Импеданс МДП-приборов на основе nBn-структур из теллурида кадмия - ртути | Известия вузов. Физика. 2020. № 6. DOI: 10.17223/00213411/63/6/8

Импеданс МДП-приборов на основе nBn-структур из теллурида кадмия - ртути

Изготовлены три вида nBn -структур на основе теллурида кадмия - ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В качестве барьерных слоев в nBn -структурах использовался Hg1-x Cd x Te при x = 0.67 и 0.84, а также сверхрешетка из 18 периодов Hg0.20Cd0.80Te (9 нм) - HgTe (2 нм). Для изучения свойств барьерных слоев на основе nBn -структур создавались МДП-приборы с использованием диэлектрических пленок Al2O3. Импеданс сформированных приборов исследован в широком диапазоне напряжений, частот и температур. Предложены эквивалентные схемы МДП-приборов на основе nBn -структур в режиме обогащения. Показано, что измерения частотных зависимостей импеданса позволяют определить значения дифференциального сопротивления барьерного слоя в широком диапазоне условий. Установлено, что определяемые значения дифференциального сопротивления определяются только объемной компонентой темнового тока, а компонента поверхностной утечки не оказывает влияния на измеряемый импеданс МДП-приборов. Определены зависимости значений элементов эквивалентной схемы от площади структур, напряжения и температуры. Показано, что значения дифференциального сопротивления барьерного слоя на основе Hg0.33Cd0.67Te в диапазоне температур 210-300 К при прямых смещениях определяются диффузионно-ограниченным потоком дырок из контактного слоя, а при обратных смещениях - из поглощающего слоя. Определены значения произведения дифференциального сопротивления на площадь для nBn -структур с различными параметрами барьерных слоев. Продемонстрированы возможности использования измерений импеданса МДП-приборов на основе nBn -структур для изучения однородности свойств различных слоев.

Impedance of MIS devices based on nBn structures from mercury cadmium telluride.pdf Введение Полупроводниковый твердый раствор теллурида кадмия - ртути (HgCdTe, Hg1-xCdxTe) широко применяется для создания высокочувствительных детекторов инфракрасного диапазона [1]. Благоприятные фундаментальные свойства обеспечивают доминирование HgCdTe при создании детекторов для спектрального диапазона 8-12 мкм (LWIR) и позволяют этому материалу выдерживать конкуренцию со стороны материалов группы III-V в спектральном диапазоне 3-5 мкм (MWIR) [2]. Согласно теоретическим прогнозам, HgCdTe является перспективным материалом для разработки фотоприемных устройств III поколения [3, 4]. Для практической реализации фундаментальных преимуществ HgCdTe необходимо высокое качество материала, для достижения которого используются достаточно сложные технологические процедуры. В частности, при создании матриц фотодиодов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), для формирования p-n-перехода применяется ионная имплантация с последующим отжигом радиационных дефектов [5, 6]. При исключении из технологических циклов процедуры ионной имплантации можно добиться существенного снижения стоимости инфракрасных детекторов, что будет способствовать расширению областей применения таких приборов. Новые возможности для решения проблемы дефектообразования в МЛЭ HgCdTe при имплантации открываются при практическом использовании архитектур униполярных барьерных детекторов (например, в nBn-конфигурации [7]). При использовании nBn-архитек¬туры можно добиться подавления токов поверхностной утечки и токов генерации Шокли - Рида - Холла, что позволяет повысить рабочую температуру детекторов, если их пороговые свойства ограничены этими компонентами темнового тока. Наибольшие успехи пока достигнуты при создании униполярных барьерных детекторов на основе материалов III-V [8-11], что обусловлено возможностями изготовления на основе таких материалов приборов с отсутствием барьера для фотоносителей. Кроме этого, для детекторов на основе этих материалов подавление процессов Шокли - Рида - Холла обеспечивает снижение значений суммарного темнового тока. Для качественных фотодиодов на основе МЛЭ HgCdTe рабочая температура ограничена оже-процессами, но использование nBn-архитектуры для МЛЭ HgCdTe предоставляет значительные преимущества из-за возможности обеспечения сравнимых пороговых характеристик при более простой технологии. Возможности создания nBn-детекторов на основе HgCdTe теоретически изучались в работах нескольких научных групп [12-16], но успехи в практической реализации таких приборов пока ограничены [17-19]. Первые созданные nBn-детекторы на основе МЛЭ HgCdTe имели большие значения темновых токов, ограниченные компонентой поверхностной утечки [17]. Лучшие характеристики имели барьерные детекторы на основе HgCdTe, выращенного при помощи осаждения металлоорганических соединений из газовой фазы - MOCVD [20, 21]. Значения темнового тока для MWIR-детекторов на основе MOCVD HgCdTe [20] при высоких температурах не уступали значениям, рассчитанным согласно эмпирической модели Rule07 [22]. Достоинства изготовления униполярных барьерных детекторов на основе MOCVD HgCdTe менее очевидны, поскольку при использовании этой технологии качественные слои дырочного типа проводимости могут быть получены без ионной имплантации и отжига. В 2019 г. были представлены результаты измерения темновых токов в MWIR nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом МЛЭ на подложках из GaAs(013) [23, 24]. При использовании пассивации диэлектрическими пленками Al2O3 для части nBn-структур с барьерными слоями на основе Hg0.16Cd0.84Te наблюдался диффузионно-ограни¬ченный темновой ток в диапазоне температур от 180 до 300 К [24]. Согласно расчетам, для обеспечения максимальных значений обнаружительной способности MWIR nBn-детекторов состав в барьерном слое должен принимать меньшие значения (0.6-0.7) [18, 25], но в таких структурах доминировали токи поверхностной утечки [23]. Для создания эффективных барьерных детекторов на основе МЛЭ HgCdTe необходимо проведение детального изучения свойств реальных nBn-структур, что требует использования разнообразных экспериментальных методик. Надежным и информативным методом изучения свойств различных полупроводниковых структур являются измерения адмиттанса (или импеданса), но известно небольшое число попыток применения этого метода при исследованиях nBn-структур [26- 30]. Недавно сообщалось о возможностях изучения свойств различных слоев в nBn-структурах на основе HgCdTe путем измерения адмиттанса тестовых МДП-приборов, изготовленных на основе таких структур [30, 31]. В данной работе представлены результаты изучения в широком диапазоне условий импеданса МДП-приборов на основе MWIR nBn-структур из МЛЭ HgCdTe. Исследован импеданс nBn-структур с барьерными слоями на основе широкозонного Hg1-xCdxTe при x = 0.67 и 0.84, а также при использовании в качестве барьерного слоя сверхрешетки Hg0.20Cd0.80Te - HgTe. Образцы и методики измерений Пленки n-Hg1-xCdxTe для изготовления nBn-структур были выращены в ИФП СО РАН (г. Новосибирск) методом МЛЭ на подложках из GaAs(013). Скорость эпитаксиального выращивания находилась в диапазоне от 1.5 до 1.7 мкм/ч. Сверху подложки наносились буферные слои из ZnTe (50 нм) и CdTe (5 мкм) и варизонный слой HgCdTe, в котором состав изменялся от 0.78-0.83 до состава поглощающего слоя. Рабочая область пленки содержала поглощающий, барьерный и контактный слои из n-HgCdTe. Схема расположения слоев в рабочей области nBn-структур показана на рис. 1. В процессе выращивания рабочая область легировалась донорной примесью индия. Были изготовлены nBn-структуры трех типов, которые различались параметрами слоев в рабочей области. Некоторые параметры слоев в рабочей области nBn-структур приведены в табл. 1, где x - состав, Nd - концентрация примеси индия, d - толщина слоя. В структурах № 1 и 2 в качестве барьерного слоя использовался n-Hg1-xCdxTe при x = 0.67 и 0.84 соответственно. Для структуры № 3 в качестве барьерного слоя использовалась сверхрешетка из 18 периодов Hg0.20Cd0.80Te - HgTe, причем толщины слоев Hg0.20Cd0.80Te составляли 9 нм, а слоев HgTe - 2 нм. На основе выращенных пленок изготавливались приборные nBn-структуры. Для формирования контактной рамки проводилось травление контактного и барьерного слоев HgCdTe до поглощающего слоя в 0.5 %-м растворе Br в HBr. Мезаструктуры, которые были необходимы для разделения различных элементов, были сформированы путем влажного травления. Для пассивации боковых и фронтальных стенок мезаструктур при температуре 120 °C методом плазменного атомно-слоевого осаждения (PE ALD) наносились пленки Al2O3 [32, 33]. При изготовлении nBn-структур перед формированием контактной рамки и фронтальных электродов проводилось травление пленок PE ALD Al2O3 с использованием смеси плавиковой кислоты и фтористого аммония. Электроды создавались с помощью термического напыления индия, причем температура образцов при этой процедуре не превышала 100 °С. Для каждого типа nBn-структур формировался массив элементов (рис. 2), причем диаметр мезаструктур в различных рядах изменялся от 20 до 500 мкм. Рис. 1. Схематическое изображение изготовленного МДП-прибора на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe. На вставке - фотография изготовленного образца Результаты исследований вольт-амперных характеристик (ВАХ) для аналогичных структур описаны в работе [23]. Для структуры № 1 с более узкозонным барьером (x = 0.67) темновой ток был ограничен компонентой поверхностной утечки. Для структуры № 2 с более широкозонным барьером (x = 0.84) в диапазоне температур от 180 до 300 К наблюдался диффузионно-ограниченный темновой ток [23, 24]. Результаты измерений ВАХ для образца № 3 приведены в работе [34]. Для исследований электрофизических свойств различных слоев на основе изготовленных nBn-структур различных типов создавались тестовые МДП-приборы в мезаконфи¬гурации [31]. При изготовлении МДП-при¬боров не проводилось травления диэлектрика PE ALD Al2O3 в области нанесения фронтальных электродов, которые формировались сверху диэлектрической пленки (рис. 1). Роль обратного электрода МДП-прибора выполняла контактная рамка, которая наносилась в областях травления HgCdTe до поглощающего слоя. Измерения импеданса тестовых МДП-приборов проводились на автоматизированной установке, основными элементами которой являлись неоптический криостат Janis, измеритель иммитанса Agilent E4980A и контроллер температуры Lake Shore. Измерения адмиттанса (или импеданса) проводились в диапазоне температур от 10 до 300 К. Напряжение смещения изменялось от -5 до 5 В, а частота - от 500 Гц до 2 МГц. Таблица 1 Технологические параметры гетероструктур № струк- туры Поглощающий слой Барьерный слой Контактный слой x Nd, см-3 d, мкм x Nd, см-3 d, мкм x Nd, см-3 d, мкм 1 0.29 3.811015 2.52 0.67 3.811015 0.12 0.33 3.811015 0.18 2 0.35 1.271015 3.34 0.84 1.271015 0.21 0.37 6.651016 1.02 3 0.33 2.401016 5.47 Сверхрешетка из 18 периодов Hg0.20Cd0.80Te - HgTe 0.32 3.321016 1.61 Основные соотношения для обработки экспериментальных данных приведены в работе [31]. Далее использованы следующие обозначения: C и G - емкость и проводимость МДП-прибора при использовании параллельной схемы замещения; G/ - приведенная проводимость МДП-прибора, равная отношению параллельной проводимости к круговой частоте тестового сигнала  ( = 2f, где f - частота тестового сигнала, Гц). Измеренные значения C и G могут быть использованы для расчета значений Cs и Rs при последовательной схеме замещения: , . Импеданс МДП-прибора может быть записан в следующем виде: , где Re Z и Im Z - действительная и мнимая части импеданса соответственно. При расчете частотных зависимостей импеданса в режиме обогащения использовались два типа эквивалентных схем (ЭС) 3RC и С-RC-R, в которых Rd и Cd - сопротивление и емкость диэлектрического слоя Al2O3, Rb и Cb - сопротивление и емкость барьерного слоя, Rbulk и Cbulk - сопротивление и емкость поглощающего слоя. При использовании ЭС 3RC можно записать следующие соотношения для действительной и мнимой частей импеданса МДП-прибора: , . Рис. 2. Эквивалентные схемы МДП-при¬бора на основе nBn-структуры в режиме обогащения При моделировании частотных зависимостей импеданса иногда можно использовать более простую ЭС С-RC-R, поскольку обычно сопротивление диэлектрика Rd очень велико (более 109 Ом), а емкость поглощающего слоя (Cbulk) для качественных структур очень мала. В этом случае можно воспользоваться упрощенными выражениями , . Приведенные ЭС строго верны только для режима обогащения МДП-прибора. В режимах обеднения и инверсии ЭС МДП-прибора на основе nBn-структуры несколько усложняются [31]. Проведенные исследования показали, что в первом приближении для интерпретации частотных зависимостей импеданса МДП-приборов в режимах обеднения и инверсии также можно использовать ЭС, показанные на рис. 2. В этом случае элементы Rd и Cd характеризуют не только свойства диэлектрического слоя PE ALD Al2O3, но и интегральные свойства диэлектрика и приповерхностной области контактного слоя. Значения элементов ЭС находились путем наилучшего совпадения экспериментальных частотных зависимостей импеданса МДП-приборов на основе nBn-струк¬тур и расчетных зависимостей. При нахождении значений элементов ЭС использовался пакет прикладных математических программ Scilab 5.5.2, в котором был реализован алгоритм Левенберга - Марквардта. Экспериментальные результаты и их обсуждение На рис. 3 символами показаны графики Коула - Коула для МДП-прибора на основе nBn-структуры № 2, построенные по результатам измерения частотных зависимостей импеданса при напряжении смещения 2 В и температуре 300 К. Диаметр мезаструктуры составлял 250 мкм, диаметр фронтального электрода - 230 мкм. Линиями показаны расчетные графики Коула - Коула при использовании ЭС 3RC и C-RC-R. Наилучшее совпадение результатов расчета и экспериментальных данных обеспечивается в случае использования ЭС 3RC при следующих значениях дополнительных элементов: Cd  34.1 пФ, Rb  295 кОм, Cb  16.2 пФ, Rbulk  571 кОм, Rd  440 МОм, Сd  0.057 пФ. При использовании ЭС C-RC-R расчетные графики Коула - Коула не совпадают с экспериментальным графиком на низких и высоких частотах. Значения элементов Cd, Rb, Cb и Rbulk, найденные в случае использования упрощенной ЭС (C-RC-R), практически совпадают со значениями, полученными для ЭС 3RC. Можно отметить, что наибольшая точность обеспечивается при определении значений емкости Cd и сопротивления Rb. Экспериментальные частотные зависимости импеданса структур № 1 и 3 хорошо согласуются с результатами расчета при использовании более простой ЭС (C-RС-R). Рис. 3. Экспериментальные (символы) и расчетные (кр. 1, 2) графики Коула - Коула МДП-прибора на основе nBn-структуры № 2 при температуре 300 К и напряжении 2 В. Расчет проводился согласно схемам 3RC (кр. 1) и модели С-RC-R (кр. 2) На рис. 4 показаны зависимости значений элементов ЭС для МДП-прибора на основе nBn-структуры № 2 от площади фронтального электрода (A), найденные по результатам измерения частотных зависимостей импеданса при температуре 300 К и напряжении 2 В. Видно, что емкости диэлектрического слоя Cd и барьерного слоя Cb почти линейно возрастают при увеличении площади A, что, например, для емкости диэлектрика легко объяснить с учетом выражения , где 0 - диэлектрическая проницаемость вакуума; I - относительная диэлектрическая проницаемость пленки Al2O3; d0 - толщина диэлектрической пленки Al2O3. Сопротивление барьерного слоя Rb уменьшается при увеличении площади A, а сопротивление поглощающего слоя Rbulk не показывает явной зависимости от площади фронтального электрода, поскольку зависит от проводимости поглощающего слоя и расположения фронтального электрода относительно контактной рамки, которая выполняет роль обратного электрода. Таким образом, по экспериментальным частотным зависимостям импеданса МДП-прибора можно достаточно точно определить значения дифференциального сопротивления барьерного слоя Rb, а также найти произведение этого сопротивления на площадь RbA. Значение RbA является важным параметром, который часто используется для характеристики свойства барьерной структуры [35-37]. Если построить зависимость величины 1/(RbA) от отношения периметра структуры к ее площади (P/A), то можно записать следующее выражение [37]: , где (RA)B - вклад объемной компоненты тока, Омсм2; RS - сопротивление поверхностной утечки, Омсм. Таким образом, по наклону зависимости можно найти сопротивление RS, а по пересечению зависимости с вертикальной осью - значение (RA)B. На рис. 5 приведены зависимости (RbA)-1 от отношения P/A, найденные из результатов измерения импеданса МДП-приборов на основе nBn-структур № 1-3 при температуре 300 К и напряжении 2 В. Рис. 4. Зависимость значений сопротивлений барьерного слоя (кр. 1) и поглощающего слоя (кр. 2), емкостей диэлектрика (кр. 3) и барьерного слоя (кр. 4) от площади для образца № 1, определенные из измерений частотных зависимостей при температуре 300 К и напряжении 2 В Рис. 5. Зависимость значения 1/RbA от отношения периметра к площади для образцов № 1 (кр. 1), № 2 (кр. 2) и № 3 (кр. 3) Найденные значения (RA)B и RS для исследованных образцов приведены в табл. 2, в которой также приведены значения объемной (JB) и поверхностной (JS) компонент темнового тока, определенные для аналогичных структур из зависимостей плотностей темнового тока от отношения P/A, измеренные при тех же условиях [23, 34]. Таблица 2 Значения объемных и поверхностных компонент дифференциального сопротивления и темнового тока № структуры (RA)B, Омсм2 RS, Омсм JB, A/cм2 JS, A/cм 1 6.8 8.40103 - 1.310-1 2 155.2 1.06105 1.910-3 8.910-5 3 1.25104 3.81105 1.410-1 4.010-4 Видно, что для структуры № 1 темновой ток органичен компонентой поверхностной утечки, а дифференциальное сопротивление - вкладом объемной компоненты. Для структур № 2 и 3 при использовании измерений импеданса МДП-приборов также наблюдается увеличение роли объемной компоненты и уменьшение роли компоненты поверхностной утечки (по сравнению со значениями этих компонент, найденных из измерений темнового тока). Полученные результаты можно объяснить тем, что расстояние от краев фронтального электрода до боковых стенок мезаструктуры, которое составляет 10 мкм, значительно превышает максимальную ширину области пространственного заряда для МДП-приборов (менее 1 мкм). Поэтому значения дифференциального сопротивления барьерного слоя Rb в значительной степени определяются только объемной компонентой тока, что может быть использовано для изучения этой компоненты. Непосредственные измерения темнового тока такой возможности не предоставляют. Рис. 6. Зависимости значений элементов эквивалентной схемы от напряжения смещения при температуре 300 К для образца № 2: кр. 1 - Cd, кр. 2 - Сb, кр. 3 - Rb, кр. 4 - Rbulk На рис. 6 показаны зависимости значений элементов ЭС от напряжения смещения, найденные из частотных зависимостей импеданса для структуры № 2 при температуре 300 К. Установлено, что зависимость Cd(V) совпадает с вольт-фарадной характеристикой, измеренной на низких частотах. Значения сопротивления барьерного слоя Rb практически не зависят от напряжения при прямых смещениях, но несколько уменьшаются при обратных смещениях, что может быть связано с усложнением ЭС в режимах обеднения и инверсии. По той же причине при обратных смещениях немного изменяются значения емкости барьерного слоя Cb и сопротивления поглощающего слоя Rbulk. Таким образом, для структуры № 2 значения элементов ЭС слабо зависят от напряжения, что свидетельствует о том, что почти все приложенное напряжение падает на диэлектрическом слое PE ALD Al2O3. Для структуры № 1 получена более выраженная зависимость значений сопротивления барьерного слоя от напряжения, которое максимально при небольших отрицательных смещениях. Таким образом, наличие полевой зависимости значений элементов ЭС определяется соотношением сопротивлений диэлектрического и барьерного слоев. При очень большом сопротивлении диэлектрического слоя значение RbA, найденное из частотных зависимостей импеданса, является значением R0A, т.е. произведением дифференциального сопротивления на площадь при нулевом напряжении на барьере. На рис. 7 показана температурная зависимость значения сопротивления барьерного слоя, найденная из частотной зависимости импеданса МДП-прибора на основе nBn-структуры № 1, измеренной при напряжении 2 В. Можно отметить, что значения темнового тока для аналогичной структуры практически не зависят от температуры (в диапазоне от 10 до 300 К). Графики Аррениуса, построенные для структуры № 1 (рис. 7), позволили найти энергии активации Rb при напряжениях -2 и 2 В. При обратном смещении энергия активации в диапазоне температур от 210 до 300 К составила 0.277 эВ, что хорошо согласуется со значением энергии ширины запрещенной зоны в поглощающем слое (0.273 при 280 К). При прямом смещении энергия активации равна 0.334 эВ, что почти совпадает со значением энергии ширины запрещенной зоны в контактном слое (0.328 при 280 К). Можно заключить, что для структуры № 1 с составом в барьерном слое, равном 0.67, объемная компонента темнового тока при прямых смещениях определяется диффузией дырок из контактного слоя, а при обратных смещениях - диффузией дырок из поглощающего слоя. Найденные для структуры № 1 значения RbA в диапазоне температур немного превышают значения, рассчитанные согласно эмпирической модели Rule07 [22]. Это свидетельствует о возможности создания эффективных MWIR nBn-детекторов в случае решения проблемы поверхностной утечки при составе в барьерном слое равном 0.67. Измерения импеданса могут использоваться для изучения однородности свойств по матрице nBn-элементов. На рис. 8 показаны значения элементов ЭС для различных элементов 6-го ряда (диаметр фронтального электрода 230 мкм). Видно, что значения емкости Cd и сопротивления Rb близки для всех элементов ряда. Наблюдается некоторый случайный разброс значений сопротивления диэлектрического слоя Rd и емкости барьерного слоя Cb. Характерно выраженное увеличение сопротивления поглощающего слоя Rbulk при удалении расположения элемента от контактной рамки. Рис. 7. Зависимость значений сопротивления барьерного слоя от температуры при напряжении 2 В для образца № 1 (кр. 1), а также графики Аррениуса, построенные при напряжениях 2 В (кр. 2) и -2 В (кр. 3) Рис. 8. Зависимости значений элементов эквивалентной схемы от номера структуры в 6-м ряду при температуре 300 К и напряжении 2 В для образца № 2: кр. 1 - Cd, кр. 2 - Сb, кр. 3 - Rd, кр. 4 - Rb, кр. 5 - Rbulk Выводы Таким образом, в широком диапазоне условий исследован импеданс тестовых МДП-приборов на основе MWIR nBn-структур из МЛЭ HgCdTe при различных параметрах барьерных слоев. Показано, что частотные зависимости импеданса МДП-приборов зависят от свойств диэлектрического, барьерного и контактного слоев. Предложены эквивалентные схемы, позволяющие адекватно описать экспериментальные результаты в режиме обогащения. Определены зависимости значений элементов эквивалентной схемы от площади фронтального электрода и от напряжения. Установлено, что измерения частотных зависимостей импеданса МДП-приборов позволяют достаточно точно определить значение дифференциального сопротивления барьерного слоя. Показано, что поверхностная утечка практически не влияет на импеданс МДП-приборов на основе nBn-структур, что позволяет получить информацию об объемной компоненте дифференциального сопротивления. Измерения импеданса МДП-приборов на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe можно использовать для изучения однородности свойств различных слоев. Установлено, что объемная компонента дифференциального сопротивления для nBn-структур с составом в барьерном слое, равным 0.67, при температурах 210-300 К и прямых смещениях определяется диффузией дырок из контактного слоя, а при обратных смещениях - из поглощающего слоя. Показано, что в случае решения проблемы пассивации барьерных слоев на основе Hg1-xCdxTe при x = 0.60-0.70 возможно изготовить эффективные MWIR nBn-детекторы на основе МЛЭ HgCdTe с параметрами, обеспечивающими максимальные значения обнаружительной способности.

Ключевые слова

HgCdTe, молекулярно-лучевая эпитаксия, инфракрасный детектор, nBn-структура, МДП-прибор, импеданс, эквивалентная схема, дифференциальное сопротивление, объемная компонента темнового тока, HgCdTe, molecular beam epitaxy, infrared detector, nBn structure, MIS device, impedance, equivalent circuit, differential resistance, bulk component of dark current

Авторы

ФИООрганизацияДополнительноE-mail
Войцеховский Александр ВасильевичНациональный исследовательский Томский государственный университетд.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой НИ ТГУ, зав. лабораторией СФТИ ТГУvav43@mail.tsu.ru
Несмелов Сергей НиколаевичНациональный исследовательский Томский государственный университетк.ф.-м.н., ст. науч. cотр. НИ ТГУnesm69@mail.ru
Дзядух Станислав МихайловичНациональный исследовательский Томский государственный университетк.ф.-м.н., ст. науч. cотр. НИ ТГУbonespirit@mail2000.ru
Дворецкий Сергей АлексеевичНациональный исследовательский Томский государственный университет; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАНк.ф.-м.н., ст. науч. cотр. НИ ТГУdvor@isp.nsc.ru
Михайлов Николай НиколаевичИнститут физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАНк.ф.-м.н., ст. науч. cотр. ИФП СО РАНmikhailov@isp.nsc.ru
Сидоров Георгий ЮрьевичИнститут физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАНк.ф.-м.н., зав. лабораторией ИФП СО РАНgeorge@isp.nsc.ru
Якушев Максим ВитальевичИнститут физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАНд.ф.-м.н., зам. директора ИФП СО РАНyakushev@isp.nsc.ru
Всего: 7

Ссылки

Rogalski A Infrared and Terahertz Detectors. - 3rd. ed. - Boca Raton: CRC Press, Taylor & Francis Group, 2019. - 1044 p.
Kinch M.A. // J. Electron. Mater. - 2015. - V. 44. - P. 2969-2976.
Reago D.A., Horn S.B., Campbell Jr.J., et al. // Proc. SPIE. - 1999. - V. 3701. - P. 108-117.
Rogalski A., Antoszewski J., and Faraone L. // J. Appl. Phys. - 2009. - V. 105. - P. 091101.
Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., et al. // Infrared Phys. Technol. - 2019. - V. 98. - P. 230-235.
Lobre C., Jouneau P.H., Mollard L., et al. // J. Electron. Mater. - 2014. - V. 43. - P. 2908-2914.
Maimon S. and Wicks G.W. // Appl. Phys. Lett. - 2006. - V. 89. - No. 15. - P. 151109.
Ting D.Z., Soibel A., Khoshakhlagh A., et al. // Appl. Phys. Lett. - 2018. - V. 113. - P. 021101.
Soibel A., Ting D.Z., Rafol S.B., et al. // Appl. Phys. Lett. - 2019. - V. 114. - P. 161103.
Plis E., Myers S.A., Ramirez D.A., et al. // Proc. SPIE. - 2016. - V. 9819. - P. 981911.
Evirgen A., Abautret J., Perez J.P., et al. // Electron. Lett. - 2014. - V. 50. - P. 1472-1473.
Akhavan N.D., Umana-Membreno G.A., Gu R., et al. // IEEE Trans. Electron Dev. - 2018. - V. 65. - No. 10. - P. 4340-4345.
Kopytko M. // Infrared Phys. Technol. - 2014. - V. 64. - P. 47-55.
Uzgur F. and Kocaman S. // Infrared Phys. Technol. - 2019. - V. 97. - P. 123-128.
He J., Wang P., Li Q., et al. // IEEE Trans. Electron Dev. - 2020. - V. 67. - No. 5. - P. 2001-2007.
Itsuno A.M., Phillips J.D., and Velicu S. // J. Electron. Mater. - 2011. - V. 40. - No. 8. - P. 1624- 1629.
Itsuno A.M., Phillips J.D., and Velicu S. // Appl. Phys. Lett. - 2012. - V. 100. - No. 16. - P. 161102.
Velicu S., Zhao J., Morley M., et al. // Proc. SPIE. - 2012. - V. 8268. - P. 826282X.
Gravrand O., Boulard F., Ferron A., et al. // J. Electron. Mater. - 2015. - V. 44. - No. 9. - P. 3069- 3075.
Kopytko M. and Rogalski A. // Prog. Quant. Electron. - 2016. - V. 47. - P. 1-18.
Kopytko M., Jóźwikowski K., Martyniuk P., et al. // J. Electron. Mater. - 2016. - V. 45. - No. 9. - P. 4563-4573.
Tennant W.E., Lee D., Zandian M., et al. // J. Electron. Mater. - 2008. - V. 37. - No. 9. - P. 1406- 1410.
Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., et al. // Infrared Phys. Technol. - 2019. - V. 102. - P. 103035.
Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2020. - V. 53. - No. 5. - P. 055107.
Akhavan N.D., Jolley G., Umana-Membreno G.A., et al. // J. Electron. Mater. - 2015. - V. 44. - No. 9. - P. 3044-3055.
Rhiger D.R., Smith E.P., Kolasa B.P., et al. // J. Electron. Mater. - 2016. - V. 45. - No. 9. - P. 4646-4653.
Glasmann A., Prigozhin I., and Bellotti E. // IEEE J. Electron Dev. Soc. - 2019. - V. 7. - P. 534- 543.
Alchaar R., Rodriguez J.B., Höglund L., et al. // AIP Adv. - 2019. - V. 9. - No. 5. - P. 055012.
Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., et al. // Mater. Res. Expr. - 2019. - V. 6. - No. 11. - P. 116411.
Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. и др. // Изв. вузов. Физика. - 2020. - Т. 63. - № 3. - С. 76-87.
Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., et al. // Semicond. Sci. Technol. - 2020. - V. 35. - No 5. - P. 055026.
Fu R. and Pattison J. // Opt. Eng. - 2012. - V. 51. - No. 10. - P. 104003.
Zakirov E.R., Kesler V.G., Sidorov G.Y., et al. // Semicond. Sci. Technol. - 2019. - V. 34. - No. 6. - P. 065007.
Izhnin I.I., Kurbanov K.R., Voitsekhovskii A.V., et al. // Appl. Nanosci. - 2020. DOI: 10.1007/s13204-020-01297-y.
Hood A., Hoffman D., Nguyen B.M., et al. // Appl. Phys. Lett. - 2006. - V. 89 - No. 9. - P. 093506.
Razeghi M., Haddadi A., Dehzangi A., et al. // Proc. SPIE. - 2017. - V. 10177. - P. 1017705.
Michalczewski K., Ivaldi F., Kubiszyn L., et al. // Acta Phys. Polonica A. - 2017. - V. 132. - P. 325-328.
 Импеданс МДП-приборов на основе <i>nBn</i>-структур из теллурида кадмия - ртути | Известия вузов. Физика. 2020. № 6. DOI: 10.17223/00213411/63/6/8

Импеданс МДП-приборов на основе nBn-структур из теллурида кадмия - ртути | Известия вузов. Физика. 2020. № 6. DOI: 10.17223/00213411/63/6/8