Энергетика образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом | Известия вузов. Физика. 2025. № 12. DOI: 10.17223/00213411/68/12/7

Энергетика образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом

На основе развития существующих термодинамических моделей эпитаксиального роста рассмотрена энергетика образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом. Предложен метод оценки величины поверхностной энергии граней при известном контактном угле. Показано существование равновесного значения угла при основании, при котором для заданных энергетических, упругих и морфологических параметров системы достигается минимум свободной энергии, что соответствует экспериментально наблюдаемой геометрической форме островка.

Скачать электронную версию публикации

Загружен, раз: 2

Ключевые слова

молекулярно-лучевая эпитаксия, квантовая точка, термодинамика роста, контактный угол

Авторы

ФИО	Организация	Дополнительно	E-mail
Лозовой Кирилл Александрович	Национальный исследовательский Томский государственный университет	к.ф.-м.н., доцент	lozovoymailbox@mail.ru

Всего: 1

Ссылки

Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А. и др. // Успехи прикладной физики. - 2013. - Т. 1. - № 3. - С. 338-343.

Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А. и др. // ФТП. - 1998. - Т. 32. - № 4. - С. 385-410.

Диб Х., Лозовой К.А., Коханенко А.П. // Изв. вузов. Физика. - 2024. - Т. 67. - № 2. - С. 5-13.

Лозовой К.А., Дирко В.В., Коханенко А.П. и др. // Изв. вузов. Физика. - 2025. - Т. 68. - № 3. - С. 5-15.

Shchukin V.A., Bimberg D. // Rev. Mod. Phys. - 1999. - V. 71. - P. 1125-1171.

Пчеляков О.П., Болховитянов Ю.Б., Двуреченский А.В. и др. // ФТП. - 2000. - Т. 34. - С. 1281-1299.

Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Kop’ev P.S., Bimberg D. // Phys. Rev. Lett. - 1995. - V. 75. - P. 2968-2971.

Notzel R. // Semicond. Sci. Technol. - 1996. - V. 11. - P. 1365-1379.

Daruka I., Barabasi A.-L. // Phys. Rev. Lett. - 1997. - V. 79. - P. 3708-3711.

Liu F., Lagally M.G. // Surf. Sci. - 1997. - V. 386. - P. 169-181.

Дубровский В.Г. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур. - М.: Физматлит, 2009. - 352 с.

Lozovoy K.A., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P. // Surf. Sci. - 2018. - V. 669. - P. 45-49.

Кукушкин С.А., Осипов А.В. // УФН. - 1998. - Т. 168. - С. 1083-1116.

Osipov A.V., Kukushkin S.A., Schmitt F., Hess P. // Phys. Rev. B. - 2001. - V. 64. - P. 205421 (1-6).

Osipov A.V., Schmitt F., Kukushkin S.A., Hess P. // Appl. Surf. Sci. - 2002. - V. 188. - P. 156-162.

Dubrovskii V.G., Cirlin G.E., Ustinov V.M. // Phys. Rev. B. - 2003. - V. 68. - P. 075409 (1-9).

Дубровский В.Г. // ФТП. - 2006. - Т. 40. - С. 1153-1160.

Ratsch C., Zangwill A. // Surf. Sci. - 1993. - V. 293. - P. 123-131.

Muller P., Kern R. // Appl. Surf. Sci. - 1996. - V. 102. - P. 6-11.

Ouyang G., Liang L.H., Wang C.X., Yang G.W. // Appl. Phys. Lett. - 2006. - V. 88. - P. 091914 (1-3).

Johnson H.T., Freund L.B. // J. Appl. Phys. - 1997. - V. 81. - P. 6081-6090.