованность результатов моделирования и измерения, а также малое влияние температуры на задержку (модуль отклонения около 1%) и значительное влияние на амплитуду (модуль отклонения 21-36%). Относительные отклонения (от T = 25 °С) задержек и амплитуд напряжения импульса 1 Результат T, °С Δt, % ΔU, % Моделирование с учетом изменения потерь - 50 -0.57 21.42 150 1.15 -35.71 Измерение - 50 -1.12 26.67 150 1.12 -33.33 Для более ясного сравнения результатов моделирования и измерения они представлены отдельно для T = -50, 25, 150 °С на рис. 4. Видна хорошая согласованность результатов для учета изменения потерь и измерений по задержкам импульса 1 (±3.55% при T = -50 °С, ±1.72% при T = 25 °С и ±2.84% при T = 150 °С). Моделирование с учетом изменения потерь в 2 раза для T = = -50 и 150 °С показало, что амплитуды импульсов совпали с измеренными. Рис. 4. Формы напряжения на выходе макета МФ, полученные при моделировании без учета (- -) и с учетом (• •) изменения потерь и измерении (--) для T = -50 (а), 25 (б), 150 °С (в) Таким образом, в работе представлена оценка влияния температуры на временной отклик МФ на основе МПЛ с двумя боковыми проводниками, заземленными на концах. Оценка выполнена по результатам квазистатического моделирования с учетом температурной модели в системе TALGAT и измерения изготовленного макета МФ с помощью камеры тепла-холода ESPEC SU-262. Представлены результаты моделирования без учета потерь, с учетом потерь и измерения при температурах -50, 25 и 150 °С. Выполнена количественная оценка отклонений задержки и амплитуды напряжения, показавшая согласованность результатов моделирования и измерения. Результаты работы могут быть полезны для проектирования помехозащитных линий передачи на печатных платах, используемых при разных климатических условиях.
Ключевые слова
временной отклик,
микрополосковая линия,
модальный фильтр,
печатная плата,
сверхкороткий импульс,
температураАвторы
Сагиева Индира Ериковна | Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники | к.т.н., мл. науч. сотр. научно-исследовательской лаборатории «Фундаментальные исследования по электромагнитной совместимости» ТУСУРа | indira_sagieva@mail.ru |
Нурхан Бахтияр Елжасулы | Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники | магистрант, инженер научно-исследовательской лаборатории «Фундаментальные исследования по электромагнитной совместимости» ТУСУРа | nurkhan.bakhtiyar@mail.ru |
Газизов Тальгат Рашитович | Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники | д.т.н., ведущ. науч. сотр. научно-исследовательской лаборатории «Фундаментальные исследования по электромагнитной совместимости» ТУСУРа | talgat@tu.tusur.ru |
Всего: 3
Ссылки
Zhang Y., Bagnoli P.E. // Microelectron. J. - 2014. - No. 45(8). - P. 1033-1052.
Li H.-M., Ra C.-H. //j. Korean Phys. Soc. - March 2009. - No. 3. - P. 1096-1099.
Yadav R.K., Kishor J., Lal R.Y. // Int. J.Networks Commun. - 2013. - No. 3(1). - P. 21-24.
Vikram S., Devendra S.K., Singh Y., Dhubkarya D.C. // Proc.Int. Multiconference of Engineers and Computer Scientists. Hong Kong, March 17-19, 2010. - 2010. - P. 1-4.
Maloratsky L.G.// High Frequency Electron. - 2011. - V. 10. - No. 5. - P. 38-52.
Maloratsky L.G.// Microwaves & RF. - 2000. - P. 79-88.
Gazizov T.R., Sagiyeva I.Y., Kuksenko S.P. // Complexity. - 2019. - V. 2019. - P. 1-11.
Нурхан Б.Е. Сагиева И.Е. // Междунар. науч.-технич. конф. студентов, аспирантов и молодых ученых «Научная сессия ТУСУР-2021» «Электронные средства и системы управления». Томск, Россия, 18-20 ноября 2020 г. - Томск, 2020. - Ч. 1. - С. 310-312.
Belousov A.O., Zabolotsky A.M., Gazizov T.T. // 18th Int. Conf. of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices EDM. Erlagol, Altai, June 29-July 3, 2017. - 2017. - P. 46-49.
Chernikova E.B.//j. Phys.: Conf. Ser. - 2021. - V. 1862. - No. 012020. - P. 1-5.
Belousov A.O., Chernikova E.B., Khazhibekov R.R., Zabolotsky A.M. //j. Phys.: Conf. Ser. [Electronic resources]. - 2018. - V. 1015. - No. 3. - P. 1-5.
Samoylichenko M.A.// 21st Int. Conf. of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices EDM. Erlagol, Altai, June 29 - July 3, 2020. - 2020. - P. 159-164.
Kuksenko S.P. // IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. - 2019. - P. 1-7.
Sagiyeva I.Y., Nosov A.V., Surovtsev R.S. // 21st Int. Conf. of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices EDM. Erlagol, Altai, June 29- July 3, 2020. - 2020. - P. 191-194.
Новотник М. // Технологии в электронной промышленности. - 2009. - № 8. - С. 51-55.