Ионная очистка поверхностей Ge-подложек перед ионно-лучевым напылением тонких пленок | Известия вузов. Физика. 2025. № 1. DOI: 10.17223/00213411/68/1/10

Ионная очистка поверхностей Ge-подложек перед ионно-лучевым напылением тонких пленок

На базе вакуумно-напылительной установки Аспира-200 определены оптимальные параметры ионной очистки для обработки поверхности полупроводниковых материалов на примере монокристалла Ge. Определены характерные размеры кратеров пробоев на полупроводниковой поверхности при недостаточной (0.8-1.8 мкм) и избыточной (12-25 мкм) компенсации заряда от источника ионной очистки. Из вольт-амперных характеристик найден коэффициент компенсации, при котором не наблюдается пробоев на поверхности монокристалла Ge. Установлено, что при оптимальных параметрах нагрев подложки не влияет на результат ионной очистки.

Скачать электронную версию публикации

Загружен, раз: 5

Ключевые слова

ионная очистка, полупроводниковые материалы, система вакуумного осаждения

Авторы

ФИО	Организация	Дополнительно	E-mail
Кузнецов Владимир Сергеевич	Национальный исследовательский Томский государственный университет; ООО «Лаборатория оптических кристаллов»	к.ф.-м.н., науч. сотр.; инженер	robert_smith_93@mail.ru
Зиновьев Михаил Михайлович	Национальный исследовательский Томский государственный университет; ООО «Лаборатория оптических кристаллов»	мл. науч. сотр.; оптик	muxa9229@gmail.com
Юдин Николай Николаевич	Национальный исследовательский Томский государственный университет; ООО «Лаборатория оптических кристаллов»	к.ф.-м.н., директор НОЦ ОФТ; зам. директора по науке	rach3@yandex.ru
Подзывалов Сергей Николаевич	Национальный исследовательский Томский государственный университет; ООО «Лаборатория оптических кристаллов»	аспирант, мл. науч. сотр.; зам. начальника по инновациям	cginen@yandex.ru
Слюнько Елена Сергеевна	Национальный исследовательский Томский государственный университет; ООО «Лаборатория оптических кристаллов»	аспирант, мл. науч. сотр.; начальник ОТК	elenohka266@mail.ru
Лысенко Алексей Борисович	Национальный исследовательский Томский государственный университет; ООО «Лаборатория оптических кристаллов»	аспирант, мл. науч. сотр.; ведущ. химик	festality@yandex.ru
Кальсин Андрей Юрьевич	Национальный исследовательский Томский государственный университет; ООО «Лаборатория оптических кристаллов»	аспирант; технолог	andrejkalsin@gmail.com
Баалбаки Хуссейн	Национальный исследовательский Томский государственный университет; ООО «Лаборатория оптических кристаллов»	ассистент; инженер	houssainsyr1@gmail.com
Грибенюков Александр Иванович	Национальный исследовательский Томский государственный университет; ООО «Лаборатория оптических кристаллов»	к.ф.-м.н., ст. науч. сотр.; ведущ. оптик	alexander.gribenyukov@yandex.ru
Габдрахманов Акмаль Шамилович	Национальный исследовательский Томский государственный университет; ООО «Лаборатория оптических кристаллов»	аспирант; оптик	Realist98937@mail.ru
Кулеш Максим Матвеевич	Национальный исследовательский Томский государственный университет	студент	dv472@mail.ru
Антипов Олег Леонидович	Институт прикладной физики РАН	д.ф.-м.н., ведущ. науч. сотр.	antipov@ipfran.ru

Всего: 12

Ссылки

Springer Handbook of Material Measurement Methods / eds. H. Czichos, T. Saito, L. Smith. - Springer, 2006.

Stranak V., Bogdanowicz R., Sezemsky P., et al. // Surf. Coat. Technol. - 2018. - V. 335. - P. 126-133.

Cosar M.B., Aydogdu G.H., Batman H., Ozhan A.E.S. // Surf. Coat. Technol. - 2017. - V. 314. - P. 118-124.

Trubetskov M., Amotchkina T., Tikhonravov A. // Appl. Opt. - 2015. - V. 54. - P. 1900-1909.

Bundesmann C., Neumann H. // J. Appl. Phys. -2018. - V. 124. - P. 231102.

Coad J., Dugdale R., Martindale L. // Vacuum. - 1981. - V. 8-9. - P. 365-370.

Zhu M., Xing H., Chai Y., et al. // Opt. Eng. - 2016. - V. 56(1). - P. 011003.