INVESTIGATION OF ELECTRON PROCESSES IN NANOSTRUCTURES.
The review of theoretical methods of research of electronic properties of semiconductor nanostructures from rigorous ab-initio up to simplified approaches, based on use of a method of envelope functions, is given. The connection between these methods as well as a problem of definition of parameters arising on use of approached methods is considered. The specific models and results received with their help are discussed. The analysis of electronic states, tunnel transport, optical characteristics, states of defects, and processes of electron-phonon interaction is carried out for a wide set of semiconductor nanostructures.
Download file
Counter downloads: 602
Keywords
Authors
| Name | Organization | |
| Karavaev G.F. | karavaev@elefot.tsu.ru | |
| Grinyaev S.N. | gsn@elefot.tsu.ru | |
| Chernyshov V.N. |
References
Караваев Г.Ф., Тиходеев Ю.С. Уравнения для огибающих в варизонной структуре // ФТП. 1991. Т. 25. № 7. С. 1237 - 1242.
Караваев Г.Ф., Чуприков Н.Л. Особые случаи резонансного туннелирования в многобарьерных квантовых структурах // Изв. вузов. Физика. 1993. № 8. С. 49 - 53.
Караваев Г.Ф., Чуприков Н.Л. Туннелирование в многобарьерных квантовых структурах в условиях полной прозрачности // Изв. вузов. Физика. 1993. № 3. С. 51 - 56.
Karavaev G.F., Krivorotov I.N. New envelope functions in the theory of electronic states in semiconductor microstructures // Nanostructures: Physics and Technology. International Symposium. Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers. Petersburg,
Караваев Г.Ф., Криворотов И.Н. Метод огибающих функций для описания электронных состояний в микроструктурах с плавным изменением потенциала на гетерограницах // ФТП. 1996. Т. 30. № 1. С. 177 - 187.
Караваев Г.Ф., Гриняев С.Н., Чернышов В.Н. Квантовые процессы распространения электронной волны в слоистых структурах // Изв. вузов. Физика. 1992. № 9. С. 64 - 76.
Гриняев С.Н., Чернышов В.Н. Рассеяние электронов в многобарьерных структурах GaAs/AlxGa1-xAs // ФТП. 1992. Т. 26. № 12. С. 2057 -2067.
Чернышов В.Н. Унитарность матрицы рассеяния для квантовых многослойных систем // Изв. вузов. Физика. 2000. № 8. С. 36 - 42.
Karavaev G.F., Chernyshov V.N. The electron subbands in GaAs/Al0.3Ga0.7As(001) superlattices // Nanostructures: Physics and Technology. International Symposium. Abstracts of invited lectures and contributed papers. St. Petersburg, Russia, 1995. P.126 - 12
Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н., Егунов Р.М. Минизонные спектры в сверхрешетках (AlAs)M(GaAs)N // ФТП. 2002. Т. 36. № 5. С. 558 -564.
Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н. Модель для описания взаимодействия электронной волны с гетерограницами в GaAs/AlAs(001) // ФТП. 1994. Т. 28. № 8. С. 1393 - 1402.
Karavaev G.F, Chernyshov V.N., Grinyaev S.N. Crucial role of ГX-mixing on GaAs/AlAs heterointerfaces in multilayer structures with AlAs electrodes // Nanostructures: Physics and Technology. International Symposium. Abstracts of Invited Lectures and Contri
Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н., Воронков А.А. Эффекты Г - Х-взаимодействия в GaAs/AlAs-структурах с различным числом слоев // Изв. вузов. Физика. 1997. № 1. С. 63 - 69.
Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н. Особенности рассеяния электронов на гетерограницах AlxGa1-xAs/GaAs(001) // ФТП. 2003. Т. 37. № 4. С. 435 - 442.
Караваев Г.Ф., Воронков А.А. Влияние Г - Х-междолинного рассеяния на электронный транспорт в двухбарьерных структурах // Изв. вузов. Физика. 2000. № 10. С. 3 - 9.
Караваев Г.Ф., Воронков А.А. Динамика резонансного туннелирования электронов в гетероструктурах с двухдолинным спектром // ФТП. 1998. Т. 32. № 11. C. 1363 - 1370.
Караваев Г.Ф., Воронков А.А. Влияние собственного поля электронов и Г - Х-междолинного рассеяния на резонансное туннелирование в двухбарьерных структурах // Изв. вузов. Физика. 2003. № 1. С. 78 - 86.
Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н. Xx - Xy-смешивание электронов в гетероструктурах AlAs/GaAs(001) // ФТП. 2001. Т. 35. № 7. С. 841 -849.
Караваев Г.Ф., Гриняев С.Н. Резонансное туннелирование электронов в структурах GaAs/AlAs(111) // Изв. вузов. Физика. 1998. № 9. С. 89 - 99.
Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н. Резонансное туннелирование X-электронов в структурах AlAs/GaAs(111). Псевдопотенциальный расчет и модель // ФТП. 2001. Т. 35. № 1. С. 105 - 109.
Karavaev G.F., Chernyshov V.N., Egunov R.M. The electron and optical properties of (AlAs)M(AlxGa1-xAs)N(111) and (110). Superlattices // Lithuanian Journal of Physics. 2002. V. 42. № 3. C. 179 - 183.
Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н., Егунов Р.М. Электронные состояния в сверхрешетках (AlAs)m(AlxGa1-xAs)n(111) // ФТП. 2002. Т. 36. Вып. 5. С. 558 - 564.
Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н., Егунов Р.М. Электронные и оптические свойства сверхрешеток AlAs/AlxGa1-xAs(110) // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 5. С. 592 - 598.
Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н. Метод огибающих функций для гетероструктур. Модели сшивания и применение для AlAs/AlxGa1-xAs(110) // Изв. вузов. Физика. 2003. № 6. С. 51 - 58.
Karavaev G.F., Chernyshov V.N. The model of hole scatterjng by GaAs/AlAs heteroboundary // Proceeding of 8th Korea-Russia International Symposium on Science and Technology. KORUS-2004. Tomsk, Russia. V. 2. P. 203 - 207.
Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н. Рассеяние дырок на гетерограницах GaAs/AlAs(001) // Докл. 9-й Междунар. конф. «Физико-химические процессы в неорганических материалах». Кемерово, 2004. Т. 1. С. 547 - 550.
Гриняев С.Н., Разжувалов А.Н. Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-хAlхN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта // ФТТ. 2001. Т. 43. № 4. C. 529 - 535.
Гриняев С.Н., Разжувалов А.Н. Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных cтруктурах GaN/AlxGa1-xN(0001) // ФТП. 2003. Т. 37. № 4. C. 450 - 455.
Разжувалов А.Н., Гриняев С.Н. Самосогласованный расчет туннельного тока в нитридных структурах GaN/AlGaN(0001) // Докл. Меж-дунар. конф. «Физико-химические процессы в неорганических материалах». Кемерово, 2004. Т. 2. С. 191 - 194.
Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф. Туннелирование электронов через тонкий бартер с плавным потенциалом на гетерогранице GaAs/AlAs(001) // ФТТ. 2000. Т. 42. № 4. С. 752 - 758.
Karavaev G.F., Grinyaev S.N. Model of Smooth Heteroboundary GaAs/AlAs // X APAM topical seminar and III Conference «Materials of Siberia», «Nanoscience and Technology». Novosibirsk, 2003. Proceedings. P. 269 - 270.
Гриняев С.Н. Электронная структура и оптические свойства ультратонких сверхрешеток (GaAs)n(AlAs)m с гетерограницами (100), (110), (111), и (311) // Докл. Междунар. конф. «Физико-химические процессы в неорганических материалах». Кемерово, 2004. Т. 1. С. 35
Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф. Глубокие уровни вакансий в сверхрешетке (AlAs)1(GaAs)3 // ФТП. 1997. Т. 31. № 5. С. 545 - 555.
Grinyaev S.N., Karavaev G.F., Tyuterev V.G. Intеrvalley electron-phonon scattering in a monolayer (GaAs)1(AlAs)1(001) superlattice // Physic B. 1996. V. 228. No. 3/4. P. 319 - 328.
Бычкова Л.Н, Гриняев С.Н., Тютерев В.Г. Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (AlAs)n(GaAs)m // Труды 8-й Российской конф. «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V». Томск, 2002. С. 154 - 156.
Grinyaev S.N., Kataev S.G. Electronic structure of ZnxCdyHg1-x-yTe alloys and related heterojunctions // Physica B. 1993. V. 191. P. 317 - 322.
