Влияние геометрического фактора пикселя на пространственное разрешение линейных фотоприемников СВИК-диапазона на основе материала кадмий – ртуть – теллур | Известия вузов. Физика. 2025. № 2. DOI: 10.17223/00213411/68/2/10

Влияние геометрического фактора пикселя на пространственное разрешение линейных фотоприемников СВИК-диапазона на основе материала кадмий – ртуть – теллур

Экспериментально исследовано влияние величины отношения размера диода к размеру пикселя на пространственное разрешение линейных фотовольтаических фотоприемников (ФП) средневолнового инфракрасного (СВИК) диапазона на основе материала кадмий - ртуть - теллур (КРТ). Измерения, проведенные на линейных ФП формата 288×4 элементов, изготовленных с применением молекулярно-лучевой эпитаксии, показали, что разрешение изученных ФП на основе материала КРТ с длиной диффузии фотоносителей ~ 40 мкм возрастает с увеличением размера диодов при постоянном шаге пикселей.

Скачать электронную версию публикации

Загружен, раз: 2

Ключевые слова

HgCdTe, фотоприемники средневолнового инфракрасного диапазона, разрешение фотоприемника, фотодиод, пиксель, геометрический фактор пикселя, функция рассеяния линии, частотно-контрастная характеристика, моделирование методом Монте-Карло, эквивалентная шуму разность температур

Авторы

ФИО	Организация	Дополнительно	E-mail
Васильев Владимир Васильевич	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН	к.ф.-м.н., ст. науч. сотр.	vas@isp.nsc.ru
Вишняков Алексей Витальевич	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН	к.ф.-м.н., науч. сотр.	vishn@isp.nsc.ru
Сабинина Ирина Викторовна	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН	к.ф.-м.н., ст. науч. сотр.	sabinina@isp.nsc.ru
Сидоров Георгий Юрьевич	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН	к.ф.-м.н., зам. директора	george@isp.nsc.ru
Стучинский Виктор Андреевич	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН	к.ф.-м.н., науч. сотр.	stuchin@isp.nsc.ru

Всего: 5

Ссылки

Рогальский А. Инфракрасные детекторы: пер. с англ. под ред. А.В. Войцеховского. - Новосибирск: Наука, 2003. - 636 с.

Ллойд Дж.М. Системы тепловидения: пер. с англ. Н.В. Васильченко. - М.: Мир, 1978. - 414 с.

Хадсон Р. Инфракрасные системы: пер. с англ. Я.Б. Герчикова, Ю.Е. Голубчика, С.Г. Кина. - М.: Мир, 1972. - 535 с.

Госсорг Ж. Инфракрасная термография. Основы, техника, применение. - М.: Мир, 1988. - 416 с.

Rogalski A. // Prog. Quantum Electron. - 2012. - V. 36. - P. 342-473.