Фазообразование, инициированное облучением интенсивным импульсным электронным пучком системы пленка (Si) - (Ст. 3) подложка
Установлены физические закономерности формирования фазового состава и дефектной субструктуры находящегося в слабоустойчивом состоянии поверхностного сплава, сформированного в результате облучения интенсивным импульсным электронным пучком системы пленка (Si) - (Ст. 3) подложка. Выявлено формирование многофазного субмикро- и нанокристаллического слоя. Показано, что облучение металлов и сплавов интенсивным импульсным электронным пучком в режиме плавления поверхностного слоя и последующей высокоскоростной кристаллизации часто приводит к образованию локальных слабоустойчивых областей, в которых проявляется тенденция к образованию метастабильных наноструктурных состояний вплоть до аморфизации материала. Выявлен режим обработки, позволяющий повысить микротвердость материала примерно в 3 раза и увеличить износостойкость в 7.5 раз.
Phase formation initiated by irradiation by intensive pulse electron beam system "film (Si) / (Fe) substrate".pdf Введение Разработка новых материалов и технологии их получения является объективной необходимостью развития общества. В ближайшие 20 лет 90 % современных материалов будут заменены принципиально новыми, что приведет к технической революции практически во всех отраслях промышленности [1]. Среди различных видов современных материалов особое место занимают бинарные системы металл - кремний, в которых существует ряд силицидов металлов. Перспективным направлением формирования силицидов в поверхностном слое металлической подложки является облучение системы пленка - подложка интенсивным импульсным электронным пучком [2-7]. Облучение интенсивным импульсным электронным пучком в режиме плавления поверхностного слоя системы пленка - подложка с последующим сверхбыстрым охлаждением создает предпосылки формирования многофазного поверхностного слоя с метастабильными фазами. Особенность такого структурно-фазового состояния материала проявляется, как правило, в наличии специфических физико-механических свойств. Облучение интенсивным импульсным электронным пучком в режиме плавления поверхностного слоя является одним из наиболее жестких видов внешнего воздействия на материал поверхностного слоя. Это часто приводит к возникновению гетерогенной структуры поверхностного слоя вследствие образования структурных дефектов, аморфной фазы, химических соединений и т.п., где исходный материал является матрицей. Материал в микрообъёмах испытывает импульсные высокие тепловые и механические нагрузки, т.е. находится в условиях термосилового циклирования. Металл в таких микрообъёмах находится в слабоустойчивом состоянии [8-16], атомы в этих областях испытывают колебания с большей амплитудой в сравнении с амплитудой атомов из глубин образца. Структура материала такого микрообъёма не может быть определена в момент облучения интенсивным импульсным электронным пучком. Температурные вспышки в этих микрообъёмах, повышение средней температуры, возникновение градиентов температуры или концентрации, механических напряжений в поверхностном слое способствует переводу кристаллической решётки одной или нескольких фаз поверхностного слоя в слабоустойчивое состояние с возможностью фазового перехода. Это может проявиться, например, в виде появления микрообъёмов в аморфном состоянии. Релаксация напряжений в аморфизированных микрообъёмах, как правило, происходит в виде образования трещины при простых видах нагружения. Однако в условиях облучения интенсивным импульсным электронным пучком в режиме плавления коэффициент диффузии в поверхностном слое близок к коэффициенту диффузии жидкости, поэтому естественно ожидать релаксацию напряжений в виде фазового перехода аморфной фазы в вязкую жидкость или путём образования ряда фаз в результате массопереноса. Целью работы является установление физических закономерностей формирования фазового состава и дефектной субструктуры поверхностного сплава, сформированного в результате облучения интенсивным импульсным электронным пучком системы пленка (Si) - (Ст. 3) подложка и находящегося в слабоустойчивом состоянии. Материал и методики исследования Материалом исследования являлся поверхностный сплав состава Fe-C-Si, сформированный в результате высокоскоростного плавления системы пленка (Si) - (Ст. 3) подложка. В качестве подложки были использованы предварительно полированные образцы стали Ст. 3 [17], имеющие форму цилиндра диаметром 15 мм и толщиной 10 мм. Нанесение плёнки кремния на поверхность образцов стали Ст. 3 и последующую импульсную электронно-пучковую обработку проводили в едином вакуумном цикле на установке «СОЛО» (ИСЭ СО РАН) [18]. Формирование системы пленка - подложка осуществляли путем осаждения на образцы стали плазмы, полученной при распылении импульсным электронным пучком плоской мишени размерами 20205 мм из поликристаллического кремния, расположенной на поверхности стола манипулятора. Образцы стали, расположенные на расстоянии ≈50 мм от мишени, крепились к плоской пластине, установленной на валу шагового двигателя, расположенного над поверхностью стола для возможности поворота обрабатываемой поверхности образцов к электронному пучку или к мишени между процессами напыления и перемешивания. Все процессы проводились в вакуумированной камере при остаточном давлении напускаемого рабочего газа (Ar) 3.5•10-2 Па. Толщина формируемой пленки кремния составляла 450-500 нм. Обработку системы пленка (Si) - (Ст. 3) подложка осуществляли интенсивным импульсным электронным пучком в режиме плавления поверхностного слоя стали при следующих параметрах пучка электронов: энергия ускоренных электронов 17 кэВ; плотность энергии пучка электронов ES = 30, 40 и 50 Дж/см2; длительность импульса пучка электронов τ = 50 и 200 мкс; количество импульсов - 10; частота следования импульсов - 0.3 с-1. Выбор параметров облучения системы пленка - подложка осуществлялся на основании моделирования температурного поля, формирующегося в материале при облучении интенсивным импульсным электронным пучком [19, 20]. Исследования элементного и фазового состава, состояния дефектной субструктуры проводили методами сканирующей электронной микроскопии (прибор Philips SEM-515 с микроанализатором EDAX ECON IV) и просвечивающей дифракционной электронной микроскопии (приборы JEOL JEM-2100 F и ЭМ125), рентгеноструктурного анализа (рентгеновский дифрактометр Shimadzu XRD 6000). Свойства материала характеризовали твердостью (прибор ПМТ 3, нагрузка на индентор 0.5 Н). Трибологические исследования (определение износостойкости и коэффициента трения) проводили на трибометре Pin on Disc and Oscillating TRIBOtester (TRIBOtechnic, Франция) при следующих параметрах: шарик из стали ШХ15 диаметром 6 мм, радиус трека - 4 мм, нагрузка на индентор и длина трека варьировались в зависимости от уровня износостойкости исследуемого материала. Результаты исследования и их обсуждение Выполнены механические (определена микротвердость) и трибологические (определен параметр износа (величина, обратная износостойкости) и коэффициент трения) испытания образцов стали Ст. 3 и поверхностного слоя системы пленка (Si) - (сталь Ст. 3) в исходном состоянии и после облучения интенсивным импульсным электронным пучком. Показано, что наиболее высокие механические и трибологические свойства модифицированного слоя стали формируются при облучении системы пленка (Si) - (сталь Ст. 3) подложка электронным пучком с плотностью энергии пучка ES = 30 Дж/см2. Микротвердость сформированного слоя составляет 5480 МПа, т.е. превышает микротвердость стали Ст. 3 (HV = 1880 МПа) примерно в 3 раза. Параметр износа сформированного слоя составляет 2.010-5 мм3/(Нм), что меньше параметра износа стали Ст. 3 (1510-5 мм3/(Нм)) в 7.5 раза. Коэффициент трения модифицированного слоя стали близок к коэффициенту трения стали Ст. 3 и изменяется в пределах от ≈ 0.44 (сталь Ст. 3 в исходном состоянии) до ≈ 0.45 (модифицированное состояние). Осуществлено тестирование сформированной системы пленка - подложка. Методами просвечивающей дифракционной электронной микроскопии установлено, что пленка кремния находится в аморфном состоянии (рис. 1, а, б). Поверхностный слой сформированной системы пленка - подложка примесных элементов (в пределах чувствительности микроанализатора EDAX ECON IV) не содержит (рис. 1, в). Рис. 1. Электронно-микроскопическое изображение структуры пленки кремния, сформированной путём распыления кремниевой мишени импульсным интенсивным электронным пучком (а, б); в - энергетические спектры, полученные с системы пленка (Si) - (Ст. 3) подложка Облучение системы пленка (Si) - (Ст. 3) подложка интенсивным импульсным электронным пучком сопровождается плавлением тонкого поверхностного слоя. Последующее высокоскоростное охлаждение приводит к формированию в поверхностном слое структуры ячеистой кристаллизации (рис. 2, а). Ячейки имеют округлую форму, размеры ячеек изменяются в пределах 0.2- 0.65 мкм. Поверхностный слой облученных образцов имеет рельеф, характерный для материала, претерпевшего мартенситное превращение (рис. 2, б). Рис. 2. Электронно-микроскопическое изображение структуры поверхности системы пленка (Si) - (Ст. 3) подложка, обработанной интенсивным импульсным электронным пучком (30 Дж/см2; 200 мкс; 10 имп.). Сканирующая электронная микроскопия Элементный состав поверхностного слоя системы пленка (Si) - (Ст. 3) подложка, облученной интенсивным импульсным электронным пучком, определяли методами микрорентгеноспектрального анализа. Установлено, что увеличение длительности импульса пучка электронов в интервале значений 50-200 мкс при неизменной величине плотности энергии пучка электронов и количестве импульсов (30 Дж/см2, 10 имп.) сопровождается незначительным ростом концентрации кремния в поверхностном слое стали от 3.3 ат. % при τ = 50 мкс до 3.8 ат. % при τ = 200 мкс. Двойная обработка системы пленка (Si) - (Ст. 3) подложка электронным пучком по схеме (30 Дж/см2, 200 мкс, 10 имп.) + (30 Дж/см2, 50 мкс, 10 имп.) сопровождается снижением концентрации кремния в поверхностном слое стали до 1.8 ат. %. Учитывая, что концентрация кремния в системе пленка (Si) - (сталь Ст. 3) подложка до обработки электронным пучком составляла 47 ат. %, можно предположить, что снижение концентрации кремния в поверхностном слое стали обусловлено увеличением толщины поверхностного слоя образца, легированного кремнием (не исключено разрушение пленки и ее удаление с поверхности образца при облучении электронным пучком). Анализ равновесной диаграммы состояния Fe-Si, а также диаграмм Fe-С, Si-С (учитывая присутствие в стали марки Ст. 3 небольшой (0.14-0.22 вес. %) концентрации углерода) и Fe-Si-С (рис. 3) указывает на возможное образование следующих соединений: в системе Fe-C - двух стабильных карбидов Fe3C и Fe7C3 и как минимум одного метастабильного Fe2C; в системе Si-С установлено существование только одного соединения SiC; в системе Fe-Si - пяти интерметаллических соединений Fe2Si(), Fe5Si3(), FeSi(), FeSi2(h) и FeSi2(r) (рис. 3). Рис. 3. Бинарные диаграммы состояний систем Fe-Si, Si-C и Si-C [3] и изотермическое сечение тройной системы Fe-Si-C при температуре 850 C [19] Исследования фазового состава системы пленка (Si) - (Ст. 3) подложка, облученной интенсивным импульсным электронным пучком, выполненные методами рентгеноструктурного анализа, выявили присутствие только лишь твердого раствора на основе α-Fe (ОЦК-кристаллическая решетка). Отсутствие карбидов и силицидов в исследуемом материале может быть обусловлено сверхвысокой скоростью охлаждения материала, реализующейся при облучении интенсивным импульсным электронным пучком, малым количеством фаз (ниже порога чувствительности прибора), малыми (нанометрическими) размерами частиц. Анализ дефектной субструктуры и выявление наноразмерных частиц вторых фаз в модифицированном слое стали осуществляли методами просвечивающей электронной дифракционной микроскопии тонких фольг. Установлено, что тонкий (1-3 мкм) поверхностный слой модифицированной стали находится в слабоустойчивом состоянии: имеет структуру высокоскоростной ячеистой кристаллизации (рис. 4, а). Данный слой переходит в объем материала с закалочной структурой, представленной мартенситом преимущественно пакетной морфологии (рис. 4, б). Рис. 4. Электронно-микроскопическое изображение структуры поверхностного слоя системы пленка (Si) - (Ст. 3) подложка, облученной интенсивным импульсным электронным пучком (30 Дж/см2, 200 мкс, 10 имп.) Анализ микроэлектронограмм, полученных с исследуемого, находящегося в слабоустойчивом состоянии слоя, позволил выявить рефлексы следующих фаз: SiC, Fe3C, Fe8Si2C, FeSi. Включения интерметаллида FeSi обнаруживаются в структуре ячеистой кристаллизации модифицированного слоя (рис. 5). Размеры частиц изменяются в пределах сотни нанометров. Рис. 5. Электронно-микроскопическое изображение структуры стали Ст. 3, подвергнутой легированию путем обработки системы пленка (Si) - (Ст. 3) подложка интенсивным импульсным электронным пучком ((30 Дж/см2, 200 мкс, 10 имп.) + (30 Дж/см2, 50 мкс, 10 имп.)): а - светлое поле; б - темное поле, полученное в рефлексе [111]FeSi + [110]α-Fe; в - микроэлектронограмма. Стрелками указано: а, б - частицы FeSi; в - рефлексы, в которых получено темное поле (б) Частицы карбида железа (цементит) выявляются, преимущественно, в объеме и на границах кристаллов мартенсита, т.е. в подповерхностном слое. Карбиды кремния и карбосилициды железа обнаруживаются как в слое ячеистой кристаллизации, так и в слое, закаленном с образованием мартенситной структуры. Размеры частиц карбидной фазы изменяются в интервале 10-20 нм (рис. 6). Следует отметить, что облучение металлов и сплавов интенсивным импульсным электронным пучком в режиме плавления поверхностного слоя и последующей высокоскоростной кристаллизации часто приводит к образованию локальных слабоустойчивых областей, в которых проявляется тенденция к образованию метастабильных наноструктурных состояний вплоть до аморфизации материала [20]. Рис. 6. Электронно-микроскопическое изображение структуры стали Ст. 3, подвергнутой легированию путем обработки системы пленка (Si) - (Ст. 3) подложка интенсивным импульсным электронным пучком (30 Дж/см2, 200 мкс, 10 имп.): а - светлое поле; б - темное поле, полученное в рефлексе [200]SiС + [110]α-Fe; в - микроэлектронограмма. Стрелками указано: а, б - частицы SiС; в - рефлексы, в которых получено темное поле (б) Выводы Осуществлено поверхностное легирование стали марки Ст. 3 кремнием путем плавления системы пленка (Si) - (Ст. 3) подложка интенсивным импульсным электронным пучком. Выявлены режимы облучения, позволяющие кратно увеличить микротвердость и износостойкость поверхностного слоя стали, что обусловлено формированием закалочной структуры, упрочненной наноразмерными частицами силицидов железа, карбида кремния, карбидов и карбосилицидов железа. Показано, что облучение металлов и сплавов интенсивным импульсным электронным пучком в режиме плавления поверхностного слоя и последующей высокоскоростной кристаллизации часто приводит к образованию локальных слабоустойчивых областей, в которых проявляется тенденция к образованию метастабильных наноструктурных состояний вплоть до аморфизации материала. Разработанная методика может быть использована для формирования на поверхности деталей и изделий многоэлементных многофазных слоев с субмикро- и нанокристаллической структурой, обладающих высокими прочностными и трибологическими свойствами.
Ключевые слова
low-stability states,
electron beam,
properties,
phase composition,
structure,
system "film / substrate",
электронный пучок,
свойства,
слабоустойчивые состояния,
фазовый состав,
структура,
система пленка - подложкаАвторы
Иванов Юрий Федорович | Институт сильноточной электроники СО РАН | д.ф.-м.н., гл. науч. сотр. | yufi55@mail.ru |
Потекаев Александр Иванович | Национальный исследовательский Томский государственный университет; Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета | д.ф.-м.н., профессор, профессор ТГУ, директор СФТИ ТГУ | potekaev@spti.tsu.ru |
Тересов Антон Дмитриевич | Институт сильноточной электроники СО РАН | науч. сотр. | tad514@sibmail.com |
Петрикова Елизавета Алексеевна | Институт сильноточной электроники СО РАН | мл. науч. сотр. | elizmarkova@yahoo.com |
Клопотов Анатолий Анатольевич | Национальный исследовательский Томский государственный университет; Томский государственный архитектурно-строительный университет | д.ф.-м.н., профессор, ст. науч. сотр. СФТИ ТГУ, профессор ТГАСУ | klopotovaa@tsuab.ru |
Иванова Ольга Викторовна | Томский государственный архитектурно-строительный университет | к.ф.-м.н., доцент, доцент | ivaov2017.ivanova@yandex.ru |
Шубин Андрей Юрьевич | Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета | к.т.н., инженер-исследователь | kanc@spti.tsu.ru |
Всего: 7
Ссылки
Schiepers R.C.J., van Loo F.J.J., and de With G. // J. Am. Ceram. Soc. - 1988. - V. 71(6). - Р. 284- 287.
Rotshtein V., Ivanov Yu., and Markov A. // Materials Surface Processing by Directed Energy Techniques / ed. by Y. Pauleau. - Elsevier, 2006. - Ch. 6. - P. 205-240.
Потекаев А.И., Чаплыгина А.А., Чаплыгин П.А. и др. // Изв. вузов. Физика. - 2018. - Т. 61. - № 3. - С. 12-27.
ГОСТ 380-2005. Сталь углеродистая обыкновенного качества. Марки. - М.: Стандартинформ, 2009.
Эволюция структуры поверхностного слоя стали, подвергнутой электронно-ионно-плазменным методам обработки / под общ. ред. Н.Н. Коваля и Ю.Ф. Иванова. - Томск: Изд-во НТЛ, 2016. - 304 с.
Потекаев А.И., Чаплыгина А.А., Чаплыгин П.А. и др. // Изв. вузов. Физика. - 2017. - Т. 60. - № 10. - С. 115-124.
Потекаев А.И., Чаплыгина А.А., Чаплыгин П.А. и др. // Изв. вузов. Физика. - 2017. - Т. 60. - № 9. - С. 118-126.
Потекаев А.И., Чаплыгина А.А., Кулагина В.В. и др. // Изв. вузов. Физика. - 2016. - Т. 59. - № 10. - С. 13-22.
Потекаев А.И., Морозов М.М., Клопотов А.А. и др. // Изв. вузов. Черная металлургия. - 2015. - Т. 58. - № 8. - С. 589-596.
Потекаев А.И., Чаплыгина А.А., Кулагина В.В. и др. // Изв. вузов. Физика. - 2017. - Т. 60. - № 2. - С. 16-26.
Чаплыгина А.А., Потекаев А.И., Чаплыгин П.А. и др. // Изв. вузов. Физика. - 2016. - Т. 59. - № 5. - С. 3-8.
Конева Н.А., Тришкина Л.И., Потекаев А.И., Козлов Э.В. Структурно-фазовые превращения в слабоустойчивых состояниях металлических систем при термосиловом взаимодействии / под общ. ред. А.И. Потекаева. - Томск: Изд-во НТЛ, 2015. - 344 с.
Потекаев А.И., Старостенков М.Д., Кулагина В.В. Влияние точечных и планарных дефектов на структурно-фазовые превращения в предпереходной слабоустойчивой области металлических систем / под общ. ред. А.И. Потекаева. - Томск: Изд-во НТЛ, 2014. - 488 с.
Иванов Ю.Ф., Тересов А.Д., Петрикова Е.А. и др. // Изв. вузов. Физика. - 2017. - Т. 60. - № 3. - С. 122-128.
Иванов Ю.Ф., Шугуров В.В., Крысина О.В. и др. // Изв. вузов. Физика. - 2017. - Т. 60. - № 5. - С. 118-125.
Иванов Ю.Ф., Клопотов А.А., Потекаев А.И. и др. // Изв. вузов. Физика. - 2017. - Т. 60. - № 1. - С. 150-155.
Черенда Н.Н., Шиманский В.И., Углов В.В. и др. // Перспективные материалы. - 2012. - № 3. - С. 16-23.
Иванов Ю.Ф., Хасанов О.Л., Пайгин В.Д. и др. // Изв. вузов. Физика. - 2017. - Т. 60. - № 10/2. - С. 54-61.
Тересов А.Д., Иванов Ю.Ф., Петрикова Е.А. и др. // Изв. вузов. Физика. - 2017. - Т. 60. - № 10/2. - С. 99-104.
Новые материалы. Колл. авторов / под науч. ред. Ю.С. Карабасова. - М.: МИСиС, 2002. - 736 с.