Модификация поверхности материалов ионами бора на основе разрядных систем вакуумной дуги и планарного магнетрона | Изв. вузов. Физика. 2020. № 10. DOI: 10.17223/00213411/63/10/166

Модификация поверхности материалов ионами бора на основе разрядных систем вакуумной дуги и планарного магнетрона

Рассмотрен принцип работы и приведены характеристики экспериментального оборудования, разработанного для генерации пучков и плазмы ионов бора: источника ионов бора на основе вакуумной дуги с сепарацией изотопов бора в магнитном поле и генератора плазмы для нанесения борсодержащих покрытий на основе планарного магнетрона. Общим для данного оборудования является использование катодов, выполненных из гексаборида лантана. В случае планарного магнетрона также использовался катод из кристаллического бора, нагреваемый в разряде. Показано, что при имплантации кремния пучками ионов изотопов бора 10B+ и 11B+ с дозами 1014-1016 ион/см2 наблюдается изотопический эффект диодных свойств легированной поверхности. Представлены результаты исследований свойств полученных борсодержащих покрытий на модельных материалах: нержавеющей стали 12Х18Н10Т, монокристаллическом кремнии и реакторном сплаве Э110.

Modification of the surface of materials by boron ions based on discharge systems of vacuum arc and planar magnetron.pdf Введение Актуальность исследования процессов генерации плазмы, содержащей ионы бора, обусловлена не только интересом к этой проблеме как к задаче физики плазмы, но и практическим применением плазмы и ионных пучков бора в технологиях модификации поверхности [1, 2]. В способах изготовления полупроводниковых кремниевых пластин широко используют имплантеры ионов бора, способные обеспечить дозы внедренных ионов в поверхность кремния уровня 1012- 1014 ион/см2 при энергии ионов от десятков до сотен килоэлектронвольт [3]. Для генерации пучков ионов бора в имплантерах в настоящее время чаще всего используют ионные источники типа Фримана [4], в которых плазма образуется при ионизации борсодержащих газообразных веществ. Вместе с тем такой подход к генерации пучков ионов бора имеет ряд негативных моментов. Используемые в ионных источниках газообразные соединения бора достаточно активны, что приводит к интенсивному разрушению термоэмиссионного катода. Они, как правило, токсичны, что затрудняет их применение для широкого круга практических задач. При высокодозной имплантации легируемая поверхность полупроводника может загрязняться посторонними примесями, образованными как при разложении борсодержащих газов, так и при травлении ими электродов ионного имплантера. В работе [5] для генерации пучка ионов бора было предложено использование вакуумного дугового разряда с катодом из чистого бора. Поскольку удельное сопротивление чистого бора при нормальных условиях ~ 1 МОм•см, для стабильного инициирования и горения дугового разряда требуется нагрев катода до температуры ~ 800 С, при котором удельное сопротивление бора снижается примерно до 1 Ом•см. Такой метод генерации плазмы бора на основе вакуумной дуги был реализован в работах [6, 7] и представляется перспективным для использования в технологиях модификации поверхности материалов. Вместе с тем, поскольку при имплантации кремния для задач микроэлектроники необходима высокая чистота пучка ионов бора, которая обеспечивается его сепарацией в поворотном магните имплантера, возможен альтернативный подход - использование в качестве материала катода вакуумного дугового источника гексаборида лантана (LaB6), имеющего при нормальных условиях низкое удельное сопротивление ~ 10 мкОм•см [7]. В этом случае общая доля ионов бора в пучке соответствует их доле в материале катода и составляет около 85 % [8], а ионы лантана, масса которых более чем на порядок превышает массу ионов бора, легко сепарируются в поворотном магните имплантера. Данный подход позволил осуществить раздельную ионную имплантацию поверхности кремния с дозами 1014-1016 ион/см2 ионами изотопов бора 10В+ и 11В+ и изучить её влияние на диодные свойства имплантированного кремния. Генерация потока плазмы и распыленных атомов бора при нанесении борсодержащих покрытий на поверхность конструкционных материалов может быть реализована с использованием высокочастотного магнетронного разряда с мишенью из чистого бора [9]. Однако недостатками такого метода являются низкая скорость нанесения покрытий, использование достаточно сложного высокочастотного (1-100 МГц) источника питания, а также необходимость согласования выходных параметров ВЧ-генератора с параметрами разрядной системы. Как и для случая вакуумной дуги, проблема генерации плазмы ионов бора может быть решена нагревом катода из чистого бора [10] или при использовании катода из гексаборида лантана. Применение LaB6 [6], хотя и ведет к загрязнению потока плазмы и распыленных атомов лантаном, но все же может использоваться для создания борсодержащих защитных покрытий, поскольку требования к чистоте таких покрытий на поверхности конструкционных материалов существенно ниже, чем для полупроводниковых технологий. Кроме того, это позволяет использовать стандартные, хорошо разработанные и широко применяемые современные источники питания магнетронных распылительных систем. Вместе с тем применение магнетронных систем для создания защитных борсодержащих покрытий для задач практики требует проведения исследований по изучению свойств самих покрытий. В настоящей статье рассмотрен принцип работы и приведены характеристики экспериментального оборудования, обеспечивающего генерацию плазмы и пучков ионов бора для модификации поверхностей и создания упрочняющих покрытий на основе бора. Представлены также результаты по изучению ряда свойств таких поверхностей и покрытий. Источник пучков ионов бора на основе вакуумного дугового разряда Принципиальная схема катодного узла вакуумного дугового источника ионов изотопов бора и его внешний вид представлены на рис. 1, а и б соответственно. Вакуумный дуговой разряд, функционирующий при давлении остаточного газа уровня 10-6 Торр, зажигался между катодом из LaB6 диаметром 10 мм и толщиной 8 мм и изготовленным из алюминиевого сплава полым анодом с внутренним диаметром 12 см и длиной 15 см. Инициирование катодных пятен вакуумной дуги осуществлялось при высоковольтном пробое между катодом и поджигающим вольфрамовым электродом диаметром 1.6 мм по поверхности керамического изолятора «поджига». Амплитуда напряжения импульса поджигающего разряда длительностью 20 мкс составляла 15 кВ, что обеспечивало максимальный ток пробоя 40 А. Генерация плазмы поджигающего разряда приводила к инициированию дугового разряда с током около 100 А и длительностью импульса квазипрямоугольной формы 250 мкс, определяемой характерным временем разряда используемой искусственной формирующей линии. При горении дугового разряда на рабочей поверхности катода функционировали катодные пятна, их плазма заполняла анодную полость и задавала эмиссионную поверхность, с которой велся отбор ионов, формирующих их ускоренный пучок. Рис. 1. Схематичная конструкция (а) и фотография (б) катодного узла ионного источника: 1 - катод из LaB6; 2 - кольца для уменьшения микрокапельной фракции; 3 - поджигающий электрод; 4 - керамический изолятор поджига; 5 - изолятор катода; 6 - держатель катода; 7 - экран; 8 - постоянные магниты Особенностью генерации плазмы в вакуумном дуговом разряде с катодом из гексаборида лантана является образование значительного количества микрокапель, генерируемых вследствие термоупругого разрушения поверхности материала катода в области катодного пятна. Поток микрокапель приводил к увеличению числа пробоев ускоряющего промежутка ионного источника. Снижение числа пробоев было обеспечено благодаря установке в разрядной ячейке специальных колец, выполненных из нержавеющей стали, с диаметром отверстий 20 мм, находящихся под анодным потенциалом и препятствующих попаданию микрокапель в ускоряющий промежуток. Для компенсации потерь потока ионов на этих кольцах была разработана система на основе постоянных магнитов, окружающая катод и обеспечивающая транспортировку плазменного потока через отверстия колец к эмиссионному электроду ускоряющей системы источника. Эти меры обеспечили пятикратное уменьшение количества пробоев ускоряющего промежутка и позволили почти в 2 раза увеличить отношение тока извлеченного пучка ионов к току разряда. Рис. 2. Схематичная конструкция установки имплантации ионов изотопов бора (a): 1 - ионный источник; 2 - электроды ускоряющей системы; 3 - входная диафрагма; 4 - ионопровод; 5 - поворотный магнит; 6 - коллектор ионов пучка. Осциллограммы токов ускоряющего промежутка при имплантации (б, в) (верхние лучи, чувствительность - 500 мА/дел.) и ионов изотопов бора 10B+ (б) и 11B+ (в) на коллектор (нижние лучи, 0.2 мА/дел.). Усреднение по 128 имп. Формирование ионного пучка с общим током 800 мА осуществлялось с использованием трехэлектродной щелевой ускоряюще-замедляющей системы при ускоряющем напряжении 20 кВ. Диафрагма, установленная на входе поворотного магнита, «вырезала» из сформированного и ускоренного ионного пучка его часть с размерами 6×40 мм, которая транспортировалась через отклоняющее магнитное поле со средним радиусом ионопровода 350 см (рис. 2, a). Ионы пучка, двигаясь в магнитном поле по ларморовским радиусам, отклонялись в нем в соответствии с их отношением заряда к массе на угол π/2 и попадали на коллектор, на котором размещались имплантируемые образцы. Сепарация ионов в магнитном поле поворотного магнита обеспечила не только разделение ионов бора и лантана, но и разделение изотопов ионов бора с массами 10 и 11 а.е.м. - 10B+ и 11B+. Это позволило провести раздельную имплантацию поверхности образцов кремния ионами каждого из этих изотопов. Осциллограммы импульсов токов ионов изотопов бора приведены на рис. 2, б и в соответственно. Отношение компонентов ионов изотопов 10B+ и 11B+ в общем токе ионного пучка приблизительно соответствовало природному распространению этих изотопов в материале катода: 20 и 80 % соответственно. Раздельная имплантация ионами 10В+ и 11В+, обеспеченная на созданном оборудовании, позволила выявить влияние имплантации ионами различных изотопов бора на диодные свойства легированной этими ионами поверхности кремния. Изотопический эффект диодных свойств поверхности имплантированного кремния Имплантация поверхности образцов размером 1010 см, выполненных из кремниевых пластин КЭФ-2.5 n-типа толщиной 440 мкм с кристаллографической ориентацией (100), легированных фосфором с объемной концентрацией 5•1015 ат./см3, осуществлялась при экспозиционных дозах имплантированных ионов10B+ и 11B+от 1014 до 1016 ион/см2. Скорость набора дозы регулировалась током пучка и частотой следования импульсов и для сохранения идентичных условий имплантации поддерживалась постоянной на уровне 2.4•1012 ион/(см2•с). Перед проведением имплантации поверхность образцов очищалась от оксидной пленки в 0.5 %-м водном растворе плавиковой кислоты (HF) с последующей промывкой образцов в дистиллированной воде. Сразу после проведения имплантации измерялись вольт-амперные характеристики (ВАХ) образцов с помощью специально разработанного устройства на базе стабилизированного источника постоянного напряжения с шагом регулирования 10 мВ и точностью измерения постоянного тока ~ 1 мкА. Само измерительное устройство было изготовлено с использованием изоляторов из керамики ХС22 с сопротивлением более 1 ГОм и контактов диаметром 4 мм, покрытых упругим материалом на основе вспененного графита - графлексом. Сопротивление контактов составляло менее 10 мкОм. Измеренные ВАХ образцов, имплантированных ионами изотопов бора 10B+ и 11B+, представлены в качестве примера на рис. 3, а. Диапазон токов положительной полярности ВАХ соответствует положительной полярности напряжения, приложенного к имплантированной стороне образца. Тип зависимостей рис. 3, а является типичной ВАХ диодов с p-n-переходом. При этом на положительной ветви ВАХ (прямой ток диода) в случае имплантации ионами 10B+ вольт-амперная характеристика «сдвинута» относительно 11B+ в область меньших напряжений. Изотопический эффект разделения ВАХ при имплантации ионами разных изотопов бора проявляется более явно с увеличением имплантационной дозы. Рис. 3. ВАХ образцов, имплантированных ионами изотопов бора 10B+ и 11B+, (а) и профили распределения атомов бора (кр. 1-4) и фосфора (кр. 5, 6) по глубине для этих образцов, измеренные методом вторичной ионной масс-спектрометрии (б). Дозы: 2•1014 ион/см2 для 10B+ (кр. 1) и 11B+ (кр. 2); 5•1015 ион/см2 для 10B+ (кр. 3, 5) и 11B+ (кр. 4, 6). Энергия ионов изотопов бора - 20 кэВ Появление диодных свойств у имплантированных кремниевых образцов связано с формированием вблизи поверхности несимметричного p-n-перехода, поскольку по данным проведенных исследований поверхности с применением вторичной ионной масс-спектрометрии имплантация ионов изотопов бора с указанными дозами приводит к появлению в поверхностном слое с характерной толщиной около 400 нм области с объемной концентрацией примеси p-типа (бор), превышающей объемную дозу примеси n-типа (фосфор) в 10-105 раз (рис. 3, б). Наличие изотопического эффекта в диодных свойствах имплантированных образцов кремния может быть связано с различием в профилях распределения внедренных изотопов бора. При одинаковой энергии более легкий ион 10B+ имеет больший проективный пробег в веществе и глубже проникает в поверхность кремния. Кроме этого, при прочих равных условиях коэффициент распыления поверхности кремния у изотопа 11B+приблизительно на 7 % выше, чем у 10B+, поэтому профиль распределения концентрации изотопа 11B расположен ближе к поверхности, чем профиль 10B. Изотопический эффект диодных свойств образцов имплантированного бором кремния может быть также связан и с различием в свойствах самих p-n-переходов, образованных при имплантации различными изотопами бора, но этот вопрос нуждается в детальном теоретическом исследовании с привлечением современных квантово-механических представлений. Планарный магнетрон для нанесения борсодержащих покрытий Нанесение борсодержащих покрытий на поверхность образцов осуществлялось на экспериментальной установке на основе планарного магнетронного разряда с катодами, выполненными из чистого кристаллического бора или из гексаборида лантана (рис. 4). Катоды имели диаметр 50.8 мм и толщину 3 мм. Как и в случае вакуумного дугового разряда, высокая электрическая проводимость гексаборида лантана при нормальных условиях обеспечивала функционирование магнетронного разряда без предварительного разогрева катода. В случае использования катода из чистого бора, требовался его предварительный нагрев до температуры ~ 800 оС. Катод из бора нагревался разрядом с постоянным током 20-30 мА при напряжении горения ~1 кВ в течение 3- 5 мин, а затем, когда проводимость катода становилась достаточной для горения разряда, ток разряда повышался до 200 мА. Стабилизированный источник питания магнетронного разряда обеспечивал функцию «дугогашения». Особенностью конструкции магнетрона с катодом из чистого бора была теплоизоляция мишени, позволяющая эффективно осуществлять её нагрев, а также развитая поверхность анода, обеспечивающая предотвращения эффекта «исчезающего анода» при напылении на его поверхность непроводящей пленки бора. Анод магнетронного разряда был электрически соединен с заземлённой вакуумной камерой, выполненной из нержавеющей стали и откачиваемой турбомолекулярным насосом со скоростью откачки 500 л/мин до остаточного давления 5•10-5 Торр. Поток рабочего газа (аргон, азот) подавался непосредственно в область катода магнетрона по специальной подводящей трубке, а интенсивность потока контролировалась электронными расходомерами РРГ-3.6 или РРГ-9. При нанесении борсодержащих покрытий рабочее давление в вакуумной камере находилось в пределах от 1.5•10-3 до 4•10-3 Торр. Рис. 4. Схема экспериментальной установки на основе планарного магнетрона (а) и фотография свечения плазмы магнетронного разряда с катодом из бора (б): 1 - вакуумная камера из нержавеющей стали; 2 - смотровое окно; 3 - ввод рабочего газа; 4 - планарный магнетрон; 5 - держатель образцов с системой их нагрева; 6 - квадрупольный масс-спектрометр; 7 - откачка турбомолекулярными насосами Рис. 5. Масс-зарядовые спектры плазмы магнетронного разряда для катодов, выполненных из гексаборида лантана (а) и бора (б, в), при напуске в качестве рабочего газа 70 см3/мин аргона (а, б), смеси аргона -70 см3/мин и азота - 10 см3/мин (в). Ток разряда - 200 мА При нанесении покрытий важно иметь достоверную информацию о параметрах и составе плазмы разряда, поскольку именно поток ионов из плазмы на напыляемую поверхность во многом определяет адгезию и прочностные свойства самих покрытий. Для измерения масс-зарядового состава плазмы использовался модернизированный квадрупольный масс-спектрометр RGA-100[11]. Анализ спектров масс-зарядового состава ионов плазмы магнетронного разряда с катодом из гексаборида лантана при напуске в качестве рабочего газа аргона (рис. 5, а) и для случаев катода из бора при напуске аргона (рис. 5, б), а также смеси аргона и азота (рис. 5, в) показывает, что доминирующими ионами в плазме являются ионы рабочего газа. Для всех спектров рис. 5 их доля превышает 80 %. Доля ионов бора в плазме дуги как в случае катода из гексаборида лантана, так и для катода из чистого бора составляла около 2 %. Такое небольшое значение связано с невысокой, относительно концентрации рабочего газа в разрядном промежутке, плотностью потока распыленных атомов бора с катода и наличием у этих атомов высоких направленных скоростей вплоть до 106 см/с. Оценки показывают, что для спектра рис. 5, а при давлении 10-3 Торр концентрация атомов аргона в разрядном промежутке составляет ~ 1013 см-3, а концентрация распыленных атомов бора более, чем на два порядка меньше - около 5•1010 см-3. Вследствие этого, несмотря на то, что первый потенциал ионизации у бора (8.4 эВ) почти в 2 раза меньше, чем у аргона (16.0 эВ), концентрация ионов рабочего газа в плазме разряда намного больше, чем концентрация ионов бора. Доля ионов лантана в плазме разряда, в случае катода из гексаборида лантана, составляет менее 1 %, что связано с относительно небольшой концентрацией его атомов в материале катода, а следовательно, и в потоке распыленных атомов с катода. Наличие небольшой доли ионов примесей в плазме разряда в случае нагреваемого катода из бора может быть связано с десорбцией и последующей ионизацией нейтралов этих примесей с поверхностей в вакуумной камере при их нагреве излучением с катода. Таким образом, при нанесении покрытий в планарном магнетроне при миллиамперном диапазоне токов разряда плазма разряда в основном содержит ионы рабочего газа. Свойства борсодержащих покрытий Измерения микротвёрдости поверхности борсодержащих покрытий проводились на установке NanoTest 600 при нагрузке на трехгранный алмазный индентор Берковича до 0.2 Н. Определение толщины покрытий осуществлялось с использованием сканирующего электронного микроскопа Hitachi S-3400N, а их элементного анализа - энергодисперсионным спектрометром Bruker XFlash 4010/5010. Толщина покрытий измерялась также микроскопом-интерферометром МИИ-4 при длине волны света 629 нм. При исследованиях морфологии поверхности покрытий использовался атомно-силовой микроскоп Solver P47. Ввиду обширности проведенных исследований борсодержащих покрытий ниже кратко представлены лишь некоторые характерные результаты. Исследования покрытий, полученных при использовании катода магнетрона из гексаборида лантана и напуске в качестве рабочего газа смеси азота и аргона, на поверхности образцов из стали 12Х18Н10Т показали, что покрытия, полученные при температуре образцов ~ 400 оС, имеют большие значения твердости по сравнению с образцами, полученными без их нагрева: 9 и 6 ГПа соответственно. Аналогичный результат был получен в случае катода из бора при нанесении покрытий на образцы из реакторного сплава Э110: твердость покрытий, полученных с дополнительным нагревом образцов до 350 ºС, составила 7 ГПа, в то время как без нагрева - 3.5 ГПа. При нагреве образцов наблюдается снижение шероховатости поверхности, что может быть связано с большей подвижностью атомов при росте покрытия (рис. 6). Рис. 6. Изображения поверхности борсодержащих покрытий на образцах из сплава Э110, полученные атомно-силовым микроскопом. Температура образца: 50 (a) и 350 ºС (б) Изображения и элементный анализ покрытий на кремнии при использовании в качестве катода чистого бора, отличающиеся составом напускаемого рабочего газа, приведены на рис. 7. В первом случае рабочим газом являлся аргон, во втором - его смесь с азотом. В первом случае в покрытиях присутствует, в основном, только бор, а во втором, в случае добавки к аргону азота, поток которого был почти в 3 раза меньше, чем аргона, в покрытии присутствует почти 50 ат. % азота. По-видимому, именно активность азота ведет к формированию фаз нитрида бора и наличие этих фаз в покрытии приводит к увеличению его твердости. Влияние температуры образца на твердость покрытия может быть связано с тем, что при более высокой температуре образование твердых кубических фаз нитрида бора происходит быстрее. Полученные результаты позволяют оценить оптимальное содержание азота в потоке рабочего газа, которое составляет около 1:6 по отношению к аргону. В этом случае доля атомов азота и бора в покрытии будет примерно равна их стехиометрическому отношению в кубическом нитриде бора. Рис. 7. Изображения поверхности и элементный состав покрытий на кремнии. Рабочий газ: аргон (70 см3/мин) (а); смесь аргона (70 см3/мин) и азота (25 см3/мин) (б). Катод магнетрона - кристаллический бор. Время нанесения покрытий - 100 мин На поверхности покрытий, полученных в газовой смеси с присутствием азота, имеется большее количество точечных дефектов (рис. 7, б), чем при напуске только аргона (рис. 7, а). Данный эффект связан с большим количеством микропробоев на поверхности катода магнетрона и более интенсивной эмиссией микрокапельной фракции из возникающих при появлении пробоев катодных пятен. Появление катодных пятен связано с образованием на поверхности катода диэлектрических пленок нитрида бора, зарядка которых потоком ионов из катодного слоя приводит к их пробою [12]. О таком механизме появления дефектов на поверхности покрытия свидетельствует большое количество визуально наблюдаемых кратковременных точечных вспышек на поверхности катода и частое срабатывание системы дугогошения источника питания в случае напуска азота. Рис. 8. Изображения поверхности борсодержащих покрытий на образцах из сплава Э110, полученные атомно-силовым микроскопом. Температура образца: 50 (a) и 350 ºС (б) Изображения поперечного сечения скола образцов кремния с покрытиями бора для условий рис. 7, а и 7, б представлены на рис. 8, а и 8, б соответственно. Толщина полученных покрытий для этих двух случаев составляют ~ 650 и ~ 800 нм. Измерения толщин покрытий с использованием оптической интерферометрии коррелируют с данными, полученными на основе анализа изображений рис. 8, с точностью в несколько десятков нанометров. Большая скорость нанесения покрытий в среде аргона и азота - 8 нм/мин по сравнению со скоростью нанесения покрытий в среде только аргона - 6.5 нм/мин, по-видимому, связана с формированием фаз нитрида бора в первом случае. Эти фазы образуются на поверхности образца не только из потока распыленных с катода атомов бора, но и из потока ионов и атомов азота из окружающей поверхность образца среды. Заключение Разработано экспериментальное оборудование для генерации пучков и плазмы ионов бора: источник ионов на основе вакуумной дуги с сепарацией изотопов бора в магнитном поле с катодом из гексаборида лантана и планарный магнетрон с борсодержащими катодами для нанесения функциональных покрытий на основе бора. Показано, что при имплантации кремния пучками ионов изотопов бора 10B+ и 11B+ с дозами 1014-1016 ион/см2 наблюдается изотопический эффект диодных свойств модифицированной поверхности. Изучены свойства полученных с использованием планарного магнетрона борсодержащих покрытий на модельных материалах: нержавеющей стали 12Х18Н10Т, монокристаллическом кремнии и реакторном сплаве Э110. Разработанные устройства и полученные данные могут найти применение при создании функциональных, упрочняющих и защитных борсодержащих покрытий для широкого круга задач науки и практики.

Ключевые слова

Авторы

ФИООрганизацияДополнительноE-mail
Бугаев Алексей СергеевичИнститут сильноточной электроники СО РАНк.ф.-м.н., науч. сотр. ИСЭ СО РАНbugaev@opee.hcei.tsc.ru
Визирь Алексей ВадимовичИнститут сильноточной электроники СО РАНд.т.н., ведущ. науч. сотр. ИСЭ СО РАНvizir@opee.hcei.tsc.ru
Гушенец Василий ИвановичИнститут сильноточной электроники СО РАНк.ф.-м.н., ст. науч. сотр. ИСЭ СО РАНgvi@opee.hcei.tsc.ru
Николаев Алексей ГеннадьевичИнститут сильноточной электроники СО РАНк.т.н., ст. науч. сотр. ИСЭ СО РАНnik@opee.hcei.tsc.ru
Никоненко Алиса ВладимировнаИнститут сильноточной электроники СО РАН; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроникимл. науч. сотр. ИСЭ СО РАН, аспирантка ТУСУРаalisa_nikonenko_1995@mail.ru
Окс Ефим МихайловичИнститут сильноточной электроники СО РАН; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроникид.т.н., профессор, зав. лаб. источников плазмы ИСЭ СО РАН, зав. каф. физики ТУСУРаoks@opee.hcei.tsc.ru
Савкин Константин ПетровичИнститут сильноточной электроники СО РАНк.т.н., науч. сотр. ИСЭ СО РАНsavlin@opee.hcei.tsc.ru
Фролова Валерия ПетровнаИнститут сильноточной электроники СО РАН; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроникик.ф.-м.н., мл. науч. сотр. ИСЭ СО РАН, доцент ТУСУРаfrolova_valeriya_90@mail.ru
Шандриков Максим ВалентиновичИнститут сильноточной электроники СО РАНк.т.н., науч. сотр. ИСЭ СО РАНshandrikov@opee.hcei.tsc.ru
Юшков Георгий ЮрьевичИнститут сильноточной электроники СО РАНд.т.н., гл. науч. сотр. ИСЭ СО РАНgyushkov@mail.ru
Всего: 10

Ссылки

Polo M.C., Martinez E., Esteve J., and Andujar J.L. // Diam. Relat. Mater. - 1999. - V. 8. - P. 423-427.
Eaglesham D.J., Stolk P.A.,Gossmann H.J., and Poate J.M. // Appl. Phys. Lett. - 1994. - V. 65. - P. 2305-2307.
Schlemm H. and Roth D. // Surf. Coat. Technol. - 1999. - V. 114. - P. 81-48.
Freeman J.H. // Nucl. Instrum. Methods. - 1963. - V. 22.- P. 306-316.
Williams J.M., Klepper C.C., Chivers D.J., et al. // J. Vacuum Sci. Technol. - 2008. - V. 26. - P. 368-372.
Nikolaev A.G., Oks E.M., Vizir A.V., et al. // Rev. Sci. Instrum. - 2016. - V. 87. - P. 02A902.
Nikolaev A.G., Oks E.M., Frolova V.P., et al. // Tech. Phys. Lett. - 2015. - V. 41. - P. 880-883.
Yushkov G.Y., Savkin K.P., Oks E.M., et al. // IEEE Trans. Plasma Sci. - 2013. - V. 41. - P. 1923-1928.
Garcia-Valenzuela J.A., Rivera R., Morales-Vilches A.B., et al. // Thin Solid Films. - 2016. - V. 619. - P. 288-296.
Gushenets V.I., Oks E.M., Savkin K.P., et al. // Rev. Sci. Instrum. - 2010. - V. 81. - P. 02B303.
Золотухин Д.Б., Климов А.С., Савкин К.П. и др. // Изв. вузов. Физика. - 2015. - T. 58. - № 9/3. - C. 106-109.
Месяц Г.А. Эктоны в вакуумном разряде: пробой, искра, дуга. - М.: Наука, 2000.
 Модификация поверхности материалов ионами бора на основе разрядных систем вакуумной дуги и планарного магнетрона | Изв. вузов. Физика. 2020. № 10. DOI: 10.17223/00213411/63/10/166

Модификация поверхности материалов ионами бора на основе разрядных систем вакуумной дуги и планарного магнетрона | Изв. вузов. Физика. 2020. № 10. DOI: 10.17223/00213411/63/10/166