The contribution of the thermoelastic stresses in the surface relief formation mechanism under laser irradiation of semiconductors | Izvestiya vuzov. Fizika. 2019. № 6. DOI: 10.17223/00213411/62/6/125

The contribution of the thermoelastic stresses in the surface relief formation mechanism under laser irradiation of semiconductors

The paper considers the influence of elastic stresses arising from pulsed laser irradiation of epitaxial layers of solid solutions Cd_xHg_1-xTe on the formation of periodic relief on their surface as a result of recrystallization of the material melted by radiation.

Download file

Counter downloads: 132

Keywords

импульсное лазерное излучение, полупроводниковый твердый раствор, поверхностная рекристаллизация, термоупругие напряжения, pulsed laser radiation, semiconductor solid solution, surface recrystallization, thermoelastic stresses

Authors

Name	Organization	E-mail
Sredin V.G.	Peter the Grate Military Academy of the RVSN, Balashikha	sredinvg@rambler.ru
Voitsekhovskii A.V.	National Research Tomsk State University	vav43@mail.tsu.ru
Sakharov M.V.	Peter the Grate Military Academy of the RVSN, Balashikha	m_sakharov@mail.ru
Talipov N.Ch.	Peter the Grate Military Academy of the RVSN, Balashikha	niyaz@yandex.ru

Всего: 4

References

Berding M., Srinivasan K., and Sher A. // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1990. - V. 9. - No. 3. - P. 1858- 1862.

Sredin V.G., Lanskaya O.G., and Popovnin V.M. // Semiconductors. - 1996. - Т. 30. - № 3. - С. 215-216.

Средин В.Г., Мезин Ю.С., Укроженко В.М. // ФТП. - 2001. - Т. 35. - № 11. - С. 1335-1337.

Chu J. and Sher A. Physics and Properties of Narrow Gap Semiconductors. - Springer, 2008. - 597 p.

Стафеев В.И. Теллуриды кадмия - ртути. Фотоприемники инфракрасного диапазона. Другие приборы. - М.: ФГУП «НПО «Орион». 2011. - 204 с.

Средин В.Г., Укроженко В.М. // ФТП. - 1989. - Т. 23. - № 10. - С. 1762-1766.

Средин В.Г., Сахаров М.В. // Прикладная физика. - 2011. - № 2. - С. 5-11.

Сахаров М.В., Средин В.Г., Астраускас Й.И., Васильева Ю.В. // Изв. вузов. Физика. - 2013. - Т. 56. - № 9/2. - С. 98-101.

Аполлонов В.В., Прохоров A.М., Хомич В.Ю., Четкин С.А. // Квантовая электроника. - 1982. - Т. 9. - № 2. - С. 343-353.

Кугаенко О.М., Сенатулин Б.Р., Карнаух И.М. и др. // Материаловедение. - 2015. - № 5. - С. 3-10.

Голошихин П.В., Миронов К.Е., Поляков А.Я. // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1991. - № 12. - С. 12-17.

Гаврилюк О.О., Семенчук О.Ю. // Укр. фiз. журн. - 2017. - Т. 62. - № 1. - С. 20-32.

Ахманов С.А., Емельянов В.Н., Коротеев Н.Н., Семиногов В.Н. // УФН. - 1985. - Т. 147. - № 4. - С. 675-745.

Двуреченский А.В., Кашин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. - М.: Наука, 1982. - 382 с.