Окисление оксида углерода на поверхности металлооксидной структуры
С использованием современных методов диагностики поверхности исследовано окисление оксида углерода на поверхности структуры Au/Al2O3/Mo(110). При высокой степени идентичности структурных, электронных и адсорбционных свойств системы Au/Al2O3/Mo(110) с различными толщинами пленки оксида алюминия (2, 4, 6, 8 монослоев) показано, что эффективность окисления молекул СО, десорбируемых в газовую фазу, экспоненциально уменьшается с ростом толщины пленки оксида. Принимая во внимание известный факт, что эффективность окисления СО зависит от величины избыточного заряда, приобретаемого наночастицей золота, сделан вывод, что туннелирование заряда сквозь оксидную прослойку повышает эффективность реакции на поверхности изученной металлооксидной системы.
Oxidation of carbon monoxide on the surface of a metal oxide structure.pdf Введение Металлические наночастицы на оксидах используются в различных приложениях, одним из которых является гетерогенный катализ [1]. Это мотивирует обширные исследования соответствующих модельных катализаторов на металлической/оксидной подложке для лучшего понимания элементарных стадий, связанных с реакциями на их поверхности [2]. Одним из ключевых факторов, активирующих реакции на поверхности нанесенной металлической частицы, является величина заряда, который приобретает частица за счет переноса заряда между оксидной подложкой и металлической частицей [3-5]. Например, для Au/TiO2(110) Окадзаки и др. [6] показали с помощью DFT-расчетов, что перенос электрона происходит от Ti к Au для обогащенной титаном поверхности. Аналогичная ситуация имеет место для Au, нанесенного на другой оксид - MgO, для которого Санчес и др. [7] показали, что имеется частичный перенос электрона с поверхности на кластер золота, который играет существенную роль в активации наноразмерных кластеров золота в качестве катализаторов реакции окисления СО. Позже Гудман и его коллеги [8] также обнаружили, что оксид магния является эффективным донором электронов для частиц Au за счет переноса заряда от анионных вакансий (F-центров), что активирует их в качестве катализаторов окисления СО. Каталитическая активация частиц Au, нанесенных на LiF, путем переноса заряда от анионных вакансий также недавно была продемонстрирована в [9]. Отрицательно заряженные наночастицы Au, как считается, активнее адсорбируют кислород и активируют связь O-O посредством переноса заряда от Au [10], а также способствуют активации CO [11]. В [12-16] было установлено, что для металлических частиц, нанесенных на наноструктурированные оксидные слои, выращенные на металлических подложках, имеется дополнительный канал переноса заряда от металлических частиц посредством туннелирования электронов сквозь промежуточный слой оксида [12]. С учетом изложенного цель настоящей работы - изучение в металлооксидной системе влияния туннелирования заряда сквозь оксидную пленку на окисление оксида углерода. Для нивелирования посторонних процессов, вызванных взаимодействием металла с оксидом и тем самым маскирующих возможные туннельные эффекты, были выбраны благородный металл (Au), стабильный оксид (Al2O3) и простые хорошо изученные реагенты (СО и О2). Экспериментальная часть Исследования проводились в модифицированной сверхвысоковакуумной системе VG Escalab MII (предельное давление остаточных газов: 3•10-10 Торр), в которой реализованы методы электронной оже-спектроскопии (ЭОС) с однокаскадным цилиндрическим анализатором с коаксиальной пушкой, дифракции медленных электронов (ДМЭ) с использованием четырехсеточной электронной оптики, инфракрасной спектроскопии со скользящим падением луча (ИКС), температурно-программируемой десорбции (ТПД) с использованием квадрупольного масс-спектрометра, измерения работы выхода электрона по методу Андерсона и атомно-силовой микроскопии (АСМ). Выбор ИКС обусловлен тем, что используемый в ИКС р-поляризованный свет обеспечивает чувствительность к колебаниям молекул, перпендикулярно расположенных к плоскости поверхности адсорбента. Данная ситуация реализуется, как правило, для двухатомных полярных молекул, таких как СО, которые адсорбируются в вертикальной или наклонной геометрии на большинстве металлических и неметаллических подложек [17]. Пленка оксида алюминия контролируемой толщины и структуры формировалась на поверхности кристалла Mo(110), поддерживаемой при повышенной температуре, с помощью хорошо известной процедуры реактивного термического испарения атомов алюминия из ячейки Кнудсена в атмосфере кислорода с парциальным давлением 1•10-7 Торр [18]. Выбор Mo(110) обусловлен тем, что он является тугоплавким металлом. Это позволяет проводить его высокотемпературную термическую обработку, необходимую для формирования структурно упорядоченных пленок α-Al2O3 (1000). Благодаря близости параметров решетки Мо(110) и α-Al2O3 (1000) появляется возможность получения эпитаксиальных пленок даже при очень низкой толщине. Толщину пленки (θ) оценивали с погрешностью 15% посредством измерения потока атомов алюминия с помощью кварцевого резонатора и по ослаблению интенсивности оже-сигнала Mo(110) MNV (188 эВ) при росте оксидной пленки [18, 19]. Величина потока осаждаемых атомов Al дополнительно контролировалась изменением работы выхода электрона от подложки Mo(110) при росте субмонослойной пленки оксида алюминия [20]. Атомы Au наносились на пленку Al2O3 термическим напылением массивного Au (чистота 99.9999%) из ячейки Кнудсена на подложках (300 К), с последующим отжигом при 500 К в течение 3 мин для достижения равновесного состояния. Толщина покрытия Au также определялась с помощью кварцевого резонатора и контролировалась по ослаблению оже-сигнала от подложки (O KVV, 502 эВ). Поверхностная концентрация атомов Au 1.45•1015 см-2 принималась равной одному условному монослою (1 MLE). В экспериментах использовались СО и О2 высокой чистоты, которые контролируемым образом напускались в сверхвысоковакуумную камеру (1 Лэнгмюр (L) соответствует 10-6 Торр•с). Держатель образца, на котором кристалл Mo(110) был установлен соосно с кварцевым резонатором, позволял охлаждение образца жидким азотом до 90 К, нагрев до температур 1000-1500 К путем пропускания тока через образец, а также высокотемпературный прогрев электронной бомбардировкой до 2700 К. Результаты и их обсуждение Принимая во внимание, что вероятность туннелирования электронов через оксидный диэлектрический слой экспоненциально зависит от его толщины, измерения эффективности окисления СО на поверхности Au/Al2O3/Mo(110) были проведены при различной толщине оксида алюминия, а именно 2, 4, 6 и 8 монослоев. Поскольку реакция на поверхности адсорбента крайне чувствительна к состоянию поверхности, необходимо было обеспечить идентичность структурных электронных и адсорбционных свойств пленок оксида алюминия, а также свойств Au/Al2O3 при различной толщине пленки оксида алюминия. Согласно литературным данным [18, 19, 21-23], пленка оксида алюминия толщиной 2 монослоя обладает свойствами, схожими со свойствами объемного оксида алюминия. Более того, начиная с этой толщины пленка приобретает диэлектрические свойства [24-26]. Картины ДМЭ пленок оксида алюминия толщиной 2, 4, 6 и 8 монослоев практически идентичны и демонстрируют гексагональную симметрию, соответствующую α-Al2O3 (1000) (рис. 1, a, б), подобно наблюдаемой в работах [18, 19, 27]. Энергетическое положение межатомного оже-перехода Al и его интенсивность по отношению к амплитуде оже-линии O KVV кислорода практически идентичны для пленок оксида алюминия различной толщины. Это указывает на то, что стехиометрия оксидных пленок одинакова. Рис. 1. Картины ДМЭ оксида алюминия толщиной 2 (а) и 8 монослоев (б) на поверхности Мо(110). АСМ-изображения (в, г) и оже-спектры (д, е) покрытия золотом (0.7 ML) на обеих пленках Известно [28], что идентичность состояния поверхности пленок оксида алюминия подтверждается изучением адсорбционных свойств тестовых молекул, таких как, например, СО. ИК-спектры в области внутримолекулярных колебаний СО, адсорбированных при насыщающем покрытии (экспозиция 200 L) на 2-, 4-, 6- и 8-монослойных пленках оксида алюминия, охлажденных до 90 К, приведены на рис. 2. Как видно, спектры подобны, что свидетельствует о том, что состояние поверхности пленок оксида алюминия при всех исследованных толщинах практически одинаково. Поскольку известно, что СО не адсорбируется на регулярных участках оксида алюминия при 90 К [29], наблюдаемая ИК-линия поглощения, вероятно, связана с тем, что молекулы СО преимущественно адсорбируются на дефектах поверхности оксида [30]. Одинаковое энергетическое положение ИК-линии поглощения, ее интенсивность и полуширина позволяют предположить, что природа дефектов и их плотность одинаковы для всех исследованных нами пленок оксида алюминия. Довольно низкая интенсивность ИК-линии указывает на то, что плотность дефектов незначительна. Наиболее вероятной природой таких дефектов являются анионные вакансии, которые существуют в определенной степени даже в случае структурно-упорядоченных преимущественно стехиометрических пленок оксида алюминия, выращенных путем реактивного осаждения [31]. Они стимулируют адсорбцию молекул CO на поверхности оксида алюминия за счет переноса заряда с отрицательно заряженного F-центра подложки на разрыхляющую 2π*-орбиталь молекулы СО. Этот процесс незначителен на регулярных центрах идеальной подложки α-Al2O3 (1000) [32]. Сходство морфологии слоев Au (0.7 MLE), нанесенных на пленки оксида алюминия различной толщины, демонстрируется изображениями АСМ (рис. 1, в, г) и подтверждается подобием отношения интенсивностей оже-линий Au NVV к Al LVV (рис. 1, д, е) [19, 33]. Согласно DFT-расчетам Дженнисона и др. [34, 35], Au связывается с α-Al2O3 (1000) ионной связью при субмонослойном покрытии, в то время как при покрытиях, когда образуются трехмерные островки, в связи металла с оксидом преобладает поляризационный эффект. В целом, особенностью нанесенных на поверхность оксида частиц Au является то, что они, как правило, имеют нейтральный характер на регулярных участках поверхности [12, 36, 37]. Чтобы подтвердить, зависит ли состояние частиц Au от толщины пленки оксида алюминия, методом ИКС была исследована адсорбция молекул CO при экспозиции порядка 100 L. Все зарегистрированные при этом ИК-спектры, состоящие из колебательной линии СО при 2098 см-1, практически идентичны друг другу (рис. 3). Рис. 2. ИК-спектры СО, полученные после экспозиции (200 L в СО) поверхности пленок оксида алюминия толщиной 2 ML (1), 4 ML (2), 6 ML (3) и 8 ML (4) Рис 3. ИК-спектры c поверхности кластеров золота (0.7 ML) нанесенных на Al2O3/Mo(110) при Т = 90 К после экспозиции СО в 100 L. Толщина пленки оксида алюминия: 1 - 2 ML; 2 - 4 ML; 3 - 6 ML; 4 - 8 ML Наблюдаемое сходство ИК-спектров свидетельствует об одинаковом морфологическом и структурном состоянии пленок Au, независимо от толщины пленки оксида алюминия. Поскольку CO практически не адсорбируется на регулярной поверхности Au при используемых условиях [38], наблюдаемая ИК-линия поглощения может быть отнесена к молекулам, связанным с низкокоординированными центрами, имеющимися в наноразмерных кластерах Au, а также к межфазной границе раздела металл/оксид [12, 29, 38-40]. Меньшее значение волнового числа CO на Au (2098 см-1), по сравнению с таковым на поверхности оксида алюминия (2115 см-1), может быть обусловлено более высокой вероятностью переноса заряда от Au, чем от анионной вакансии оксида, на разрыхляющую 2π*-орбиталь молекулы СО. Постадсорбция кислорода при экспозиции 100 L на поверхности системы CO/Au/Al2O3 при 90 К приводит к фиолетовому смещению линии поглощения CO на 5-6 см-1 без заметного изменения ее интенсивности. Такое довольно незначительное изменение волнового числа вряд ли может быть приписано смещению молекулы в другой адсорбционный центр, вызванное адсорбцией кислорода. Последнее характеризовалось бы более значительным колебательным сдвигом [41]. Поскольку известно, что молекулярный кислород диссоциирует на ультрамалых частицах Au [3], наблюдаемый фиолетовый сдвиг ИК-линии можно объяснить снижением заселенности разрыхляющей 2π*-орбитали СО вследствие частичного переноса заряда на 2р-уровень атома кислорода, обладающего более высоким сродством к электрону [42]. Наблюдаемая довольно низкая чувствительность ИК-спектров CO к постадсорбции O2 позволяет предположить, что монооксид углерода и кислород не конкурируют за центр адсорбции на поверхности частицы золота при 90 К. Вместо этого они, вероятно, находятся в соседних адсорбционных центрах, слегка влияя друг на друга, что проявляется в наблюдаемом незначительном фиолетовом сдвиге ИК-линии поглощения. Согласно расчетам [43, 44], преимущественным адсорбционным центром атомарного кислорода является полость, образованная четырьмя атомами Au, в то время как СО связывается с атомами кластера Au. Более выраженный эффект, в конечном итоге приводящий к молекулярному превращению (CO + O2 → CO2), появляется при нагревании, стимулирующем миграцию адсорбированных частиц по поверхности и их активацию. Спектры термопрограммируемой десорбции (ТПД) для CO и CO2, полученные при непрерывном воздействии на систему CO/Au/Al2O3/Mo(110) кислорода (парциальное давление 10-6 Торр), приведены на рис. 4, а, б. Скорость развертки температуры была выбрана равной 1 К/с для обеспечения равновесности процесса, а масс-спектрометр ТПД был настроен на одновременную регистрацию CO (m/z = 28) и CO2 (m/z = 44). Как видно, наряду с десорбцией СО (рис. 4, а), образуется также СО2, хотя и в меньшей степени (рис. 4, б). Рис. 4. ТПД-спектры CO (a) и CO2 (б), полученные при непрерывной выдержке системы CO/Au/Al2O3 в среде с парциальным давлением кислорода 10-6 Торр. На вставке - области максимумов ТПД-пиков. Толщина пленки оксида алюминия: 1 - 2 ML; 2 - 4 ML; 3 - 6 ML; 4 - 8 ML Более детальное рассмотрение областей максимумов ТПД-спектров (рис. 4, вставки) показывает, что существует особенность, заключающаяся в том, что интенсивность сигнала СО растет, а СО2 соответственно падает с увеличением толщины оксидной пленки. Это означает, что эффективность окисления СО выше для более тонкой межслойной пленки оксида алюминия. Эффективность (σ) можно качественно определить как отношение интенсивности (I) ТПД-линий СО2 и СО (σ = I(CO2)/I(CO)). Зависимость этой величины от толщины пленки оксида алюминия приведена на рис. 5. Принимая во внимание, что скорость окисления CO на поверхности нанесенных кластеров Au зависит от величины их заряда, наблюдаемую зависимость можно расценивать как указание на Рис. 5. Зависимость отношения интенсивности ТПД-линий CO2 к CO от толщины пленки оксида алюминия (точки). В виде непрерывной кривой приведена экспоненциальная аппроксимация полученной зависимости то, что туннелирование электронов металлической подложки Mo(110) через пленку оксида алюминия в область реакции на поверхности Au/Al2O3 повышает эффективность окисления СО. Реакция реализуется при избыточном заряде, который формируется в результате туннельного эффекта из металлической подложки сквозь прослойку оксида алюминия. Это согласуется с результатами соответствующих теоретических исследований, свидетельствующих о том, что перезарядка нанесенного кластера Au во время цикла окисления СО существенно влияет на энергетику всех окислительно-восстановительных стадий в каталитических превращениях [45]. Кроме того, согласно [46], молекула O2 при адсорбции получает приблизительно один электрон, а длина связи O-O, зависящая от избыточного заряда молекулы, увеличивается до 1.39-1.47 Å в зависимости от размера кластера. Дополнительно к этому, на границе раздела металл/оксид происходит перераспределение заряда, вызванное адсорбцией реагентов. Теоретически такая особенность обоснована соответствующими расчетами [45], согласно которым для реализации процесса реакции на поверхности металлооксидных систем требуется резервуар электронов, которым в настоящем случае является металлическая подложка Мо(110), «поставляющая» заряд посредством туннелирования сквозь Al2O3. Данный эффект, однако, не является доминирующим: как видно из рис. 5, повышение эффективности окисления СО не очень значительно и не превышает 20%. Принимая во внимание возможность туннелирования электронов к частицам Au через оксидный слой, можно ожидать, что заряд частиц Au будет проявляться в изменении частоты ИК-линий поглощения СО с изменением толщины оксидной пленки. Последнее, однако, не соответствует действительности. Как видно на рис. 3, частота, соответствующая СО, практически одинакова для всех исследованных толщин пленки оксида алюминия. Это означает, что в «статическом» режиме туннелирование может быть незначительным. Эффект будет усиливаться в условиях реакции, когда молекулярное окисление требует интенсивной динамической зарядки/перезарядки частиц Au, границы раздела металл/оксид и реагентов. Заключение Структурные, морфологические и адсорбционные свойства наноразмерных частиц Au на упорядоченной пленке Al2O3, выращенной на подложке Mo(110), подобны для оксидной пленки толщиной от 2 до 8 монослоев. В отличие от регулярной поверхности массивного Au, СО легко адсорбируется на нанесенных нанокластерах золота и на границе раздела металл/оксид при температуре подложки 90 К. Состояние адсорбированных молекул СО довольно слабо зависит от последующей адсорбции молекул кислорода, что свидетельствует о том, что эти молекулы занимают различные адсорбционные центры. Нагрев смешанного слоя (СО + О2) приводит к десорбции в газовую фазу как СО, так и СО2. Характерной особенностью этого процесса является то, что доля десорбирующихся молекул СО2 относительно СО экспоненциально уменьшается с увеличением толщины пленки оксида алюминия. Последнее, с учетом известного факта, что эффективность окисления СО зависит от количества избыточного заряда, приобретенного частицей Au, поверхностью раздела металл/оксид и реагентами, является свидетельством того, что туннелирование электронов между реакционной зоной и металлической подложкой через промежуточный оксидный слой стимулирует процесс окисления молекул СО.
Ключевые слова
реакция,
поверхность,
наночастицы,
металл,
оксид,
углерод,
туннелирование,
заряженные частицы,
золото,
алюминий,
молибденАвторы
Магкоев Тамерлан Таймуразович | Северо-Осетинский государственный университет им. К.Л. Хетагурова | д.ф.-м.н., профессор СОГУ | t_magkoev@mail.ru |
Силаев Иван Вадимович | Северо-Осетинский государственный университет им. К.Л. Хетагурова | к.т.н., доцент, зав. кафедрой физики и астрономии СОГУ | t_magkoev@mail.ru |
Ашхотов Олег Газизович | Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова; Северо-Осетинский государственный университет им. К.Л. Хетагурова | д.ф.-м.н., профессор КГБУ, СОГУ | oandi@rambler.ru |
Заалишвили Владислав Борисович | Геофизический институт ВНЦ РАН | д.ф.-м.н., профессор ГФИ ВНЦ РАН | vzaal@mail.ru |
Созаев Заурбек Тамерланович | Северо-Осетинский государственный университет им. К.Л. Хетагурова | аспирант СОГУ | ketroel@gmail.com |
Всего: 5
Ссылки
Vedrine J.C. Metal Oxides in Heterogeneous Catalysis. - Elsevier, 2018. - 618 p.
Chen S., Xiong F., Huang W. // Surf. Sci. Rep. - 2019. - V. 74. - P. 100471.
Picone A., Riva M., Brambilla A., et al. // Surf. Sci. Rep. - 2016. - V. 71. - P. 32.
Cai Y., Feng Y.P. // Progr. Surf. Sci. - 2016. - V. 91. - P. 183.
Honkala K. // Surf. Sci. Rep. - 2014. - V. 69. - P. 366.
Okazaki K., Morikawa Y., Tanaka S., et al. // Phys. Rev. B. - 2014. - V. 69. - P. 235404.
Sanchez A., Abbet S., Heiz U., et al. //j. Phys. Chem. A. - 1999. - V. 103. - P. 9573.
Yan Z., Chinta S., Mohamed A.A., et al. //j. Am. Chem. Soc. - 2005. - V. 127. - P. 1604.
Tvauri I.V., Gergieva B.E., et al. // Solid State Commun. - 2015. - V. 213-214. - P. 42.
Yoon G., Hakkinen H., Landman U. //j. Phys. Chem. A. - 2003. - V. 107. - P. 4066.
Lopez N., Norskov J.K., Janssens T.V.W., et al. //j. Catal. - 2004. - V. 225. - P. 86.
Fu Q., Wagner T. // Surf. Sci. Rep. - 2007. - V. 62. - P. 431.
Heemeier M., Stempel S., Shaikhutdinov S.K., et al. // Surf. Sci. - 2003. - V. 523. - P. 103.
Libuda J., Frank M., Sandell A., et al. // Surf. Sci. - 1997. - V. 384. - P. 106.
Baumer M., Biener J., Madix R.J. // Surf. Sci. - 1999. - V. 432. - P. 189.
Rodriguez J.A., Kuhn M., Hrbek J. //j. Phys. Chem. - 1996. - V. 100. - P. 18240.
Hirschmugl C.J. // Surf. Sci. - 2002. - V. 500. - P. 577.
Goodman D.W. //j. Vac. Sci. Technol. A. - 1996. - V. 14. - P. 1526.
Wu M.-C., Goodman D.W. //j. Phys. Chem. - 1994. - V. 98. - P. 9874.
Grigorkina G.S., Tvauri I.V., et al. // Solid State Commun. - 2016. - V. 233. - P. 11.
Jaeger R.M., Kuhlenbeck H., Freund H.-J., et al. // Surf. Sci. - 1991. - V. 259. - P. 235.
Becker C., Kandler J., Raaf H., et al. //j. Vac. Sci. Technol. A. - 1998. - V. 16. - P. 1000.
Jennison D.R., Verdozzi C., Schultz P.A., Sears M.P. // Phys. Rev. B. - 1999. - V. 59. - P. 15605.
Magkoev T.T., Vladimirov G.G. //j. Phys.: Condens. Matter. - 2001. - V. 13.- P. L655.
Magkoev T.T., Christmann K., Moutinho A.M.C., Murata Y. // Surf. Sci. - 2002. - V. 515. - P. 538.
Magkoev T.T., Vladimirov G.G., Remar D., Moutinho A.M.C. // Solid State Commun. - 2002. - V. 122. - P. 341.
Frederick G., Apai G., Rhodin T.N. // Phys. Rev. B. - 1991. - V. 44. - P. 1880.
Fierro J.L.G., De La Banda J.F.G. // Catal. Rev. - 1986. - V. 28. - P. 265.
Campbell C.T. // Surf. Sci. Rep. - 1997. - V. 27. - P. 1.
Zecchina A., Scarano D., Bordiga S., et al. // Catal. Today. - 1996. - V. 27. - P. 403.
Renaud G., Villette B., Vilfan I., Bourret A. // Phys. Rev. Lett. - 1994. - V. 73. - P. 1825.
Casarin M., Maccato C., Vittadini A. //j. Phys. Chem. B. - 2002. - V. 106. - P. 795.
Ossicini S., Memeo R., Ciccacci F. //j. Vac. Sci. Technol. A. - 1985. - V. 3. - P. 387.
Bogicevic A., Jennison D.R. // Phys. Rev. Lett. - 1999. - V. 82. - P. 4050.
Mattsson A.E., Jennison D.R. // Surf. Sci. - 2002. - V. 520. - P. L611.
Cao Y., Hu S., Yu M., et al. // Phys. Chem. Chem. Phys. - 2016. - V. 18. - P. 17660.
Marquez A.M., Graciani J., Sanz J.F. // Theor. Chem. Acc. - 2010. - V. 126. - P. 265.
Meyer R., Lemire C., Shaikhutdinov Sh. K., Freund H.-J. // Gold Bulletin. - 2004. - V. 37. - P. 72.
Grisel R., Weststrate K., Gluhoi A., Nieuwenhuys B.E. // Gold Bulletin. - 2002. - V. 35. - P. 39.
Hussain A., Ferre D.C., Gracia J., et al. // Surf. Sci. - 2009. - V. 603. - P. 2734.
Davis S.P., Abrams M.C., Brauet J.W. Fourier-transform Spectroscopy. - New York, London: Academic Press, 2001. - 261 p.
Doyen G., Ertl G. // Surf. Sci. - 1974. - V. 43. - P. 197.
Hussain A., Muller A.J., Nieuwenhuys B.E., et al. // Top Catal. - 2011. - V. 54. - P. 415.
Wang Y.-G., Yoon Y., Glezakou V.-A., et al. //j. Am. Chem. Soc. - 2013. - V. 135. - P. 10673.
Camellone M.F., Kowalski P.M., Marx D. // Phys. Rev. B. - 2011. - V. 84. - P. 035413.
Harding C., Habibpour V., Kunz S., et al. //j. Am. Chem. Soc. - 2008. - V. 131. - P. 538.