Моделирование сверхрешеточного барьера для nBn-структур на основе n-HgCdTe | Известия вузов. Физика. 2025. № 10. DOI: 10.17223/00213411/68/10/1

ГлавнаяАрхивМоделирование сверхрешеточного барьера для nBn-структур на основе n-HgCdTe | Известия вузов. Физика. 2025. № 10. DOI: 10.17223/00213411/68/10/1

Моделирование сверхрешеточного барьера для nBn-структур на основе n-HgCdTe

Проведена разработка физико-математической модели, позволяющей проводить вычисления энергетического спектра носителей заряда в сверхрешеточной структуре на основе n -HgCdTe для целей оптимизации параметров сверхрешеточного барьера в фоточувствительных nB ( SL ) n -структурах для MWIR- и LWIR-диапазонов. В основе модели лежит kp -метод (8-зонная kp -модель Кейна). Проведена оптимизация сверхрешеточного барьера для nB ( SL ) n -структуры на основе n -HgCdTe. Показано, что сверхрешетка из 15 периодов слоев HgTe (1.75 нм) / Hg0.3Cd0.7Te (2 нм) должна обеспечивать беспрепятственное прохождение фотогенерированных (неосновных) носителей заряда через барьерный слой при эффективном блокировании тока основных носителей заряда в структуре для детектирования излучения LWIR-диапазона.

Ключевые слова

барьерная структура, HgCdTe, nBn, сверхрешетка, молекулярно-лучевая эпитаксия, униполярная структура

Авторы

ФИООрганизацияДополнительноE-mail
Каширский Данила ЕвгеньевичНациональный исследовательский Томский государственный университетк.ф.-м.н., ст. науч. сотр.kde@mail.tsu.ru
Горн Дмитрий ИгоревичНациональный исследовательский Томский государственный университетк.ф.-м.н., зав. лабораториейgorn.di@gmail.com
Войцеховский Александр ВасильевичНациональный исследовательский Томский государственный университетд.ф.-м.н., гл. науч. сотр.vav43@mail.tsu.ru
Всего: 3

Ссылки

Shi Q., Zhang S.-K., Wang J.-L., Chu J.-H. // J. Infrared Millim. Waves. - 2022. - V. 41(1). - P. 139-150.
Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., et al. // Handbook of II-VI Semiconductor-Based Sensors and Radiation Detectors. - Cham: Springer, 2023. - Ch. 6. - P. 135-154.
Mikhailov N.N., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., et al. // J. Opt. Technol. - 2024. - V. 91(2). - P. 105-111.
Kopytko M., Wrobel J., Jozwikowska K., et al. // J. Electron. Mater. - 2015. - V. 44(1). - P. 158-166.
Benyahia D., Martyniuk P., Kopytko M., et al. // Opt. Quant. Electron. - 2016. - V. 48. - P. 215.
Моделирование сверхрешеточного барьера для <i>nBn</i>-структур на основе <i>n</i>-HgCdTe | Известия вузов. Физика. 2025. № 10. DOI: 10.17223/00213411/68/10/1

Моделирование сверхрешеточного барьера для nBn-структур на основе n-HgCdTe | Известия вузов. Физика. 2025. № 10. DOI: 10.17223/00213411/68/10/1