Контроль однородности полупроводниковых пленок в процессе проведения зондовых измерений удельной электропроводности | Известия вузов. Физика. 2025. № 2. DOI: 10.17223/00213411/68/2/9

Контроль однородности полупроводниковых пленок в процессе проведения зондовых измерений удельной электропроводности

Рассмотрены основные выражения, позволяющие определять значение удельной электропроводности в полупроводниковых пластинах и пленках прямоугольной и круглой формы при двухзондовом методе измерений на постоянном токе. На основе асимптотического анализа получены приближенные удобные для расчетов формулы для разности потенциалов между измерительными зондами. Показано, что в большинстве практически используемых случаев предлагаемые асимптотические формулы можно использовать без увеличения измерительной погрешности в случаях контроля однородности распределения электрофизических параметров исследуемых образцов.

Скачать электронную версию публикации

Загружен, раз: 2

Ключевые слова

полупроводниковый кристалл, двухзондовый метод, удельная электропроводность, граничные условия, асимптотический анализ

Авторы

ФИО	Организация	Дополнительно	E-mail
Заворотний Анатолий Анатольевич	Липецкий государственный технический университет	к.ф.-м.н., доцент кафедры физики и биомедицинской техники	aazavorotniy@mail.ru
Ершов Александр Анатольевич	Институт математики и механики им. Н.Н. Красовского УрО РАН	к.ф.-м.н., ст. науч. сотр.	ale10919@yandex.ru
Филиппов Владимир Владимирович	Липецкий государственный педагогический университет имени П.П. Семенова-Тян-Шанского; Липецкий казачий институт технологий и управления (филиал) Московского государственного университета технологий и управления им. К.Г. Разумовского (Первый казачий универ	д.ф.-м.н., доцент, профессор кафедры математики и физики; профессор кафедры естественных и технических наук	wwfilippow@mail.ru
Лузянин Сергей Евгеньевич	Липецкий государственный педагогический университет имени П.П. Семенова-Тян-Шанского	к.ф.-м.н., ст. преподаватель кафедры информатики, информационных технологий и защиты информации	luzyanin_se@mail.ru

Всего: 4

Ссылки

Li Q. Anisotropic Nanomaterials. Preparation, Properties and Applications. - Switzerland: Springer International Publishing, 2015. - 500 p.

Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Наноэлектроника: в 2 ч. Часть 1. - М.: Юрайт, 2022. - 285 с.

Yadav N., Jadav S., Saini G. // Silicon. - 2023. - V. 15. - P. 217-228. - URL:.

Yamamoto T. // IEEE International Conference on Interconnect Technology, 27-30 June 2022. - 2022. - P. 40-41. -.

Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. - М.: Радио и связь, 1985. - 264 с.

Филиппов В.В. Особенности явлений электронного переноса в анизотропных полупроводниках. - М.: Спутник+, 2015. - 259 с.

Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. - М.: Высшая школа, 1987. - 240 с.

Lugansky L.B., Tsebro V.I. // Instrum. Exp. Tech. - 2015. - V. 58. - No. 1. - P. 118-129. -.

Поляков Н.Н. // Заводская лаборатория. - 1990. - Т. 56. - № 5. - С. 42-46.

Филиппов В.В., Лузянин С.Е., Богоносов К.А. // Изв. вузoв. Поволжский регион. Физико-математические науки. - 2022. - № 4. - С. 76-91. -.

Ершов А.А. // Журнал вычислительной математики и математической физики. - 2010. - Т. 50. - № 3. - С. 479-485. -.

Бронштейн И.Н., Семендяев К.А. Справочник по математике для инженеров и учащихся втузов. - М.: Лань, 2021. - 608 с.

Ершов А.А., Ершова А.А. // Материалы Всероссийской научно-практической конференции "Проблемы естественных, математических и технических наук в контексте современного образования", 25-26 ноября 2021 г. - Липецк: ЛГПУ имени П.П. Салтыкова-Тян-Шанского, 2021. - С. 112-119.

Filippov V.V., Bormontov E.N. // Semiconductors. - 2013. - V. 47. - No. 7. - P. 884-891. -.

Лузянин С.Е., Поляков Н.Н. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2002. - Т. 68. - № 9. - С. 42-45.