| Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285.

?.pdf В мае этого года лаборатория полупроводникового материаловедения (ЛПМ) Сибирского физико-технического института отметила свой двадцатилетний юбилей. Она была создана в мае 1984 г. на базе трёх лабораторий: физики полупроводников, люминесценции и химико-технологической. Основным направлением деятельности лаборатории все эти годы являлось создание физико-химических основ технологии сложных полупроводников.Объектами теоретических и экспериментальных исследований, проводимых в ЛПМ, являлись сложные полупроводники типа А2В4С2 (А2 - Cd, Zn, В4 - Sn, Ge, Si, С5 - As, P), A^C* (А1 - Ag, B3 - Ga, C6 - Se, S), а также соединения Tl3AsSe3, HgGa2S4, TlGaSe2, A^B4C? ( A3 - Tl, B4 - Pb, C7 - CI, Br), A3B5C^ (A1 - Ag, B5 - Sb, As, C6 - S) и GaSe. Объединяющей особенностью и достоинством данных полупроводников является способность большинства из них служить основой нелинейно-оптических элементов и в качестве компонентов лазерных систем широко применяться везде, где требуются обладающие высокими технологическими и эксплуатационными параметрами источники когерентного излучения ИК-диапазона, от оборонной промышленности до медицины и сельского хозяйства.Наибольших успехов в плане выращивания, харак-теризации и использования полупровдниковых кристаллов сотрудники ЛПМ достигли для соединений:- дифосфида цинка-германия (ZnGeP2);•·диарсенида кадмия-германия (CdGeAs2);•ортоселеноарсенида таллия (Tl3AsSe3);•диселенида таллия-галлия (TlGaSe2) и•селенида галлия (GaSe).Данные кристаллы обнаружили свои наиболее уникальные качества в связи с развитием как фундаментальных исследований в области нелинейной оптики, так и прикладных направлений, призванных разработать конечные элементы для практических целей. Благодаря высоким значениям нелинейной восприимчивости и лучевой прочности, широким диапазонам температурного, спектрального и углового синхронизма, монокристаллы этих соединений относятся к наиболее перспективным нелинейным оптическим материалам для среднего ИК-диапазона, затребованным в таких областях лазерной физики и техники, как атмосферный газоанализ, медицинская диагностика и лечение, научное приборостроение, оптическая связь, оптическая обработка и хранение информации, подводная связь и телевидение, разделение изотопов и др. Параметрические преобразователи на основе этих кристаллов характеризуются высокими техническими и эксплуатационными параметрами, в т.ч. нежесткими требованиями к юстировке, вибрации и стабилизации температуры [1].Возможности успешного практического использования решающим образом определяются достижениями в области технологии получения монокристаллов высокого оптического качества.7 .-:*Сотрудники лаборатории полупроводникового материаловедения, 1985 г.Первый ряд слева направо: И.И. Мосина, Н.Л. Батурина, зав. лаб. д. ф.-м. н. В.Г. Воеводин, М.А. Петров, И.М. Винокурцева, М.П. Фурман; второй ряд: М.А. Иванова, С.А. Березная, О.П. Горбачёва, Н.И. Сидельникова, к. ф.-м. н. П.Е. Рамазанов, к. ф.-м. н. В.В. Нуварьева, Т.А. Давыдова, д. ф.-м. н. О.В.Воеводина; третий ряд: к. ф.-м. н. А.Н. Морозов, к. ф.-м. н. А.И. Грибенюков, к. ф.-м. н. Г.Т. Вилисов, З.В. Коротченко, Т.Д. Ахметбеков, Ю. М. Канурин24Базовые характеристики получаемых в ЛПМ нелинейно-оптических полупроводниковМатериалGaSeZnGeP2CdGeAs2Tl3AsSe3Коэффициент поглощения а, см На длинах волн в диапазоне прозрачности, мкм< 0,1 0,7-18

Скачать электронную версию публикации

Загружен, раз: 823

Ключевые слова

Авторы

ФИО	Организация	Дополнительно	E-mail

Всего: 1

Ссылки

Андреев Ю.М., Воеводин В.Г. и др. Лидарные системы и их оптико-электронные элементы. Томск.: Изд-во ИОА СО РАН, 2004. 525 с.

Voevodin V.G., Voevodina O.V., Bereznaya S.A., et al. Large single crystals of Gallium Selenide: Growing, Doping by In and characterization // Optical Materials. 2004. V. 26. P. 495 - 499.

Voevodin V.G., Voevodina O.V., Bereznaya S.A., et al. Doping of ternary compounds CdGeAs2 and CdSnAs4 by impurities of I, II and III groups // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2003. V. 64. Issues 9 - 10. P. 1755 - 1760.

Voevodin V.G., Voevodina O.V., Bereznaja S.A. a.o. Annealing of some II-IV-V2 crystals in the vapor of volatile constituents // MRS Proceedings. 2002. V. 692. P. 265 - 274.

Voevodin V.G., Voevodina O.V., Morozov A.N. Research of domain structure of ZnSnC52-compounds // Japan. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. Suppl. 39-1. P. 52 - 53.

Voevodin V.G., Voevodina O.V., Bereznaja S.A., et al. Behavior of copper in CdGeAs2 crystals // MRS Proceedings. 2002. V. 719. P. 475 - 480.

Voevodin V.G., Leontieva O.V. The simulation of phase matched three-frequency mode interaction in nonlinear optical waveguides // Japan. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. Suppl. 39-1. P. 347 - 348.

Voevodin V.G., Grinyaev S.N. Deep levels of antisite defects clusters in ZnGeP2 // MRS Proceedings. 2002. V. 677. P. АА4.6.1 - АА4.6.6.

Voevodin V.G., Grinyaev S.N., Voevodina O.V. Nonstoichiometry and point defects in nonlinear optical crystals A2B4C52 // Materials Science in Semiconductor Processing. 2003. V. 6. P. 385 - 388.

Воеводин В.Г., Гриняев С.Н. Анализ остаточного оптического поглощения в ближней ИК-области в кристаллах ZnGeP2 // Современные проблемы физики и высокие технологии. Томск, 2003. C. 67 - 68.

Voevodin V.G., Voevodina O.V. Disorder defects modelling for some ternary crystals // MRS Proceedings. 2002. V. 677. P. АА4.20.1 -АА4.20.6.

Voevodin V.G., Voevodina O.V. Ternary compounds A2B4C52 and A1B3C62: Frencel defects concentration // Japan. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. Suppl. 39-1. P. 402 - 403.

Voevodin V.G., Voevodina O.V. II-IV-V2 and I-III-VI2 nonlinear optical crystals for mid-IR-range: Schottky defects concentration // Proc. of SPIE. 1999. V. 3890. P. 75 - 81.

Voevodin V.G., Voevodina O.V., Bereznaya S.A., et al. Large single crystals of Gallium Selenide: Growing, Doping by In and characterization //Abstract Book of 3rd International Symposium on Laser and NLO Materials (July 20 - 24, 2003, Keystone, Colorado).

Воеводин В.Г., Березная С.А., Коротченко З.В. и др. Влияние легирования алюминием на оптические и электрофизические свойства селенида галлия // Современные проблемы физики и высокие технологии. Томск, 2003. С. 94 - 97.

Voevodin V.G., Voevodina O.V., Bereznaya S.A., et al. Properties of gallium selenide doped with sulfur // Abstract Book of 2004 MRS fall meeting (November 29 - December 3, 2004, Boston, MA).

Воеводин В.Г., Березная С.А., Воеводина О.В. и др. Получение монокристаллов ZnGeP2 методом ХТР в системе ZnGeP2 - ZnCl2 - P // Современные проблемы физики и высокие технологии. Томск, 2003. C. 148 - 151.

Medvedkin G.A., Hirose K., Ishibashi T., et al. Magnetization effect in ZnGeP2-Mn chalcopyrite system // Extended Abstracts of 48th Spring Meeting, 2001 by Japan Society of Applied Physics. Tokyo, Japan, March 28 - 31. No. 3. P. 1321, 30a-ZB-2.

Medvedkin G.A., Hirose K., Ishibashi T., et al. New magnetic material in ZnGeP2-Mn chalcopyrite system // Int. Conf. on Crystal Growth ICCG-13/ICVG-11. Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. P. 73 - 74.

Medvedkin G.A., Hirose K., Ishibashi T., et al. New magnetic material in ZnGeP2-Mn chalcopyrite system // J. Cryst. Growth. 2002. V. 236. P. 609 - 612.

Medvedkin G.A., Goloshchapov S.I., Voevodin V.G., et al. Novel spintronic materials based on ferromagnetic semiconductor chalcopyrites // 11th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology». St. Petersburg, Russia, June 23 - 28, 2003. P. NT.16p1 - NT

Baranov P.G., Goloshchapov S.I., Medvedkin G.A., Voevodin V.G. Detection of magnetic resonance signal with anomalous dispersion and two types of isolated manganese centers in the chalcopyrite crystal (Zn, Mn) GeP2 // JETP Letters. 2003. V. 77. Nо. 10. P.

Баранов П.Г., Голощапов С.И., Медведкин Г.А., Воеводин В.Г. Обнаружение сигналов магнитного резонанса с аномальной дисперсией и двух типов изолированных центров марганца в кристаллах халькопирита (Zn, Mn) GeP2 // Письма в ЖЭТФ. 2003. Т. 77. № 10. C. 686 -

Medvedkin G.A., Goloshchapov S.I., Baranov P.G., et al. Point defects and clusters in ferromagnetic chalcopyrites // Book of Abstr. of the 14-th International Conference on Ternary and Multinary Compounds. Denver, Colorado, USA. September - October, 2004.

Gehlhoff W., Azamat D., Hoffmann A., and Voevodin V.G. The Inequivalence of the two Mn-on-Zn Sites and the Formation of Mn-Mn Pairs in ZnGeP2 // Book of Abstr. of the 14-th International Conference on Ternary and Multinary Compounds. Denver, Colorado, USA

Medvedkin G. A. and Voevodin V. G. Magnetic phenomena in nonlinear optical crystals ZnGeP2 // To be published in JOSA.

Baranov P.G., Goloshchapov S.I., Medvedkin G.A, et al. Giant electron spin echo of ferromagnetic ordered manganese nano-clusters in (Zn, Mn) GeP2 crystals // 12th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology». St. Petersburg, Russia, June 21 - 25, 2

Shi W., Ding Y.L., Fernelius N.C., Vodopyanov K.L. Efficient tunable and coherent 0,18 - 5,27 THz source based on GaSe crystal // Optics Lett. 2002. V. 27. Nо. 16. P. 1454 - 1457.