Влияние прямоугольных алюминиевых наноантенн на оптическое излучение множественных квантовых ям GeSiSn/Si | Известия вузов. Физика. 2025. № 7. DOI: 10.17223/00213411/68/7/12

Влияние прямоугольных алюминиевых наноантенн на оптическое излучение множественных квантовых ям GeSiSn/Si

Методами ИК-фурье-спектроскопии отражения и анизотропного отражения определены спектральные положения локализованного поверхностного плазмонного резонанса в массивах алюминиевых наноантенн прямоугольной формы, сформированных на поверхности излучающих гетероструктур с квантовыми ямами GeSiSn/Si. Показано, что взаимодействие наноантенн с оптическим излучением GeSiSn/Si приводит к его частичной поляризации. Также продемонстрировано усиление интенсивности фотолюминесценции гетероструктур, которое зависит от спектрального совпадения диапазонов излучения множественных квантовых ям и локализованного поверхностного плазмонного резонанса в наноантеннах.

Скачать электронную версию публикации

Загружен, раз: 3

Ключевые слова

гетероструктуры, локализованный поверхностный плазмонный резонанс, GeSiSn, фурье-спектроскопия, отражение, анизотропное отражение, фотолюминесценция

Авторы

ФИО	Организация	Дополнительно	E-mail
Хахулин Семён Андреевич	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»	ассистент кафедры микро- и наноэлектроники	khsmn@ya.ru
Коляда Дмитрий Владимирович	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»	мл. науч. сотр. кафедры микро- и наноэлектроники	kolyada.dima94@mail.ru
Фирсов Дмитрий Дмитриевич	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»	к.ф.-м.н., доцент кафедры микро- и наноэлектроники	d.d.firsov@gmail.com
Комков Олег Сергеевич	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»	к.ф.-м.н., зав. кафедрой микро- и наноэлектроники	okomkov@yahoo.com
Тимофеев Вячеслав Алексеевич	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН	к.ф.-м.н., ст. науч. сотр.	Vyacheslav.t@isp.nsc.ru
Скворцов Илья Владимирович	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН	мл. науч. сотр.	i.skvortsov@isp.nsc.ru
Машанов Владимир Иванович	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН	к.ф.-м.н., ст. науч. сотр.	mash@isp.nsc.ru
Гайдук Алексей Евгеньевич	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН	к.ф.-м.н., науч. сотр.	agff2008@yandex.ru
Уткин Дмитрий Евгеньевич	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет	мл. науч. сотр.; науч. сотр.	utkinde@isp.nsc.ru

Всего: 9

Ссылки

Siew S.Y., Li B., Gao F., et al. // J. Lightwave Technol. - 2021. - V. 39. - P. 4374.

Timofeev V., Nikiforov A., Yakimov A., et al. // Semicond. Sci. Technol. - 2018. - V. 34. - No. 1. - P. 014001. - DOI: 10.1088/1361-6641/aaec3c.

Xu C., Senaratne C.L., Kouvetakis J., Menéndez J. // Solid-State Electron. - 2015. - V. 110. - P. 76. - DOI: 10.1016/j.sse.2015.01.015.

Timofeev V.A., Skvortsov I.V., Mashanov V.I., et al. // Appl. Surf. Sci. - 2024. - V. 659. - P. 159852. - DOI: 10.1016/j.apsusc.2024.159852.

Maeda S., Ishiyama T., Nishida T., et al. // ACS Appl. Mater.Interfac. - 2022. - V. 14. - No. 49. - P. 54848. - DOI: 10.1021/acsami.2c14785.

Ma L., Yu P., Wang W., et al. // Laser Photon. Rev. - 2021. - V. 15. - No. 5. - P. 2000367. - DOI: 10.1002/lpor.202000367.

Hutter E., Fendler J.H. // Adv. Mater. - 2004. - V. 16. - No. 19. - P. 1685. - DOI: 10.1002/adma.200400271.

Timofeev V., Nikiforov A., Tuktamyshev A., et al. // Nanoscale Res. Lett. - 2018 - V. 13. - P. 29. - DOI: 10.1186/s11671-017-2429-6.

Timofeev V., Skvortsov I., Mashanov V., et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. - 2024. - V. 42. - No. 8. - P. 030601. - DOI: 10.1116/6.0003557.

Firsov D.D., Khakhulin S.A., Komkov O.S. // Appl. Spectrosc. - 2023. - V. 77. - No. 5. - P. 470. - DOI: 10.1177/00037028231153421.

Lecarme O., Sun Q., Ueno K., Misawa H. // ACS Photonics. - 2014. - V. 1. - No. 6. - P. 538. - DOI: 10.1021/ph500096q.

Giannini V., Fernández-Domínguez A.I., Heck S.C., Maier S.A. // Chem. Rev. - 2011. - V. 111. - No. 6. - P. 3888. - DOI: 10.1021/cr1002672.

Bakker R.M., Drachev V.P., Liu Z., et al. // New J. Phys. - 2008. - V. 10. - No. 12. - P. 125022. - DOI: 10.1088/1367-2630/10/12/125022.

Ren M., Chen M., Wu W., et al. // Nano Lett. - 2015. - V. 15. - No. 5. - P. 2951. - DOI: 10.1021/nl5047973.

Mertens H., Polman A. // Appl. Phys. Lett. - 2006. - V. 89. - No. 21. - P. 211107. - DOI: 10.1063/1.2392827.