Диэлектрические свойства композита на основе пористого тефлона, заполненного сегнетоэлектриком SС(NH₂)₂ | Известия вузов. Физика. 2025. № 3. DOI: 10.17223/00213411/68/3/8

Диэлектрические свойства композита на основе пористого тефлона, заполненного сегнетоэлектриком SС(NH₂)₂

Изучены температурные зависимости линейной диэлектрической проницаемости ε' для нанопористых тефлоновых матриц (220 нм), заполненных молекулярным сегнетоэлектриком SС(NH₂)₂, в сравнении с объемной тиомочевиной. Измерения проводились в режиме нагрева и охлаждения в интервале от 100 К до комнатной температуры. Обнаружено понижение сегнетоэлектрического фазового перехода I→II тиомочевины в пористом тефлоне, по сравнению с объемной тиомочевинной.

Скачать электронную версию публикации

Загружен, раз: 2

Ключевые слова

сегнетоэлектрик, тиомочевина, нанопористый тефлон, композит, диэлектрическая проницаемость, фазовый переход

Авторы

ФИО	Организация	Дополнительно	E-mail
Милинский Алексей Юрьевич	Благовещенский государственный педагогический университет	д.ф.-м.н., доцент	a.milinskiy@mail.ru
Барышников Сергей Васильевич	Благовещенский государственный педагогический университет	д.ф.-м.н., профессор	svbar2003@list.ru
Стукова Елена Владимировна	Амурский государственный университет	д.ф.-м.н., профессор	lenast@bk.ru

Всего: 3

Ссылки

Wang J.J., Ma X.Q., Li Q., et al. // Acta Mater. - 2013. - V. 61. - P. 7591.

Naberezhnov A.A., Vakhrushev S.B., Kumzerov Yu.A., Fokin A.V. // Ferroelectrics. - 2021. - V. 575. - P. 75.

Xu T., Shimada T., Uratani Y., et al. // Sci. Rep. - 2017. - V. 7. - P. 45373.

Chen S., Mo Y., Wu Y. // Phys. Scripta. - 2023. - V. 98. - P. 115937.

Милинский А.Ю., Барышников С.В., Стукова Е.В. и др. // ФТТ. - 2021. - Т. 63. - С. 767.

Baryshnikov S.V., Charnaya E.V., Shatskaya Y.A., et al. // Phys. Solid State. - 2011. - V. 53. - P. 1212.

Milinskiy A.Yu., Baryshnikov S.V., Charnaya E.V., et al. // J. Phys.: Cond. Matter. - 2019. - V. 31. - P. 485704.

Rysiakiewicz-Pasek E., Antropova T., Polyakova I., et al. // Materials. - 2020. - V. 13. - P. 3698.

Mikhaleva E.A., Gorev M.V., Bondarev V.S., et al. // J. Non-Crystall. Solids. - 2022. - V. 597. - P. 121935.

Li S., Eastman J.A., Li Z., et al. // Phys. Lett. A. - 1996. - V. 212. - P. 341.

Wang Y.G., Zhong W.L., Zhang P.L. // Solid State Commun. - 1994. - V. 92. - P. 519.

Wang C.L., Xin Y., Wang X.S., Zhong W.L. // Phys. Rev. B. - 2000. - V. 62. - P. 11423.

Charnaya E.V., Pirozerskii A.L., Tien C., Lee M.K. // Ferroelectrics. - 2007. - V. 350. - P. 75.

Morozovska A.N., Eliseev E.A., Glinchuk M.D. // Phys. Rev. B. - 2006. - V. 73. - P. 214106.

Davitadze S.T., Strukov B.A., Vysotskiǐ D.V., et al. // Phys. Solid State. - 2008. - V. 50. - P. 2303.

Goldsmith G.J., White J.G. // J. Chem. Phys. - 1959. - V. 31. - P. 1175.

Milinskii A.Yu., Baryshnikov S.V., Parfenov V.A., et al. // Trans. Electrical Electron. Mater. - 2018. - V. 19. - P. 206.

Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы: пер. с англ. под ред. В.В. Леманова, Г.А. Смоленского. - М.: Мир, 1981. - 736 с.

Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд / под ред. К.М. Рабе, Ч.Г. Анна, Ж.-М. Трискона: пер. с англ. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. - 440 с.

Zhang W., Xue Y., Fu Q., et al. // Powder Technol. - 2017. - V. 308. - P. 258.