Некоторые особенности модификации поверхности ионными пучками очень большого размера | Изв. вузов. Физика. 2020. № 10. DOI: 10.17223/00213411/63/10/136

Некоторые особенности модификации поверхности ионными пучками очень большого размера

Модификация поверхности ионным пучком обычно проводится в лабораторных условиях, где скорость обработки не имеет большого значения. Тем не менее интересно обсудить возможности, которые могли бы позволить достичь существенного увеличения (на порядки) скорости обработки для применений в промышленности. Рассматриваются два возможных подхода к ионной модификации поверхностей очень большого размера - использование вакуумных дуговых источников с очень широким пучком и использование ионных источников, разработанных для создания интенсивных нейтральных пучков в рамках всемирных исследований в области термоядерного синтеза. Эти источники могут обеспечивать ток ионного пучка в диапазоне десятков ампер, и уже была продемонстрирована их работа в режиме квазипостоянного тока. Проанализирована также третья возможность - масштабная плазменная иммерсионная ионная имплантация. Представлены гигантские системы модификации поверхности ионным пучком, описываются их параметры и особенности конструкции, а также особенности их систем электропитания.

Some reflections on very large scale ion beam surface modification.pdf Введение Использование высокоэнергетических ионных пучков для модификации поверхности материалов является хорошо разработанной технологией. Наиболее развито и широко распространено применение ионной имплантации для изготовления полупроводниковых микросхем [1]. Другое важное применение - изменение и адаптация поверхностных свойств неполупроводниковых материалов, таких, как биоматериалы, полимеры, керамика и металлы [2]. Эти методы использования ионных пучков включают ионную имплантацию, обычно в диапазоне энергий 10-100 кэВ, а также ионное перемешивание и осаждение с помощью ионного пучка, преимущественно при несколько меньшей энергии ионов, в диапазоне 1-10 кэВ. Параметры обработки ионным пучком, такие, как требования к чистоте пучка, доступность широкого спектра видов ионов и облучение широким пучком, в отличие от сканирования пучка, как правило, весьма различны для модификации поверхности неполупроводников. Эта подотрасль - модификация поверхности ионным пучком для непроводниковых применений - еще не стала базовой промышленной технологией, хотя некоторые нишевые области уже сформировались. Тем не менее интересно и уместно рассмотреть вопрос о том, насколько осуществима или масштабируема существующая технология обработки материалов очень больших размеров. В настоящей работе мы рассматриваем эту проблему. Существует несколько способов, с помощью которых может быть выполнена очень крупномасштабная обработка ионным пучком, такие, как использование вакуумно-дуговых источников широких ионных пучков и освоение ионных источников, и которые были разработаны для исследований контролируемого термоядерного синтеза. Другой подход заключается в масштабировании методики плазменной иммерсионной ионной имплантации (также называемой ионной имплантацией с источником плазмы, обозначенной сокращениями PIII, PI3 и PSII), особенно в сочетании с вакуумными дуговыми источниками металлической плазмы, поскольку такие источники очень эффективны и могут легко производить огромное количество плазмы. Часть проблемы связана с особенностями электрической системы для управления этими большими ионно-лучевыми генераторами, в частности с проблемой изоляции мощной электроники при очень высоком напряжении. Альтернатива традиционному подходу обеспечивается установкой, в которой плазма и ее электронная схема заземляются, а ионный пучок формируется и энергетически вводится в пространство, запитанное высоким отрицательным потенциалом. Эта конфигурация, называемая «инвертированным ионным источником», сулит существенную материальную и технологическую экономию, обеспечивая существенное упрощение требований к элек¬рической системе, управляющей ионно-пучковыми установками очень большого размера. Перед нами встает вопрос: какова осуществимость (неполупроводниковой) ионно-пучковой модификации поверхности очень большого размера? В первую очередь определим, что подразумевается под очень большим размером, а затем рассмотрим вышеупомянутые подходы более подробно. Насколько велик «очень большой размер»? В целом, доза ионов, необходимая для модификации поверхности неполупроводников, боль¬ше на несколько порядков величины, чем доза, обычно используемая для ионной имплантации полупроводников. В случае, что один атомный монослой соответствует ~ 21015 ат./см2 и добавляет толщину ~ 2 Å, дозы имплантации примерно до 1017 ионов/см2 или даже больше не являются редкостью. Применения ионно-лучевого осаждения могут также потребовать довольно высоких доз. Конечно, в зависимости от энергии ионов (обычно выше для ионной имплантации и ниже для ионно-лучевого осаждения и ионного смешивания) и материала мишени мощность, вкладываемая в мишень, может быть непомерно высокой, что создает дополнительное ограничение, так как мы не хотим расплавить или испарить мишень. Для настоящих целей, и в некотором смысле произвольно, под «очень большим размером» будем подразумевать здесь скорость внедрения ионов 11016 ион/см2 за 1 с на площади 1 м2. Рассмотрим процесс с широким пучком и энергией в диапазоне 1-100 кэВ в зависимости от конкретного применения. Доза 11016 ион/см2 соответствует плотности ионного тока около 0.2 мА/см2 или, поскольку мы рассматриваем обработку 1 м2, общий ионный ток - около 20 А. Таким образом, мы должны получить ионный пучок с энергией ионов в диапазоне 1-100 кэВ и током около 20 А. Предполагается, что речь идет о более или менее равномерном облучении (с не слишком большими колебаниями плотности тока пучка) > 1 м2. Это можно реализовать разными способами, например, используя несколько независимых источников ионов, рационально расположенных относительно мишени. Другая проблема заключается в том, рассматриваем ли мы, по существу, работу в режиме постоянного тока (т.е. включение в течение многих секунд, минут или часов) или работу в импульсном режиме (скажем, импульсы длительностью 1 с). Заметим, однако, что пучок 100 кэВ и 20 А соответствует мощности 2 МВт. Вакуумно-дуговые ионные источники Вакуумная дуга - это разряд между металлическими электродами в вакууме, в котором плазма эффективно и в очень большом количестве образуется из вещества материала катода [3-6]. Высокоэнергетичные пучки ионов металлов могут быть сформированы при реализации вакуумно-дугового плазменного источника в конфигурации источника ионов (т.е. генератора ионного пучка) [7-13]. Металлическая плазма обеспечивает «сырье» для ионного пучка, поток такой плазмы направляется к электродам формирования ионного пучка (сеткам экстрактора), где ионы металла ускоряются за счет падения напряжения на экстракторе. Обычно конструкция экстрактора имеет большой диаметр (например, от нескольких до 50 см), три решетки (ускорение - замедление), многоапертурную (множество маленьких отверстий для получения в каждом элементарного ионного пучка) конфигурацию. Эквивалентный ионный ток в плазме вакуумной дуги составляет около 5-10 % от тока дугового разряда, и, поскольку токи дуги обычно составляют несколько сотен ампер или более, ток ионного пучка, извлеченного из источника ионов, действительно может быть очень высоким (в зависимости от эффективности извлечения). Токи ионного пучка до 20 A уже были зарегистрированы [14]. В то же время напряжение экстракции, используемое в ионных источниках такого типа, может достигать примерно 100 кВ и так как ионы в вакуумной дуге многократно «обдираются» до зарядовых состояний, как правило, в диапазоне от 1+ до 5+ [12, 15, 16], то энергия ионов экстрагированного ионного пучка также больше, чем напряжение экстракции. Энергия ионного пучка может легко составить несколько сотен килоэлектронвольт, и уже были сформированы пучки ионов с очень высоким зарядом с соответствующей энергией ионного пучка более 1 МэВ [17-19]. В качестве инструмента для модификации поверхности вакуумно-дуговые источники ионов широко используются для имплантации ионов металлов с высокой энергией и высокой дозой. Возможно, самым большим вариантом вакуумного дугового источника ионов является версия диаметром 50 см (диаметр экстрактора), изготовленная и продемонстрированная в LBNL (Lawrence Berkeley National Laboratory / Национальная лаборатория им. Лоуренса в Беркли) [14] (рис. 1). С учетом высокой эффективности генерации плазмы в вакуумной дуге (ток ионов плазмы равен 5-10 % тока дуги) и типичных токов дуги в несколько сотен ампер или даже килоампер становится ясно, что этот тип источника ионов может, в принципе, легко обеспечить необходимый нам ток пучка 20 А, как уже продемонстрировано для работы с короткими импульсами (10-20 мкс) [14]. Рис. 1. Вакуумный дуговой источник ионов с экстрактором диаметром 50 см и соответствующим диаметром пучка. Рекордный ток импульсного ионного пучка, сформированный из этого источника, составил 20 А Работа источника ионов вакуумной дуги постоянного тока или с временем включения 1 с и более требует наличия источника плазмы вакуумной дуги, который может работать с постоянным током. Такие плазменные генераторы (их часто называют источниками катодной дуги) вместе с их системами электропитания широко доступны и используются для промышленного применения PVD (физического осаждения из паровой фазы) для нанесения декоративных и/или трибологически превосходных покрытий (например, с высокой твердостью, стойкостью к износу, коррозионной стойкостью и т.д.). Вариант плазменного генератора вакуумной дуги постоянного тока, разработанный в LBNL, показан на рис. 2 [14]. Источники вакуумной дуги постоянного тока просты и могут обеспечивать огромное количество металлической плазмы в течение многих часов. Рис. 2. Вакуумный дуговой источник постоянного тока с электромеханическим приводом, диаметром 5 см, с водяным охлаждением, с титановым катодом Таким образом, приходим к выводу, что большие источники ионов вакуумной дуги постоянного тока либо импульсно-периодичес¬кого могут обеспечивать достаточный пучок для применения «очень большого размера». Гигантские источники ионов, разработанные для управляемого термоядерного синтеза В рамках текущих международных исследований по разработке управляемого термоядерного реактора для выработки электроэнергии [20] существует необходимость в очень мощных пучках нейтральных атомов изотопов водорода (D0 или T0) для нагрева и подпитки реагирующей плазмы [21- 23]. Требуемые нейтральные пучки должны иметь энергию 1 МэВ, ток (эквивалентный ток) - 40 А, время работы (длительность импульса) - 1 ч. Чтобы сформировать такие нейтральные пучки, ионы ускоряются до желаемой энергии и впоследствии преобразуются в нейтральные атомы посредством перезарядки в газосодержащей области нейтрализатора. Таким образом, основная часть общего проекта заключается в разработке мощных сильноточных ионных источников. Хорошим примером такого типа источника ионов высокой мощности является CLPS (Common Long Pulse Source / обычный длинно-импульсный источник), разработанный в LBNL в 1980-х годах [24]. На рис. 3 представлена фотография экстрактора (электроды формирования пучка) источника ионов CLPS. Размеры сетки 1243 см. Сформированный ионный пучок D+ имел энергию до 120 кэВ и ток до 73 А при длительности импульса в несколько секунд. Рис. 3. Экстрактор (электроды формирования пучка) источника ионов CLPS, разработанного в Беркли в 1980-х годах. Размеры сетки 1243 см. Сформированный ионный пучок D+ имел энергию до 120 кэВ и ток до 73 А Другим примером таких огромных ионных источников является гигантский источник отрицательных ионов [25], разработанный для Large Helical Device (LHD) Японского национального института термоядерного синтеза [26]. (Из-за низкого сечения перезарядки положительных ионов при высокой энергии отрицательные ионы используются для формирования нейтральных пучков при энергии выше примерно 100-150 кэВ, поскольку сечение перезарядки для отрицательных ионов намного больше, чем для положительных ионов.) На рис. 4 показана заземленная сетка экстрактора источника ионов для системы нейтральных пучков LHD с размером пучка 25125 см, энергией пучка 180 кэВ и током 30 А. В настоящее время разрабатываются и более крупные источники ионов [21, 22]. В устройстве ITER (международный термоядерный экспериментальный реактор), который в настоящее время строится в Кадараше, Франция, будет использоваться инжекция нейтрального пучка, получаемого ионными источниками с энергией пучка 1 МэВ и током 40 А. Эти источники предназначены для формирования пучков изотопов ионов водорода. Чтобы модифицировать поверхность, их необходимо будет менять так, чтобы они образовывали пучки ионов более тяжелых газообразных атомов. Таким образом, можно сделать вывод, что хотя точный вид ионного источника для нашей рассматриваемой цели очень крупномасштабной модификации поверхности ионным пучком еще не был продемонстрирован, тем не менее было сделано огромное количество соответствующих основополагающих работ для гигантских ионных источников, и использование этой полностью отлаженной технологии значительно упростит разработку очень крупных источников ионов для модификации поверхности. Рис. 4. Заземленная сетка экстрактора источника ионов для системы нейтральных пучков LHD, Япония. Размеры пучка 25125 см, энергия пучка 180 кэВ, ток 30 А Масштабная плазменно-иммерсионная ионная имплантация Плазменно-иммерсионная ионная имплантация или PI3 - это методика проведения ионной имплантации или, в общем случае, модификация поверхности ионным пучком, которая обходится без использования источника ионного пучка с энергией, используемой в более традиционном подходе [27-30]. Объект для имплантации полностью погружают в плазму и периодически подвергают импульсному смещению до высокого отрицательного напряжения. В течение времени включения импульса ионы ускоряются высоковольтным полем «оболочки» (области самого резкого падения катодного потенциала), окружающей объект, и имплантируются в него, а в период отсутствия импульса плазма восстанавливается после истощения ионов. Этот подход широко использовался как в исследовательских, так и в коммерческих целях. Данный метод может быть адаптирован при использовании металлической (или углеродной) плазмы, генерируемой вакуумной дуговой плазменной пушкой [31, 32]. В этом случае в период выключения происходит некоторая конденсация металлической плазмы на мишени. Образованный таким образом очень тонкий поверхностный слой (как правило, толщиной в субмонослой) впоследствии подвергается бомбардировке энергетическими ионами следующего периода импульса и имплантируется ударными столкновениями. Таким образом, процесс представляет собой гибрид ионной имплантации и плазменного осаждения металлов. Суммарный глубинный профиль атомов, непосредственно имплантированных и вбиваемых имплантируемыми, отличается от глубинного профиля, сформированного при обычной прямой ионной имплантации, и, в общем, остается некоторый (осажденный) поверхностный слой. Этот метод был назван «Плазменная иммерсионная ионная имплантация и осаждение» («Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition» или «Mepiiid»). Крупномасштабная PI3 или Mepiiid может быть выполнена с использованием больших установок PVD, которые уже имеются в продаже. Физическое осаждение из паровой фазы (PVD) является широко применяемой технологией для осаждения тонких пленок на объекты. С использованием PVD металлическое покрытие получают путем осаждения металлической плазмы, создаваемой вакуумной дугой (в данном случае часто называемой катодной дугой), источником плазмы. Технология покрытия PVD на основе катодной дуги разработана, широко применяется и часто выполняется в очень больших масштабах. На рис. 5 показана большая вакуумная камера одной такой системы [33]. Эти большие камеры также использовались для крупномасштабного осаждения DLC (алмазоподобного углерода) [34]. Таким образом, для общей установки, необходимой для очень крупномасштабного внедрения PI3 (или Mepiiid) - образования большого объема плазмы, применяется существующая технология. Однако для ее работы также необходима мощная электронная схема генератора импульсов. Рис. 5. Плазменная камера для катодно-дуго¬вого PVD-покрытия протяженных изделий Разработка мощных импульсных систем для применения в плазменном погружении прошла долгий путь за несколько десятилетий, когда метод PI3 был впервые представлен и многие такие системы были описаны в литературе [35-40]. Требуемые конкретные электрические параметры системы генератора импульсов сильно зависят от конкретного применения модификации поверхности. Однако можно сказать, что существующая технология генераторов импульсов, описанная в литературе, является адекватной или близкой к адекватной для реализации очень крупномасштабной модификации поверхности с помощью PI3 или Mepiiid. «Инвертированный» ионный источник В типичной установке ионного пучка ионы образуются в соответствующей плазме и ускоряются в требуемый энергетический пучок с помощью сетчатой электродной структуры, называемой «экстрактор», или иногда «ускоритель». Энергия ионов пучка определяется падением напряжения, с помощью которого ионы попадают в экстрактор, и зарядовым состоянием ионов Ei = eQVext, где Ei - конечная энергия иона, e - заряд электрона, Q - зарядовое состояние ионов (часто единичное, но не всегда), а Vext - падение напряжения экстрактора. В простейшей геометрии экстрактора используются только два электрода («сетки экстрактора»). Первая сетка, ближайшая к плазме («плазменная сетка»), удерживается при том же высоком положительном потенциале, что и плазма, а вторая, область дрейфа ионного пучка, поддерживается при земном потенциале («сетка заземления»). Дополнительные промежуточные электроды также часто используются, например, для блокирования потока обратных потоков электронов («сетка подавителя») или для перехода к очень высокому общему падению напряжения экстрактора («градиентная сетка»). Таким образом, неотъемлемой частью такого источника является то, что плазма и связанная с ней плазмообразующая электрическая система находятся под высоким положительным потенциалом, напряжении экстракции. Это значительно увеличивает сложность и затраты, связанные с запуском установки генерации ионного пучка. Существует ряд технологических и экономических преимуществ системы, в которой плазма и ее схемы находятся под потенциалом земли. При этом последняя сетка и пространство дрейфа ионного пучка находятся под высоким отрицательным потенциалом. В этом случае падение напряжения экстрактора остается высоким, как и энергия ионов, но при этом общий потенциал падает с земли на высокое отрицательное напряжение, а не с высокого положительного напряжения на землю. На рис. 6 показана упрощенная схема традиционного подхода и подхода, описанного здесь. Такое расположение имеет недостаток - не всегда возможно, чтобы мишень была смещена на высокое напряжение. Но для некоторых приложений это не является серьезным ограничением, и экономия на простоте и стоимости может компенсировать это неудобство. Поскольку общий профиль потенциала устройства является в некотором смысле обратным к тому, который обычно используется, такую конфигурацию называют «инвертированным» источником ионов или инвертированным имплантером. Установка инвертированного ионного источника была более полно описана в работе [41], и его воплощение в качестве инвертированного имплантера ионов было продемонстрировано имплантацией Nb в Si при энергии ионов 90 кэВ и дозе 21016 см-2 [42]. Однако этот подход не всегда возможен для очень крупномасштабной ионно-пучковой модификации поверхности, например, если мишень должна оставаться под потенциалом земли. Но в тех случаях, когда это возможно, данный подход может значительно снизить технологическую сложность всей крупномасштабной установки и ее стоимость. Заключение Рис. 6. Упрощенная схема конфигурации плазмы и экстрактора и профиля потенциала для (а) обычного источника ионов и (б) инвертированного источника ионов В настоящей работе рассмотрена вероятность проведения модификации поверхности ионными пучками очень большого размера. Были выбраны параметры обработки - площадь обрабатываемой поверхности 1 м2, энергия ионов до 100 кэВ, скорость набора дозы 11016 см-2 за 1 с, что соответствует току ионного пучка около 20 А. Нами не рассмотрен конкретный детальный тип ионной модификации поверхности, но описаны прямая (широко-пучковая) ионная имплантация, осаждение с помощью ионного пучка, перемешивание ионным пучком и другие подобные технологии ионной модификации поверхности. Установлено, в частности, что два подхода с ионными пучками представляют собой довольно доступные технологии - использование ионных источников на основе вакуумной дуги и гигантских ионных источников, которые были разработаны для инжекторов с нейтральным пучком в рамках совместных международных исследований по термоядерному синтезу. Однако существует еще один подход - расширение методологии плазменной иммерсионной ионной имплантации (PI3). Во всех трех методах видно, что технология, требуемая для очень крупномасштабной реализации, не является отдаленной и на самом деле довольно близка, необходима только более или менее незначительная модификация или тонкая настройка. Технология ионных источников, необходимая для разработки очень большого имплантера ионов металлов, в значительной степени уже была продемонстрирована на лабораторном уровне. Критические параметры, такие, как ток и размер пучка, могут быть больше (более чем на два порядка), чем обычно используемые в настоящее время. Применения позволят включать прямую ионную имплантацию, а также ионно-лучевое осаждение и другие гибридные методы для модификации поверхностных свойств металлов, керамики, стекла, полимеров и т.д. в промышленном масштабе с высокой производительностью и низкой себестоимостью.

Ключевые слова

Авторы

ФИООрганизацияДополнительноE-mail
Браун Ян ГордонНациональная лаборатория им. Лоуренса в БерклиPh.D., ст. физикigbrown@comcast.net
Всего: 1

Ссылки

Proceedings of 22nd Int. Conf. on Ion Implantation Technology. Congress Centrum, Würzburg, Germany, September 16-21, 2018.
// Surf. Coat. Technol. - 15 May 2020. - V. 389. - Special issue of the Int. Conf. on Surface Material Modification by Ion Beams (SMMIB 2019), Tomsk, Russia, August 2019.
Vacuum Arcs: Theory and Application / ed. J.M. Lafferty. - N.Y.: Wiley, 1980.
Boxman R.L., Sanders D.M., and Martin P.J. Handbook of Vacuum Arc Science and Technology. - Park Ridge, NJ: Noyes Publications, 1995.
Mesyats G.A. Cathode Phenomena in a Vacuum Discharge: the Breakdown, the Spark, and the Arc. - Moscow: Nauka, 2000.
Anders A. Cathodic Arcs: From Fractal Spots to Energetic Condensation. - N.Y.: Springer, 2008.
Brown I.G., Galvin J.E., Gavin B.F., et al. // Rev. Sci. Instrum. - 1986. - V. 57. - P. 1069-1084.
Badgenov G.P., Bugaev S.P., Erokhin G.P., et al. // 5th All-Union Symp. High Current Electronics. - Tomsk, Russia, 1984. - V. 2. - P. 93-95.
Bugaev S.P., Nikolaev A.G., Oks E.M., et al. // Rev. Sci. Instrum. - 1994. - V. 65. - P. 3119- 3125.
Ryabchikov A.I. // Rev. Sci. Instrum. - 1992. - V. 63. - P. 2425-2427.
Brown I.G. // Rev. Sci. Instrum. - 1994. - V. 65. - P. 3061-3081.
Oks E.M. and Brown I.G. // The Physics and Technology of Ion Sources / ed. I.G. Brown. - Weinheim: Wiley, 2004. - P. 257-284.
Brown I.G. and Oks E.M. // IEEE Trans. Plasma Sci. - 1997. - V. 25. - P. 1222-1228.
Brown I.G., Dickinson M.R., Galvin J.E., and MacGill R.A. // Rev. Sci. Instrum. - 1992. - V. 63. - P. 2417-2419.
Brown I.G. and Godechot X. // IEEE Trans. Plasma Sci. - 1991. - V. 19. - P. 713-717.
Anders A. // Phys. Rev. E. - 1997. - V. 55. - P. 969-981.
Бугаев А.С., Визирь А.В., Гушенец В.И. и др. // Изв. вузов. Физика. - 2017. - Т. 60. - № 8. - С. 115-122.
Yushkov G.Yu., Nikolaev A.G., Frolova V.P., et al. // Phys. Plasmas. - 2017. - V. 24. - P. 123501.
Yushkov G.Yu., Frolova V.P., Nikolaev A.G., and Oks E.M. // IEEE Trans. Plasma Sci. - 2019. - V. 47. - P. 3586 -3589.
Haines M.G. // Phys. Controlled Fusion. - 1996. - V. 38. - P. 643-656.
Hemsworth R.S. and Boilson D. Research, Design, and Development Needed to Realise a Neutral Beam Injection System for a Fusion Reactor. - IntechOpen (September 5th 2019), DOI: 10.5772/intechopen.88724. https://www.intechopen.com/online-first/research-design-and-development-needed-to-realise-a-neutral-beam-injection-system-for-a-fusion-react
Hemsworth R.S. and Boilson D. // AIP Conf. Proc. - 2017. - V. 1869. - P. 060001.
Takeiri Y. // The Physics and Technology of Ion Sources / ed. I.G. Brown. - Weinheim: Wiley, 2004. - P. 341-371.
Vella M.C., Cooper W.S., Pincosy P.A., et al. // Rev. Sci. Instrum. - 1988. - V. 59. - P. 2357- 2365.
Takeiri Y., Osakabe M., Tsumori K., et al. // J. Plasma Fusion Res. - 1998. - V. 74. - P. 1434- 1443.
Kaneko O., Takeiri Y., Tsumori K., et al. // Proc. 16th Int. Conf. on Fusion Energy. - Montreal, 1996. - V. 3. - P. 539.
Conrad J.R., Radtke J.L., Dodd R.A., et al. // J. Appl. Phys. - 1987. - V. 62. - P. 4591-4596.
Conrad J.R. // Mater. Sci. Eng. A. - 1989. - V. 116. - P. 197-203.
Mantese J.V., Brown I.G., Cheung N.W., and Collins G.A. // Plasma Processing of Advanced Materials, MRS Bulletin. - 1996. - V. 21. - Iss. 8. - P. 52-56.
Anders A. Handbook of Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition. - N.Y.: Wiley, 2000.
Brown I.G., Godechot X., and Yu K.M. // Appl. Phys. Lett. - 1991. - V. 58. - P. 1392-1394.
Anders A. // Surf. Coat. Technol. - 1997. - V. 93. - P. 158-167.
http://www.kaixuanvacuum.com/vacuum-coating-plant/large-scale-cathodic-arc-pvd-coater.html.
Baba K., Hatada R., Flege S., et al. // Proc. 21st Int. Conf. on Surface Modification of Materials by Ion Beams (SMMIB). - Tomsk, Russia, 2019. - P. 85.
// Surf. Coat. Technol. - 2007. - V. 201. - Iss. 15. Special issue of the Eighth International Workshop on Plasma-Based Ion Implantation and Deposition. Chengdu, China, Sept. 2005.
Salvadori M.C., Teixeira F.S., Araujo W.W.R., et al. // Rev. Sci. Instrum. - 2010. - V. 81. - P. 124703.
Rossi J.O., Ueda M., and Barroso J.J. // Braz. J. Phys. - 2004. - V. 34. - P. 1565-1571.
Goebel D. // J. Vac. Sci. Tech. B. - 1994. - V. 12. - P. 838-842.
Zhu Z., Gong C., Tian X., et al. // Rev. Sci. Instrum. - 2011. - V. 82. - P. 045102.
Brutscher J. // Rev. Sci. Instrum. - 1996. - V. 67. - P. 2621-2525.
Salvadori M.C., Teixeira F.S., Sgubin L.G., et al. // Rev. Sci. Instrum. - 2013. - V. 84. - P. 023506.
Salvadori M.C., Teixeira F.S., Sgubin L.G., et al. // Appl. Phys. Lett. - 2012. - V. 101. - P. 224104.
 Некоторые особенности модификации поверхности ионными пучками очень большого размера | Изв. вузов. Физика. 2020. № 10. DOI: 10.17223/00213411/63/10/136

Некоторые особенности модификации поверхности ионными пучками очень большого размера | Изв. вузов. Физика. 2020. № 10. DOI: 10.17223/00213411/63/10/136