?.pdf Уважаемые читатели!Перед вами специальный выпуск журнала «Вестник Томского государственного университета», посвященный 50-летию организации в ТГУ научного и образовательного направления по физике и технике полупроводников.Двадцатое столетие в науке было веком физики. К наиболее значимым для развития человечества достижениям науки XX века относится создание полупроводникового транзистора и последовавшее за этим развитие микро- и оптоэлектроники. Наукой доказано, что полупроводники -это особый класс материалов, оптимальные свойства которых могут быть реализованы только при создании технологий высокого уровня. Были поставлены задачи создания новых технологий и подготовки специалистов для этой области науки и техники.Развитие физики полупроводников в Томском госуниверситете шло в ногу со временем. В 1930-е годы, когда в науке происходило накопление экспериментальных данных по свойствам полупроводников, аналогичные работы по оптическим свойствам кристаллофосфоров (ZnO, Sn02) проводились в Сибирском физико-техническом институте и Томском госуниверситете под руководством профессоров В.М. Кудрявцевой и П.С. Тартаковского. В 1950-е годы, когда после изобретения транзистора (1947) началось интенсивное развитие физики и техники полупроводников, в Томском госуниверситете в 1954 г. по инициативе профессора В.А. Преснова был начат выпуск специалистов по полупроводникам, а в СФТИ открылась первая в Сибири лаборатория полупроводников. В 1964 г. в Томске был открыт НИИ полупроводниковых приборов, в научно-технических разработках которого получили развитие исследования, выполненные в СФТИ и ТГУ (технология газофазовой эпитаксии GaAs, диффузионные и радиационные технологии, разработки по диодам Ганна и диодам с барьером Шоттки, сенсоры давлений и датчики излучений). Началось серийное производство приборов на основе GaAs, Si и других материалов. Специалисты Томского госуниверситета составили костяк руководства НИИПП. В последующие годы НИИПП активно пополнялся выпускниками ряда факультетов ТГУ.Дальнейшему развитию полупроводниковой тематики в Томске способствовало формирование полупроводникового направления в институтах СО АН СССР (Институте неорганической химии, Институте физики полупроводников, Институте оптики атмосферы) в 1960-е годы.За 50-летие, прошедшее с начала работ по полупроводникам в ТГУ и СФТИ, подготовлены кадры ведущих специалистов (более 40 докторов наук, более 160 кандидатов наук), выполнены в больших объемах исследования по актуальным направлениям физики и техники полупроводников.В юбилейном выпуске журнала «Вестник Томского государственного университета» представлены материалы по истории формирования основных научных направлений и подготовке кадров по физике и технике полупроводников в Томске, а также обзоры важнейших научных результатов.Поздравляю преподавателей, сотрудников и студентов, посвятивших свою жизнь физике и технике полупроводников, и желаю дальнейших успехов в этом благородном и необходимом Родине деле.Ректор/ /