Определение параметров энергетического спектра локализованных состояний сэндвич-структуры Al–Pb₃O₄–Al | Известия вузов. Физика. 2025. № 4. DOI: 10.17223/00213411/68/4/11

Определение параметров энергетического спектра локализованных состояний сэндвич-структуры Al–Pb₃O₄–Al

На основании релаксационных кривых темнового тока сэндвич-структур Al–Pb₃O₄–Al, перестроенных в координатах It -lg t , с последующим применением теоретического метода It = f(lg t ) характеристик были рассчитаны значения параметров, определяющих особенности энергетического спектра ловушек, влияющих на поляризационный процесс, происходящий в исследуемых составах под воздействием электрического поля и температуры.

Скачать электронную версию публикации

Загружен, раз: 2

Ключевые слова

тетраоксид свинца, метод It = f(lgt) характеристик, энергетический спектр локализованных центров, частота попыток выхода электронов из ловушек, энергия дискретного уровня, плотность энергетических состояний

Авторы

ФИО	Организация	Дополнительно	E-mail
Грабко Геннадий Иванович	Забайкальский государственный университет	к.ф.-м.н., доцент	pathnutii@mail.ru
Басс Максим Станиславович	Забайкальский государственный университет	к.т.н., доцент	bms77@mail.ru
Батухтин Сергей Геннадьевич	Забайкальский государственный университет	к.т.н., доцент	batuhtin1@mail.ru

Всего: 3

Ссылки

Луцкая О.Ф. Исследование влияния термодинамических условий синтеза при отсутствии и присутствии кислорода на некоторые электрофизические свойства монокристаллов сульфида кадмия: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук. - Л.: ЛЭТИ, 1969.

Тиман Б.Л., Карпова А.П. // ФТП. - 1973. - Т. 7. - № 2. - С. 230-235.

Бестаев М.В. Халькогениды элементов четвертой группы: получение, исследование и применение: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук. - СПб.: СПбГТУ «ЛЭТИ», 1999.

Гамарц А.Е. Фотолюминесценция в поликристаллических слоях на основе твердых растворов селенида свинца - селенида кадмия: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук. - СПб.: Изд-во СПбГТУ «ЛЭТИ», 2006.

Румянцева А.И. Рентгеноспектральный микроанализ оксидов и халькогенидов элементов II и IV группы: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук. - СПб.: СПбГТУ «ЛЭТИ», 1999.

Голубченко Н.В. Влияние примесей на кинетику и механизмы процессов окисления слоев селенида свинца при формировании фоточувствительных структур: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук. - СПб.: Изд-во СПбГТУ «ЛЭТИ», 2005.

Ахмеджанов А.Т. Получение и анализ газочувствительных и фоточувствительных наноструктурированных слоев на основе халькогенидов и оксидов элементов IV группы: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук. - Владикавказ: СОГУ, 2006.

Извозчиков В.А., Тимофеев О.А. Фотопроводящие окислы свинца в электронике. - Л.: Энергия, 1979. - 144 с.

Аванесян В.Т., Бордовский В.А., Баранова Е.П., Грабко Г.И. // ФТП. - 2007. - Т. 41. - № 12. - С. 1425-1428.

Аванесян В.Т., Баранова Е.П., Грабко Г.И. // ФТТ. - 2008. - Т. 50. - № 1. - С. 23-25.

Александрова О.А., Максимов А.И., Мошников В.А., Чеснокова Д.В. Халькогениды и оксиды элементов IV группы. Получение, исследование, применение / под ред. В.А. Мошникова. - СПб.: Технолит, 2008. - 240 с.

Марков В.Ф., Мухамедзянов Х.Н., Маскаева Л.Н. Материалы современной электроники: учеб. пособие. - Екатеринбург: УрФУ, 2014. - 272 с.

Грабко Г.И., Дружинин А.П. Материалы элементной базы электронных устройств и систем. Ч. 2. Кристаллические и поликристаллические высокоомные полупроводники: учеб. пособие. - Чита: ЗабГУ, 2022. - 107 с.

Марков В.Ф., Мухамедзянов Х.Н., Маскаева Л.Н., Смирнова З.И. // ФТП. - 2011. - Т. 45. - № 11. - С. 1459-1463.

Мухамедзянов Х.Н., Марков В.Ф., Маскаева Л.Н. // ФТП. - 2013. - Т. 47. - № 4. - С. 551-556.

Мараева Е.В., Мошников В.А., Таиров Ю.М. // ФТП. - 2013. - Т. 47. - № 10. - С. 1431-1434.

Мухамедзянов Х.Н., Марков В.Ф., Маскаева Л.Н. // ФТП. - 2014. - Т. 48. - № 2. - С. 278-282.

Мараева Е.В., Мошников В.А., Петров А.А, Таиров Ю.М. // ФТП. - 2016. - Т. 50. - № 6. - С. 791-793.

Сарыева Р.Х., Кожевникова Н.С., Маскаева Л.Н. и др. // Журн. физ. химии. - 2020. - Т. 94. - № 12. - С. 1776-1782.

Khanzode P.M., Halge D.I., Narwade V.N., et al. // Optik. - 2021. - V. 226. - P. 165933.

Лысанова М.А., Маскаева Л.Н., Марков В.Ф. // Бутлеровские сообщения. - 2023. - Т. 73. - № 1. - С. 1-19.

Марков В.Ф., Маскаева Л.Н., Бельцева А.В. // Патент на изобретение RU 2808317 С1, 28.11.2023. Заявка от 23.03.2023.

Грабко Г.И. // Материалы XX Междунар. науч.-техн. конф. «Кулагинские чтения: техника и технологии производственных процессов». - Чита: ЗабГУ, 2020. - С. 202-208.

Степанов Н.П., Грабко Г.И. // Изв. вузов. Физика. - 2023. - Т. 66. - № 6. - С. 11-21.

Грабко Г.И. // Изв. вузов. Физика. - 2024. - Т. 67. - № 3. - С. 100-106.

Грабко Г.И., Батухтин А.Г. // Изв. вузов. Физика. - 2024. - Т. 67. - № 8. - С. 59-65.

Simmons J.G., Tam M.C. // Phys. Rev. B. - 1973. - V. 7. - No. 8. - P. 3706-3713.

Simmons J.G., Taylor G.W., Tam M.C. // Phys. Rev. B. - 1973. - V. 7. - No. 8. - P. 3714-3719.

Nadkarni G.S., Simmons J.G. // Phys. Rev. B. - 1973. - V. 7. - No. 8. - P. 3719-3725.