Широтная и амплитудная модуляция тока пучка для управления его мощностью в течение импульса субмиллисекундной длительности | Известия вузов. Физика. 2022. № 11. DOI: 10.17223/00213411/65/11/176

Широтная и амплитудная модуляция тока пучка для управления его мощностью в течение импульса субмиллисекундной длительности

Описаны способы управления мощностью электронного пучка в источнике электронов на основе дугового разряда низкого давления со слоевой стабилизацией границы эмиссионной плазмы. Управление мощностью пучка осуществляется методом амплитудной и широтной модуляции тока пучка внутри его импульса субмиллисекундной длительности. Реализовано два способа управления мощностью электронного пучка: первый основан на изменении концентрации эмиссионной плазмы посредством модуляции тока дугового разряда, во втором способе применяется сеточное управление (режим работы плазменного триода) при постоянной амплитуде тока дугового разряда. Представлены упрощенные схемы источников электропитания разряда и межсеточного управляющего напряжения, типичные осциллограммы основных токов разрядной системы, график малоинерционного изменения мощности, характеристика управления плазменного триода.

Latitude and amplitude modulation of the beam current for controlling its power during a submillisecond pulse.pdf Введение Источники импульсных электронных пучков представляют значительный интерес, прежде всего, в связи с перспективностью их использования для обработки поверхности материалов, повышения износостойкости режущего инструмента, увеличения усталостной прочности лопаток турбин и компрессоров, повышения коррозионной стойкости металлических материалов, увеличения электрической прочности вакуумной изоляции и др. [1-4], и нуждаются в дальнейшем изучении и технологическом совершенствовании. Традиционный способ генерации электронных пучков в импульсном режиме чаще всего основан на подаче импульса тока пучка квазипрямоугольной формы. В этом случае оперируют таким параметром, как плотность энергии пучка при его фиксированной длительности, пренебрегая изменением мощности пучка в течение его импульса. Изменение мощности пучка в течение импульса может быть связано со снижением ускоряющего напряжения при уносе заряда из конденсаторной батареи, используемой для питания ускоряющего промежутка. Достижение «квазипостоянной» мощности в этом случае достигается только за счет увеличения емкости конденсаторной батареи, которая в случае генерации интенсивных (сотни ампер, десятки килоэлектронвольт) пучков субмиллисекундной длительности достигает десятков микрофарад и имеет существенные массогабариты. Кроме этого, данный способ генерации накладывает ограничения на возможные режимы обработки материалов и изделий, а также на предельные параметры работы источника электронов. Управление мощностью пучка в течение импульса открывает новые возможности обработки различных материалов и изделий, а также расширяет области применения импульсных электронных пучков. Например, реализуется обработка металлических материалов интенсивным потоком энергии переменной мощности и моделирование теплового воздействия по заданному закону изменения температуры поверхности [5]. Для реализации управления мощностью электронного пучка в течение импульса субмиллисекундной длительности наиболее подходящими объектами являются плазменные источники электронов с сеточной стабилизацией границы эмиссионной плазмы. Использование плазменных катодов на основе дугового разряда низкого давления представляется наиболее целесообразным и перспективным, так как в настоящее время они являются практически единственными эмиссионными структурами, способными обеспечить широкий (десятки см2) интенсивный (сотни ампер) электронный пучок субмиллисекундной длительности и к тому же обладают рядом неоспоримых преимуществ перед традиционными термо- и взрывоэмиссионными катодами как по параметрам, так и по эксплуатационным свойствам, что позволяет осуществлять обработку материалов в режимах, не достижимых при использовании других источников, а сеточная/слоевая стабилизация границы катодной/эмиссионной плазмы в таких источниках позволяет осуществлять независимую регулировку основных параметров электронного пучка (таких как энергия электронов, амплитуда тока пучка, длительность и частота следования импульсов), что облегчает научный поиск оптимальных режимов облучения в сравнительно широком диапазоне параметров пучка [6-9]. Такие источники позволяют проводить комплексные исследования (с перспективой дальнейших промышленных применений) по модификации поверхности материалов и изделий с одновременной оптимизацией режимов электронно-пучковых воздействий. В работе продемонстрированы два способа управления мощностью электронного пучка в течение его импульса субмиллисекундной длительности. Первый способ основан на управлении амплитудой тока разряда, а второй - на сеточном управлении тока электронного пучка (режим плазменного триода). Методы и материалы Работа выполнена с использованием источника электронов «СОЛО» с плазменным катодом на основе дугового разряда низкого давления с сеточной стабилизацией границы эмиссионной плазмы и плазменным анодом (рис. 1), граница которого открыта и подвижна, что позволяет генерировать широкий (диаметром до 40 мм) интенсивный (до 200 А) субмиллисекундный (до 500 мкс) электронный пучок [10, 11]. Рис. 1. Схема электронного источника «СОЛО» с сеточным плазменным катодом и плазменным анодом Источник электронов «СОЛО» с плазменным катодом основан на системе двухступенчатого зажигания разряда. Между электродом 1, помещенным в поле постоянных магнитов 12, и катодом 2 при приложении импульса напряжения Utrig величиной 12-15 кВ зажигается инициирующий (поджигающий) разряд. Основной дуговой разряд горит между катодом 2 и электродами 5, 6. Анодная вставка 3, электрически соединенная с анодом дугового разряда через токоограничительное сопротивление RHA, необходима для облегчения условий зажигания дугового разряда и крепления дополнительного перераспределяющего электрода 4, имеющего с ней электрический контакт. Электрод 4 используется для выравнивания распределения плотности эмиссионного тока [12] и самосогласованной стабилизации тока в ускоряющем промежутке [13]. В центре эмиссионного электрода 6, являющегося пластиной из нержавеющей стали, выполнено отверстие диаметром 40 мм. Для обеспечения слоевой стабилизации границы эмиссионной плазмы отверстие в эмиссионном электроде перекрыто мелкоячеистой сеткой 5. Постоянное ускоряющее напряжение прикладывается между эмиссионным электродом 6 и извлекающим электродом 7, выполненным в виде диафрагмы диаметром 82 мм. Извлекающий электрод 7, труба дрейфа 8 и коллектор 10 находятся под потенциалом «земли». Первоначально отбор электронов из эмиссионной плазмы осуществляется через ячейки эмиссионной сетки под действием электрического поля, создаваемого электродами 7 и 8. После образования анодной плазмы ускорение электронов происходит в двойном слое между границами катодной и анодной плазмы. В исходной системе источника ускоренные электроны пучка транспортируются к коллектору в магнитном поле двух катушек 9, 11, величина поля (Bz1, Bz2) в которых может достигать 100 мТл. Амплитуда и длительность импульса тока пучка задаются амплитудой и длительностью импульса тока основного дугового разряда. В качестве рабочего газа используется аргон. Давление газа в рабочей камере варьируется в диапазоне (0.6-6)•10-2 Па. Уже ставший традиционным способ генерации пучка, при котором осуществляется формирование импульсов тока пучка квазипрямоугольной формы путем зажигания похожего по форме тока разряда, заменен на новый - метод амплитудно-широтно-модулированного импульса тока пучка. Данный способ генерации электронного пучка считается перспективным именно благодаря своей простоте реализации, а также широкому кругу возможных применений. Такой способ управления мощностью электронного пучка основан на амплитудной модуляции тока дугового разряда [14] вплоть до его отключения. Одним из способов изменения тока дугового разряда в течение его импульса является использование источника электропитания с набором балластных резисторов RN (рис. 2), каждый из которых задает требуемую амплитуду тока разряда, протекающего через эти резисторы от единой конденсаторной батареи С во время открытого состояния соответствующих транзисторов VTN. В данном случае использование четырех транзисторов VTN позволяет получать 2n = 24 = 16 значений амплитуды тока пучка в течение его импульса, включая нулевое значение, что также может быть необходимо, например, при введении энергии в поверхность образца несколькими импульсами, существующими в субмиллисекундном диапазоне. Рис. 2. Схема источника электропитания дугового разряда в источнике электронов с сеточным плазменным катодом, генерирующего пучок переменной мощности в течение импульса тока пучка. rd - переменный импеданс разряда Для получения линейной характеристики управления током разряда величи́ны токозадающих резисторов выбраны следующим образом: Ri = Ri-1 / 2. Предельная величина тока дугового разряда Id = 225 А (IR1 = 15 А, IR2 = 30 А, IR3 = 60 А, IR4 = 120 А), предельная длительность импульса составляет 1 мс, амплитудная дискретность Id равна 15 А, временная дискретность составляет 10 мкс. Второй способ управления мощностью электронного пучка в течение его импульса представляет собой внедрение дополнительного сеточного электрода, перекрывающего торец полого анода со стороны эмиссионного электрода. Таким образом реализуется режим работы плазменного триода, ток пучка в котором управляется межсеточным напряжением между полым анодом и эмиссионным электродом. Алгоритм работы источника смещения для сеточного управления (рис. 3) аналогичен алгоритму работы источника для управления амплитудой дугового разряда. В этом случае имеется набор емкостных накопителей, заряженных до напряжения: UCi = UCi-1•2, к каждому из которых подключен транзистор. Амплитудная дискретность составляет 10 В, а временная дискретность - 10 мкс. Наличие в схеме источника запирающего напряжения обосновано запиранием триода только при подаче дополнительного отрицательного потенциала на эмиссионный электрод относительно полого анода. Подача смещения источником управляющего напряжения (и модуляция) в этом случае осуществляется относительно запирающего напряжения. Рис. 3. Схема подключения источника управляющего напряжения в плазменном триоде Результаты и их обсуждение На рис. 4 приведены характерные осциллограммы тока дугового разряда плазменного катода Id, тока в ускоряющем промежутке I и напряжения на ускоряющем промежутке U. Рис. 4. Осциллограммы тока разряда Id, тока пучка I0 и ускоряющего напряжения U (а) при растущей мощности пучка P (б) и плотности энергии 25 Дж/см2 Поскольку появление тока I0 приводит к снижению напряжения U, это будет приводить к снижению мощности пучка в течение импульса даже при постоянной амплитуде его тока. Однако, используя возможность изменения тока разряда Id в течение импульса, мощность пучка может быть не только постоянной, но и растущей (рис. 4). Плотность энергии пучка составляла 25 Дж/см2. Продемонстрировано контролируемое изменение мощности в ускоряющем промежутке в диапазоне 0.4-4 МВт (рис. 5 и 6) даже с учетом снижения ускоряющего напряжения в течение импульса генерации пучка. Рис. 5. Осциллограммы основных токов разрядной системы при p = 28 мПа, Bz1 = 50 мТл, Bz2 = 30 мТл, U0 = 26 кВ Динамическое малоинерционное (≈ 0.5 МВт/мкс) изменение мощности электронного пучка в течение импульса субмиллисекундной длительности (рис. 6) открывает дополнительные возможности его использования как в научных, так и в технологических целях [14]. Рис. 6. Мощность пучка в ускоряющем промежутке при p = 28 мПа, Bz1 = 50 мТл, Bz2 = 30 мТл, U0 = 26 кВ При генерации электронного пучка в триодном режиме первоначально рассмотрена ВАХ источника электронов СОЛО в отсутствие модуляции. Поведение основных токов системы при изменении управляющего напряжения представлено на рис. 7. Рис. 7. Осциллограммы основных токов разрядной системы плазменного триода при управляющем напряжении: а - Uсм = -100 В; б - Uсм = -40 В; в - Uсм = 20 В; г - Uсм = 80 В. Режим: p = 35 мПа, Bz1 = Bz2 = 30 мТл, Id = 100 А, t = 200 мкс, U0 = 15 кВ Управление током электронного пучка посредством межсеточного напряжения в данном источнике имеет некоторые особенности: 1. Задержку «переключения» тока разряда в ускоряющий промежуток при постоянных отрицательных напряжениях Uсм. 2. Изменение токов в течение импульса субмиллисекундной длительности при постоянном управляющем потенциале. 3. Фоновый ток в ускоряющем промежутке (единицы ампер) (рис. 8), ранее также наблюдавшийся в работах [15, 16]. Рис. 8. Осциллограммы основных токов источника электронов СОЛО при p = 35 мПа, Bz1 = Bz2 = 60 мТл, Id = 100 А, t = 100 мкс, U0 = 15 кВ Поскольку во временном промежутке 150-200 мкс в большинстве режимов токи и напряжения стабилизируются (однако не во всех режимах), точки ВАХ выбраны следующим образом: величина напряжения и тока на эмиссионный электрод/тока в ускоряющем промежутке выбрана как средняя величина во временном диапазоне импульса 150-200 мкс. Можно выделить четыре характерных варианта (стадии) поведения тока Iemel и тока I0, сменяющих друг друга по мере увеличения напряжения между управляющими сетками. Первая стадия при Uсм (уставка) -100 В характеризуется линейным повышением тока на эмиссионный электрод со скоростью порядка 3•104 А/с от значения, близкого к нулю. В таком режиме отсутствует явный порог начала эмиссии по времени. Ниже на рис. 10 показаны осциллограммы токов, на которых видно, что при отсутствии тока на эмиссионный электрод в ускоряющем промежутке в течение импульса происходит нарастание тока, который достигает единиц ампер - фоновый ток. Вторая стадия при Uсм (уставка) -40 В характеризуется относительно резким (3•106 А/с) повышением тока I0 после задержки и его стабилизацией за время порядка 100 мкс на определенном уровне. Третья стадия проявляется при Uсм (уставка) 20 В и характеризуется резким всплеском тока после задержки, спадом до определенного уровня с последующей стабилизацией. Переходные процессы занимают порядка 50 мкс. Четвертая стадия наблюдается при Uсм (уставка) 80 В и характеризуется минимальной задержкой тока после инициирования разряда с более высоким значением тока на эмиссионный электрод относительно предыдущих стадий. Однако характерное межсеточное напряжение, при котором реализуется тот или иной вариант развития тока в ускоряющем промежутке и тока на эмиссионный электрод, как и некоторые частности временной динамики тока, могут отличаться в зависимости от параметров генерации (магнитное поле, рабочее давление, ускоряющее напряжение, ток разряда). Характеристика управления созданным плазменным триодом представлена на рис. 9 в виде зависимостей коэффициента усиления тока разряда K0, равного отношению тока в ускоряющем промежутке I0 к общему току разряда Id: K0 = I0/Id, от межсеточного напряжения Uсм для различных рабочих давлений. Зависимости имеют сложный вид - прирост тока в зависимости от прироста управляющего потенциала имеет немонотонный характер. При потенциале перехода от третьей к четвертой стадии переключения тока на эмиссионный электрод происходит резкое повышение коэффициента K0 из разряда, затем следует область насыщения. Рис. 9. Коэффициент усиления тока разряда в зависимости от управляющего напряжения при Id = 100 A, U0 = 15 кВ, Bz1 = Bz2 = 60 мТл На рис. 10 показаны основные токи и напряжения разрядной системы при работе источника в режиме плазменного триода. Рассмотрена динамика основных токов и напряжений при амплитудной модуляции электронного пучка. В качестве модельной задавалась растущая трехступенчатая форма импульса тока в ускоряющем промежутке с длительностью ступени 30 мкс и паузами между ними 30 мкс. Управляющее напряжение между сетками Uсм в паузах использовали -50 В, во время ступеней - -35, 15 и 30 В. Рис. 10. Осциллограммы основных токов и напряжений. Режим: p = 35 мПа, Bz1 = Bz2 = 30 мТл, Id = 100 А, t = 200 мкс, U0 = 10 кВ Из осциллограмм видно, что управляющего напряжения Uсм = -50 В недостаточно для запирания тока в ускоряющем промежутке после его инициирования. Такой эффект проявляется из-за образования анодной плазмы, генерируемой самим пучком. Расширение пучковой плазмы, граница которой открыта и подвижна, и ее приближение к поверхности эмиссионного электрода повышают напряженность электрического поля в ячейках эмиссионной сетки, тем самым повышая коэффициент усиления тока разряда K0. Максимальная мощность в ускоряющем промежутке, которой удалось достичь в режиме плазменного триода, составляет 2.5 МВт (рис. 11). Режим генерации был следующий: Id = 200 A, tимп = 40 мкс, U0 = 22 кВ, p = 40 мПа, Bz1 = Bz2 = 100 мТл, Uha-emel(опорное) = -100 В, Uсм1 = -50 В, Uсм2 = 50 В. Рис. 11. Управление мощностью электронного пучка в течение импульса Ограничивающим фактором является уменьшение коэффициента Kemel (коэффициент переключения разряда, равный отношению тока на эмиссионный электрод Iemel к общему току разряда Id: Kemel = Iemel/Id) с увеличением Id, а также электрические пробои на фронте и срезе генерируемых импульсов в режимах с увеличенным током на этих участках. Также стоит отметить наличие фонового тока в ускоряющем промежутке величиной около 18 А при опорном управляющем напряжении Uha-emel(опорное) = -100 В. Заключение Таким образом, в работе продемонстрированы два способа управления мощностью электронного пучка в течение его импульса с помощью дискретного изменения управляемого параметра. В случае управления мощностью электронного пучка концентрацией эмиссионной плазмы таким параметром является амплитуда дугового разряда, в случае режима работы плазменного триода (с дополнительным сеточным электродом) этим параметром является межсеточное напряжение. Применение данных способов генерации существенно расширяет возможности импульсной электронно-пучковой обработки и, прежде всего, может быть востребовано специалистами из материаловедческой области. Кроме этого, такой подход генерации электронных пучков переменной мощности в течение импульса может быть востребован и в других областях, например, при генерации СВЧ-излучения, накачки газовых лазеров и др.

Ключевые слова

плазменный эмиттер, электронный пучок, дуговой разряд, сеточное управление, модуляция тока пучка, управление мощностью пучка

Авторы

ФИООрганизацияДополнительноE-mail
Шин Владислав ИгоревичИнститут сильноточной электроники СО РАНмл. науч. сотр. лаборатории плазменной эмиссионной электроники ИСЭ СО РАНshin.v.i@yandex.ru
Воробьёв Максим СергеевичИнститут сильноточной электроники СО РАНк.т.н., ст. науч. сотр. лаборатории плазменной эмиссионной электроники ИСЭ СО РАНvorobyovms@yandex.ru
Москвин Павел ВладимировичИнститут сильноточной электроники СО РАНмл. науч. сотр. лаборатории плазменной эмиссионной электроники ИСЭ СО РАНpavelmoskvin@mail.ru
Девятков Владимир НиколаевичИнститут сильноточной электроники СО РАНнауч. сотр. лаборатории плазменной эмиссионной электроники ИСЭ СО РАНvlad@opee.hcei.tsc.ru
Яковлев Владислав ВикторовичИнститут сильноточной электроники СО РАНнауч. сотр. лаборатории плазменно-пучковой инженерии поверхности ИСЭ СО РАНvlad000@rambler.ru
Коваль Николай НиколаевичИнститут сильноточной электроники СО РАНд.т.н., профессор, гл. науч. сотр. лаборатории плазменной эмиссионной электроники ИСЭ СО РАНkoval@opee.hcei.tsc.ru
Торба Максим СергеевичИнститут сильноточной электроники СО РАНмл. науч. сотр. лаборатории плазменной эмиссионной электроники ИСЭ СО РАНmtorba9@gmail.com
Картавцов Руслан АлександровичИнститут сильноточной электроники СО РАНинженер лаборатории плазменной эмиссионной электроники ИСЭ СО РАНkartavcov@gmail.com
Воробьёв Сергей АлександровичИнститут сильноточной электроники СО РАНтехник лаборатории плазменной эмиссионной электроники ИСЭ СО РАНtopoviy93@gmail.com
Всего: 9

Ссылки

Proskurovsky D.I. // Proc. of 11th Int. Conf. on High Power Particle Beams (BEAMS-96). - 1996. - V. 1. - P. 259.
Proskurovsky D.I. //j. Vacuum Sci. Technol. A. - 1998. - V. 16. - Iss. 4. - P. 2480.
Engelko V. // Vacuum. - 2001. - V. 62. - Iss. 2-3. - P. 97.
Коваль Н.Н., Девятков В.Н., Воробьев М.С. // Изв. вузов. Физика. - 2020. - Т. 63. - Вып. 10. - С. 7.
Vorobyov M., Koval T., Shin V., et al. // IEEE Trans. Plasma Sci. - 2021. - V. 49. - No. 9. - P. 2550.
Бугаев С.П., Крейндель Ю.Е., Щанин П.М. Электронные пучки большого сечения. - М.: Энергоатомиздат, 1984. - 113 c.
Гаврилов Н.В., Гушенец В.И., Коваль Н.Н. и др. Источники заряженных частиц с плазменным эмиттером. - Екатеринбург: УИФ «Наука», 1993. - 148 c.
Коваль Н.Н., Окс Е.М., Протасов Ю.С., Семашко Н.Н. Эмиссионная электроника. - М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009. - 596 с.
Воробьёв М.С., Гамермайстер С.А., Девятков В.Н. и др. // Письма в ЖТФ. - 2014. - Т. 40. - Вып. 12. - С. 24.
Grigoriev S.V., Koval N.N., Devyatkov V.N., Teresov A.D. // Proc. 9th Intn. Conf. on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows. - 2008. - P. 19.
Девятков В.Н., Коваль Н.Н. // Изв. вузов. Физика. - 2017. - Т. 60. - № 9. - С. 44-48.
Казаков А.В., Медовник А.В., Бурдовицин В.А., Окс Е.М. // Изв. вузов. Физика. - 2014. - Т. 57. - № 11/3. - С. 68.
Воробьев М.С., Москвин П.В., Шин В.И. и др. // ЖТФ. - 2022. - Т. 92. - Вып. 6. - С. 883.
Воробьёв М.С., Москвин П.В., Шин В.И. и др. // Письма в ЖТФ. - 2021. - Т. 47. - Вып. 10. - С. 38.
Gushenets V.I., Shchanin P.M. // ЖТФ. - 1993. - Т. 63. - Вып. 12. - С. 25.
Гушенец В.И., Коваль Н.Н., Щанин П.М. // Письма в ЖТФ. - 1990. - Т. 16. - Вып. 8. - С. 12.
 Широтная и амплитудная модуляция тока пучка для управления его мощностью в течение импульса субмиллисекундной длительности | Известия вузов. Физика. 2022. № 11. DOI: 10.17223/00213411/65/11/176

Широтная и амплитудная модуляция тока пучка для управления его мощностью в течение импульса субмиллисекундной длительности | Известия вузов. Физика. 2022. № 11. DOI: 10.17223/00213411/65/11/176