Толбанов О. П. , Колесникова И. И. , Редькин Р. А. , Саркисов С. Ю. , Тяжев А. В. , Кобцев Д. А. , Редькин Р. А. , Толбанов О. П. , Колесникова И. И. , Тяжев А. В. , Кобцев Д. А. , Саркисов С. Ю. «Измерение времени жизни носителей заряда в SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии» // Известия вузов. Физика 2020. №4 C.16-21