DIFFUSION OF IMPURITIES IN GaAs, DIFFUSION STRUCTURES AND DEVICES
The results of the in-vestigation of the diffusion process in GaAs, diffusion structures and devices obtained by collaborators of Sibirian Physico-technical institute and SII of semiconductor devices are presented within the period from 1959 to 2004 years. The data on the diffusion of the elements of II, IV, and VI groups and transition elements of periodic system are systematized. The results of the investigation of GaAs p-n structures and untraditional р - v - n-structures based on GaAs with deep centers are given. The parameters of the devices based on GaAs p - n- and р - v - n-structures: different diodes and bipolar transistors, avalanche S-diodes and triodes, photodetectors, detectors of high-energy charged particles, X-rays and gamma rays are presented.
Download file
Counter downloads: 607
Keywords
Authors
| Name | Organization | |
| Khludkov S.S. |
References
Allen I.W., Gunnell P.A. // Nature. 1958. V. 182. Nо. 4643. P. 1588.
Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972. С. 384.
Атомная диффузия в полупроводниках / Под ред. Д. Шоу. М.: Металлургия, 1974. С. 392.
Шишияну Ф.С. Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах. Кишинев: Штиинца, 1978. С. 230.
Абдуллаев Г.Б., Джафаров Т.Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах. М.: Атомиздат, 1980. С. 280.
Джафаров Т.Д. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах. Л.: Наука, 1978. С. 208.
Преснов В.А., Вяткин А.П., Новотный С.И. и др. // Тез. докл. совещ. по электронно-дырочным переходам в полупроводниках. Ташкент: ТашГУ. 1961. С. 25; Сб. Электронно-дырочные переходы в полупроводниках. Ташкент: Изд-во АН Уз.ССР, 1962. С. 259 - 265.
Хлудков С.С. Диффузия примесей и диффузионные p - n-переходы в арсениде галлия: Дис. ... канд. физ.-мат. наук. Томск: ТГУ, 1966.
Хлудков С.С. Диффузионные арсенидгаллиевые р - н - n-структуры с глубокими центрами и приборы на их основе: Дис. ... докт. физ.-мат. наук. Томск: ТГУ, 1989.
Толбанов О.П. Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение): Дис. ... докт. физ.-мат. наук. Томск: ТПУ, 1999.
Машнин С.В. Исследование электрических характеристик p - n-переходов и биполярных транзисторов на основе арсенида галлия: Дис. ... канд. физ.-мат. наук. Томск: ТГУ, 1970.
Лаврищев Т.Т. Диффузия доноров и электронно-дырочные переходы в арсениде галлия: Дис. ... канд. физ.-мат. наук. Томск: ТГУ, 1972.
Приходько Г.Л. Разработка и исследование быстродействующих диодов на основе компенсированного арсенида галлия: Дис. ... канд. физ.-мат. наук. М.: МЭИ, 1980.
Толбанов О.П. Исследование и разработка арсенидгаллиевых лавинных S-диодов: Дис. ... канд. физ.-мат. наук. Томск: ТГУ, 1986.
Ардышев М.В. Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоев n-GaAs: Дис. канд. ... физ.-мат. наук. Томск: ТГУ, 2000.
Хлудков С.С., Преснов В.А. // Арсенид галлия. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1968. С. 304 - 308.
Хлудков С.С., Андриевский Э.И., Преснов В.А. // Арсенид галлия. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1968. С. 275 - 284.
Машнин С.В., Хлудков С.С., Преснов В.А. // Арсенид галлия. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1969. Вып. 2. С. 132 - 134.
Хлудков С.С., Преснов В.А. // Арсенид галлия. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1968. С. 296 - 303.
Лаврищев Т.Т., Хлудков С.С. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1971. Т. 7. № 2. С. 310 - 311.
Лаврищев Т.Т., Хлудков С.С. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1971. Т. 7. № 11. С. 2079 - 2080.
Лаврищев Т.Т., Хлудков С.С. // Арсенид галлия. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1974. Вып. 5. С. 57 - 60.
Карелина Т.А., Лаврищев Т.Т., Приходько Г.Л., Хлудков С.С. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1974. Т. 10. № 2. С. 228 - 230.
Хлудков С.С., Лаврищев Т.Т. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1976. Т. 12. № 7. С. 1163 - 1167.
Захаров Б.Г., Хлудков С.С. // Изв. вузов. Физика. 1966. № 6. С. 18 - 27.
Хлудков С.С. // Tез. докл. III Всес. совещ. «Дефекты структуры в полупроводниках»: Сборник / СО АН СССР. Новосибирск, 1978. С. 132.
Машнин С.В., Подольских А.И., Потанина И.Е., Хлудков С.С. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1972. Вып. 2. С. 158 - 162.
Боркун Л.П., Фукс Г.М., Хлудков С.С. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1974. Т. 9. № 4. С. 729 - 730.
Бабченко Г.А., Гордиенко А.И., Захарова Г.А. и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1981. Т. 17. № 12. С. 2269 - 2270.
Бабченко Г.А., Гордиенко А.И., Мелев В.Г., Хлудков С.С. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1983. Т. 19. № 3. С. 477 -478.
Хлудков С.С., Приходько Г.Л., Карелина Т.А. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1972. Т. 8. С. 1044 - 1048.
Хлудков С.С., Тарасова А.К. // ФТТ. 1974. Т. 16. № 5. С. 1319 - 1325.
Хлудков С.С., Чалдышева Н.В. // Изв. вузов. Физика. 1982. № 5. С. 115 - 117.
Хлудков С.С., Корецкий А.В. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1983. Т. 19. № 11. С. 1789 - 1792.
Хлудков С.С., Корецкая О.Б. // Изв. вузов. Физика. 1985. № 1. С. 107 - 111.
Хлудков С.С., Корецкий А.В. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1985. Т. 21. № 10. С. 1628 - 1631.
Азиков Б.С., Копылов В.В., Хлудков С.С. и др. // Электронная техника, сер. 2. 1981. Вып. 4. С. 61 - 65.
Будницкий Д.Л., Корецкая О.Б., Новиков В.А. и др. // Электронная промышленность. 2002. № 1 - 2. С. 108 - 114.
Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973. 656 с.
Каменская И.В., Кривов М.А., Малисова Е.В. и др. // Изв. вузов. Физика. 1979. № 7. С. 93 - 99.
Антонов В.В., Войцеховский А.В., Кривов М.А. и др. // Изв. вузов. Физика. 1981. № 3. С. 15 - 19.
Sah C.T, Sello H., Tremore D.A. // J. Phys. Chem. Sol. 1950. V. 11. P. 288.
Shokley W., Moll J.L. // Phys. Rev. 1969. V. 119. Nо. 5. P. 1480 - 1482.
Hall R.N., Racette I.H. // J. Appl. 1964. V. 35. No. 2. P. 379 - 397.
Болтакс Б.И., Куликов Г.С., Никулина И.Н., Шишияну Ф.С. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1975. Т. 11. № 2. С. 348 - 350.
Хлудков С.С., Вяткин А.П., Гришин В.И., Преснов В.А. // Поверхностные и контактные явления в полупроводниках: Сборник. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1964. С. 446 - 456.
Хлудков С.С., Вяткин А.П., Преснов В.А. // Физика p - n-переходов: Сборник. Рига: Зинатне, 1966. С. 139 - 146.
Хлудков С.С., Машнин С.В., Лаврищев Т.Т. и др. // Арсенид галлия. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1968. С. 309 - 320.
Машнин С.В., Хлудков С.С. // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. 1971. Вып. 8 (34). С. 47 - 51.
Хлудков С.С., Машнин С.В. // Радиотехника и электроника. 1971. Т. 16. № 7. С. 1225 - 1229.
Clorfine A.S., Ikola R.I., Napoli L.S. // RCA Review. 1969. V. 30. Nо. 3. P. 397 - 421.
Грехов И.В., Кардо-Сысоев А.Ф., Смирнова И.А. и др. // ФТП. 1986. Т. 20. Вып. 7. С. 1335 - 1337.
Хлудков С.С., Заятинов Р.К., Машнин С.В. и др. // Тез. докл. 4-го Всес. совещ. по p - n-переходам. Одесса: Изд-во Одесск. гос. ун-та, 1970. С. 14; Физические явления в p - n-переходах: Сборник. Труды НИИПП. Томск, 1974. С. 309 - 314. 93
Хлудков С.С., Тарасова Л.К., Лахтикова В.Г. // Материалы XVIII науч.-техн. конф. по радиоэлектронике. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1971. С. 98 - 107.
Хлудков С.С., Иванов Л.П., Тарасова А.К., Фукс Г.М. // Труды НИИПП. 1973. Вып. 3. Ч. 1. С. 158 - 167.
Хлудков С.С., Толбанов О.П., Лахтикова В.Г. // Радиотехника и электроника. 1973. Т. 18. № 19. С. 1893 - 1899.
Фукс Г.М., Хлудков С.С. // Арсенид галлия. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1974. Вып. 6. С. 229 - 233.
Иванов Л.П., Каримбаев Д.Д., Приходько Г.Л. и др. // Тез. докл. III совещ. по исследованию арсенида галлия. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1974, С. 159 - 341
Божкова Е.В., Иванов А.П., Каримбаев Д.Д. и др. // ПТЭ. 1978. № 3. С. 253.
Хлудков С.С., Толбанов О.П. // ФТП. 1980. Т. 14. № 8. С. 1624 - 1627.
Божкова Е.В., А.П., Каримбаев Д.Д., Приходько Г.Л. и др. // Электронная техника, сер. 2. 1980. Вып. 8. С. 59 - 85.
Хлудков С.С., Толбанов О.П. // ФТП. 1980. Т. 14. № 12. С. 14 - 16.
Хлудков С.С. // Тез. докл. II Всес. совещ. по глубоким уровням в полупроводниках. Ташкент: Изд-во Таш. ун-та, 1980. 4. II. С.150.
Хлудков С.С. // Изв. вузов. Физика. 1983. № 10. С. 67 - 88.
Болховитянов Ю.Б., Кравченко А.Ф., Чикичев С.И. // Изв. вузов. Физика. 1983. № 10. С. 18 - 30.
Байко И.Ю., Гермогенов В.П., Гущин С.М. и др. // Электронная промышленность. 2002. № 2/3. С. 40.
Haits R.M. // Phys. Rev. 1965. V. 138. Nо. 1A. P. A260 - A267.
Кузьмин В.А., Кюрегян А.С. // Радиотехника и электроника. 1975. Т.20. № 7. С.1449 - 1456.
Перель В.И., Эфрос А.Л. // ФТП. 1967. Т. I. № 11. С. 1693 - 1701.
Schibli E., Milnes A. // Solid-State Electron. 1968. V. 11. Nо. 3. P. 325 - 331.
Хлудков С.С. // Арсенид галлия. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1975. Вып. 6. С. 181 - 178.
Sah C.T., Noyce R.N., Shocley W. // Proc. of the IRE. 1957. V. 45. Nо. 9. P. 1228 - 1243.
Стафеев В.И. // ЖТФ. 1958. Т. 28. № 8. С. 1631 - 1641.
Бабченко Г.А., Гордиенко А.И., Захарова Г.А. и др. // Изв. вузов. Физика. 1985. № 4. С. 97 - 98.
Диамант В.М., Криворотов Н.П., Толбанов О.П., Хлудков С.С. // Тез. докл. Всес. совещ. по детонации. Черноголовка, 1985. С. 121 -122.
Хлудков С.С., Толбанов О.П., Корецкий А.В. // Изв. вузов. Физика. 1986. № 4. С. 54 - 58.
Гордиенко А.И., Голиков А.В., Толбанов О.П., Хлудков С.С. // Тез. докл. VII Всес. симп. «Плазма и неустойчивость в п/п». 28 - 30 сентября 1989. Паланга, 4.1. С. 66 - 68.
Хлудков С.С., Толбанов О.П. // ФТП. 1992. Т. 26. № 2. С. 386 - 389.
Толбанов О.П., Хлудков С.С., Цепелев Г.М. // Труды координационного совещ. соц. стран по физическим проблемам оптоэлектроники «Оптоэлектроника-89». Баку, 1989. Вып. 1. С. 65 - 69.
Каримбаев Д.Д., Корецкий А.В., Павлов Ю.Д. и др. // Электронная промышленность. 1993. № 9. С. 62 - 70.
Белобородов П.Ю., Толбанов О.П., Хлудков С.С. // ФТП. 1988. Т. 22. № 4. С. 575.
Приходько Г.Л., Хлудков С.С. // Электронная техника, сер. 2. 1976. Вып. 4. С. 95 - 100.
Вилисова М.Д., Иконникова Г.М., Толбанов О.П., Хлудков С.С. // Изв. вузов. Физика. 1981. № 11. С. 3 - 6.
Толбанов О.П., Хлудков С.С. // ФТП. 1986. Т. 20. № 11. С. 2072 - 2076.
Хлудков С.С., Тарасова А.К., Лахтикова В.Г. // Радиотехника и электроника. 1974. Т. 19. С. 1917 - 1924.
Гитцевич А.Б. // Техника средств связи. Сер. Радиоизмерительная техника. 1981. Вып. 1. С. 100 - 104.
Каримбаев Д.Д., Коренман М.Е., Толбанов О.П. и др. // Арсенид галлия. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1974 . Вып. 5. С. 171 - 175.
Иванов А.П., Коренман M.E,, Лахтикова В.Г. и др. // ПТЭ. 1976. № 2. С. 247.
Машнин С.В., Павлов Ю.Д., Преснов В.А., Хлудков С.С. // Труды НИИПП. 1973. Вып. 3. Часть 1. С. 266 - 271.
Жукова Н.А., Машнин С.В., Павлов Ю.Д. и др. // Труды НИИПП. 1973. Вып. 3. Часть 1. С. 72 - 277.
Легкий В.Н., Миценко И.Д., Приходько Г.Л., Каримбаев Д.Д. // ПТЭ. 1983. № 6. С. 145.
Введенский Ю.В., Зуев А.Б., Каримбаев Д.Д. и др. // ПТЭ. 1985. № 3. С. 123 - 125.
Лудиков В.В., Чевокин В.К., Прохоров А.М. и др. // ПТЭ. 1990. № 6. С. 100 - 101.
Будницкий Д.Л., Толбанов О.П., Хлудков С.С. // Изв. вузов. Физика. 1995. № 8. С. 108 - 111.
Хлудков С.С., Толбанов О.П., Будницкий Д.Л. // Изв. вузов. Физика. 1998. № 8. С. 39 - 43.
Chmil V.B., Sergeev V.A., Vorobiev A.P., et al. // Proc. of the 6 th European Simp. on Semicond. Detectors. Milano, Italy, Febr. 1992. P. 24 - 26.
Chmil V.B., Chuntonov A.P., Vorobiev A.P., et al. // Nuclear Instrum. and Methods in Phys. Research. 1994. V. A340. P. 328 - 336.
Воробьев А.П., Чмиль В.Б., Чунтонов А.П. и др. // ЖТФ. 1994. Т. 64. Вып. 3. С. 73 - 91.
Khludkov S.S., Tolbanov O.P., Stepanov V.E. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1996. V. 29. P. 1559 - 1567.
Айзенштат Г.И., Канаев В.Г., Корецкая О.Б. и др. // Электронная промышленность. 1998. № 1 - 2. С. 98 - 101.
Ayzenshtat G.I., Kanaev V.G., Khan A.V., et al. // Nucl. Instrum and Methods in Phys. Res. 2000. V. A448. P. 188 - 189.
Ayzenshtat G.I., Ardyshev M.V., Budnitsky D.L., et al. // Proc. of 3rd Conf. On Nuclear and Particle Physics Conf. Cairo, Egypt, 20 - 24 oct. 2001) / Ed. by Egyptian Nuclear Phys. Association, Cairo, Sept., 2002. P. 364 - 376.
Хлудков С.С., Корецкая О.Б, Окаевич Л.С. и др. // Электронная промышленность. 2002. № 1 - 2. С. 56 - 60.
Воробьев А.П., Корецкая О.Б, Окаевич Л.С. и др. // Электронная промышленность. 2002. № 1 - 2. С. 60 - 65.
Толбанов О.П. // Наст. вып. С. 156 - 164.
Хлудков С.С. // Современные проблемы физики и высокие технологии: Сборник. Томск: Изд-во НТЛ, 2003. С. 112 - 115.
Хлудков С.С., Корецкая О.Б., Тяжев А.В. // ФТП. 2004. Т. 38. № 3. С. 274 - 277.
