Разбавленные магнитные полупроводники на основе кристаллической матрицы GaSe с внедренными атомами хрома: полуметаллические электронные свойства и локализованные магнитные моменты | Известия вузов. Физика. 2025. № 6. DOI: 10.17223/00213411/68/6/10

Разбавленные магнитные полупроводники на основе кристаллической матрицы GaSe с внедренными атомами хрома: полуметаллические электронные свойства и локализованные магнитные моменты

Выполнен расчет спин-поляризованных электронных свойств разбавленных магнитных полупроводников на основе кристаллов GaSe, содержащих атомы Cr в части катионных узлов. Согласно полученным результатам, Ga1- x Cr x Se при x = 0.042 обладает выраженной полуметаллической электронной структурой при ферромагнитном упорядочении магнитных моментов, локализованных на атомах Cr.

Скачать электронную версию публикации

Загружен, раз: 4

Ключевые слова

GaSe, разбавленный магнитный полупроводник, плотность электронных состояний, теория функционала плотности, полуметаллическая электронная структура

Авторы

ФИО	Организация	Дополнительно	E-mail
Брудный Валентин Натанович	Национальный исследовательский Томский государственный университет	д.ф.-м.н., профессор, директор НОЦ «Наноэлектроника», профессор кафедры физики полупроводников	brudnyi@mail.tsu.ru
Саркисов Сергей Юрьевич	Национальный исследовательский Томский государственный университет	к.ф.-м.н., ст. науч. сотр. научной лаборатории терагерцовых исследований, ст. науч. сотр. лаборатории детекторов синхротронных излучений	sarkisov@mail.tsu.ru

Всего: 2

Ссылки

Dederichs P.H., Sato K., Katayama-Yoshida H. // Ph. Transit. - 2005. - V. 78. - No. 9-11. - P. 851-867. - DOI: 10.1080/01411590500289229.

De Moraes A.R., Mosca D.H., Schreiner W.H., et al. // JMMM. - 2004. - V. 272-276. - P. 1551-1553. - DOI: 10.1016/j.jmmm.2003.12.263.

Редькин Р.А., Кобцев Д.А., Березная С.А. и др. // Изв. вузов. Физика. - 2020. - Т. 63. - № 9. - С. 50-54. - DOI: 10.17223/00213411/63/9/50.

Cai H., Gu Y., Lin Y.-C., et al. // Appl. Phys. Rev. - 2019. - V. 6. - No. 4. - P. 041312 (30 p.). - DOI: 10.1063/1.5123487.

Su X., Luo X., Chen Q., et al. // Opt. Express. - 2024. - V. 32. - No. 16. - P. 28953-28967. - DOI: 10.1364/OE.530697.

Itaya S., Yamamoto Y., Hori H. // J. Supercond. - 2005. - V. 18. - No. 1. - P. 83-85. - DOI: 10.1007/s10948-005-2155-7.

Mahadevan P., Zunger A. // Phys. Rev. B. - 2004. - V. 69. - No. 11. - P. 115211 (16 p.). - DOI: 10.1103/PhysRevB.69.115211.

Zhao Y.-J., Zunger A. // Phys. Rev. B. - 2004. - V. 69. - No. 10. - P. 104422 (8 p.). - DOI: 10.1103/PhysRevB.69.104422.

Pekarek T.M., Crooker B.C., Miotkowski I., Ramdas A.K. // J. Appl. Phys. - 1998. - V. 83. - No. 11. - P. 6557-6559. - DOI: 10.1063/1.367781.

Koëbel A., Zheng Y., Pétroff J.F., et al. // Phys. Rev. B. - 1997. - V. 59. - No. 19. - P. 12296-12302. - DOI: 10.1103/PhysRevB.56.12296.

http://www.vasp.at.

Perdew J.P., Burke K., Ernzerhof M. // Phys. Rev. Lett. - 1996. - V. 77. - No. 18. - P. 3865-3868. - DOI: 10.1103/PhysRevLett.77.3865.

Rak Zs., Mahanti S.D., Mandal K.C., Fernelius N.C. // Phys. Rev. B. - 2010. - V. 82. - No. 15. - P. 115203 (10 p.). - DOI: 10.1103/PhysRevB.82.155203.

Camara M.O.D., Mauger A., Devos I. // Phys. Rev. B. - 2002. - V. 65. - No. 12. - P. 125206 (12 p.). - DOI: 10.1103/PhysRevB.65.125206.

Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел: Физика химической связи: в 2 т. - М.: Мир, 1983. - Т. 1-2.

Nakanishi A., Matsubara T. // J. Phys. Soc. Jpn. - 1982. - V. 51. - No. 10. - P. 3219-3227. - DOI: 10.1143/JPSJ.51.3219.

Bassani F., Parravicini G.P. // Il Nuovo Cimento B. - 1967. - V. 50. - No. 1. - P. 95-128. - DOI: 10.1007/BF02710685.

Plucinski L., Johnson R.L., Kowalski B.J., et al. // Phys. Rev. B. - 2003. - V. 68. - No. 12. - P. 125304 (8 p.). - DOI: 10.1103/PhysRevB.68.125304.

Gouskov A., Camassel J., Gouskov L. // Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. - 1982. - V. 5. - P. 323-413. - DOI: 10.1016/0146-3535(82)90004-1.

Sarkisov S.Y., Picozzi S. // J. Phys.: Cond. Matter. - 2007. - V. 19. - No. 1. - P. 016210 (13 p.). - DOI: 10.1088/0953-8984/19/1/016210.