Фотодетекторы УФ-излучения на основе пленок Ga2O3 с высоким быстродействием
Представлены результаты исследования фотоэлектрических характеристик структур Pt/Ga2O3 при воздействии ультрафиолетовым (УФ) излучением с длиной волны λ = 254 нм. Рассмотрено влияние температуры отжига в атмосфере воздуха и времени роста пленок Ga2O3 на фоточувствительность и быстродействие фотодетекторов на их основе. Пленки Ga2O3 были получены методом ВЧ-магнетронного распыления на сапфировые подложки с базовой ориентацией (0001). Пленки Ga2O3 характеризуются высокой прозрачностью в длинноволновом УФ- (UVA) и видимом (VIS) диапазонах. Максимальные значения токовой монохроматической чувствительности и отношения сигнал/шум характерны при напряжении 100 В и составили 140.6 мА/Вт и 2·105 отн. ед. соответственно. Структуры обладают высоким быстродействием, времена отклика и восстановления составили 7.6 и 2.0 мс соответственно при напряжении 10 В. В работе показана связь между фоточувствительностью и быстродействием фотодетекторов.
Ключевые слова
фотодетектор,
оксид галлия,
ВЧ-магнетронное распыление,
УФ-излучение,
быстродействиеАвторы
| Алмаев Дмитрий Александрович | Национальный исследовательский Томский государственный университет; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники | аспирант; преподаватель | almaev001@mail.ru |
| Цымбалов Александр Вячеславович | Национальный исследовательский Томский государственный университет | аспирант | zoldmine@gmail.com |
| Копьев Виктор Васильевич | Национальный исследовательский Томский государственный университет | к.ф.-м.н., ст. науч. сотр. | viktor.kopev@gmail.com |
| Кукенов Олжас Игоревич | Национальный исследовательский Томский государственный университет | аспирант | okukenov@mail.ru |
Всего: 4
Ссылки
Fei Z., Chen Z., et al. // J. Alloys Compd. - 2022. - V. 925. - P. 166632. - DOI: 10.1016/j.jallcom.2022.166632.
Zhao T., He H., et al. // ACS Appl. Nano Mater. - 2023. - V. 6. - P. 3856-3862. - DOI: 10.1021/acsanm.2c05499.
Pearton S.J., Yang J., et al. // Appl. Phys. Rev. - 2018. - V. 5. - P. 011301. - DOI: 10.1063/1.5006941.
Zhai H., Wu Z., et al. // Ceram.Int. - 2022. - V. 48. - No. 17. - P. 24213-24233. - DOI: 10.1016/j.ceramint.2022.06.066.
Chen X., Ren F., et al. // Photon. Res. - 2019. - V. 7. - P. 381-415. - DOI: 10.1364/PRJ.7.000381.
Hou X., Zou Y., et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2020. - V. 54. - P. 043001. - DOI: 10.1088/1361-6463/abbb45.
Moss T.S., Burrell G.J., Ellis B. Semiconductor Opto-Electronics. - Halsted Press Division, Wiley, 1973. - 441 p.
Cui S.J., Mei Z.X., et al. // Adv. Opt. Mater. - 2017. - V. 5. - P. 1700454. - DOI: 10.1002/adom.201700454.
Zhou C., Liu K., et al. // J. Alloys Compd. - 2020. - V. 840. - P. 155585. - DOI: 10.1016/j.jallcom.2020.155585.
Almaev A, Nikolaev V., et al. // IEEE Sensors J. - 2023. - V. 23. - No. 17. - P. 19245-19255. - DOI: 10.1109/JSEN.2023.3297127.
Kalygina V.M., Tsymbalov A.V., et al. // Crystals. - 2024. - V. 14(3). - P. 268. - DOI: 10.3390/cryst14030268.
Rose A. Concepts in Photoconductivity and Allied Problems. - N.Y.: Interscience Publishers, 1963. - 168 p.
Almaev A., Almaev D., et al. // IEEE Sensors J. - 2024. - V. 24. - No. 17. - P. 27401-27410. - DOI: 10.1109/JSEN.2024.3427867.
Gao X., Xit T., et al. // Appl. Phys. Lett. - 2024. - V. 125. - P. 172103. - DOI: 10.1063/5.0227397.
Zhou S., Peng X., et al. // Opt. Mater. Express. - 2022. - V. 12. - No. 1. - P. 327-337. - DOI: 10.1364/OME.449496.
Li L., Li C., et al. // J. Semiconductors. - 2023. - V. 44. - P. 062805. - DOI: 10.1088/1674-4926/44/6/062805.
He M., Zeng Q., Ye L. // Crystals. - 2023. - V. 13. - P. 1434. - DOI: 10.3390/cryst13101434.
Wang J., Ye L., et al. // J. Alloys Compd. - 2019. - V. 803. - P. 9-15. - DOI: 10.1016/j.jallcom.2019.06.224.
Wang C., Fan W.-H., et al. // Ceram.Int. - 2023. - V. 49. - P. 10634-10644. - DOI: 10.1016/j.ceramint.2022.11.251.
Arora K., Goel N., et al. // ACS Photonics. - 2018. - V. 5. - No. 6. - P. 2391-2401. - DOI: 10.1021/acsphotonics.8b00174.