RADIATION EFFECTS IN SEMICONDUCTORS
The main experimental and theoretical studies of radiation effects in semiconductors performed in V.D. Kuznetsov SPhTI at Tomsk State University in 1964-2004 years are reviewed. Prominence is given to the Fermi-level pinning on high-energy radiation and development of predictive models for behavior of semiconductors in radiation fields.
Download file
Counter downloads: 722
Keywords
Authors
| Name | Organization | |
| Brudnyi V.N. | brudnyi@ic.tsu.ru |
References
Брудный В.Н., Малянов С.В., Кривов М.А. Влияние облучения электронами на электрические свойства арсенида галлия // Изв. вузов. Физика. 1966. № 8. С. 132 - 134.
Брудный В.Н., Браиловский Е.Ю. Отжиг дефектов и образование областей разупорядочения в GaAs при электронном облучении // ФТП. 1971. Т. 5. Вып. 6. С. 109 - 113.
Брудный В.Н., Браиловский Е.Ю. Радиационные дефекты в сильнооблученных кристаллах p-арсенида галлия // ФТП. 1974. Т. 8. Вып. 5. С. 963 - 965.
Брудный В.Н., Войцеховский А.В., Кривов М.А. и др. Электрические и рекомбинационные свойства CdxHg1-xTe, облученного электронами // ФТП. 1977. Т. 11. Вып. 8. С. 1540 - 1544.
Брудный В.Н., Войцеховский А.В., Кривов М.А., Петров А.С. Дефекты и радиационная технология узкозонных полупроводников CdxHg1-xTe, PbxSn1-xTe(Se) // Физические основы радиационной технологии твердотельных электронных приборов. Киев: И. НД, 1978. С. 24 - 3
Брудный В.Н., Войцеховский А.В., Кривов М.А. и др. Электрофизические и рекомбинационные характеристики кристаллов PbxSn1-xTe(Se), облученных электронами // ФТП. 1978. Т. 12. Вып. 8. С. 1495 - 1499.
Brudny V.N., Voitsekhovskii A.V., Lilenko Yu.V., Petrov A.S. High-temperature defects in electron irradiated semiconductors HgCdTe, PbSnTe // Sol. State Commun. 1979. V. 31. Nо. 2. P. 105 - 108.
Брудный В.Н., Кривов М.А. Радиационные дефекты в арсениде галлия (обзор) // Изв. вузов. Физика. 1980. № 1. С. 64 - 75.
Brudnyi V.N., Krivov M.A., Potapov A.I. Electrical transport in H+-irradiated gallium arsenide // Sol. Stat. Commun. 1980. V. 34. Nо. 1. P. 117 - 120.
Брудный В.Н., Кривов М.А., Потапов А.И., Шаховцов В.И. Электрические свойства и отжиг дефектов в арсениде галлия, облученном большими интегральными потоками электронов // ФТП. 1982. Т. 16. Вып. 1. С. 32 - 39.
Брудный В.Н., Кривов М.А.,Потапов А.И. Электрические свойства слоев GaAs, облученных ионами H+ // Изв. вузов. Физика. 1982. № 1. С. 38 - 43.
Брудный В.Н., Новиков В.А. О «предельных» электрических параметрах облученного InP // ФТП. 1982. Т. 16. Вып. 10. С. 1880 - 1882.
Брудный В.Н., Ерматов С.Е., Кривов М.А., Толебаев Б.Т. Изменение электрических свойств кристаллов n-SiC(6H,15R) при нейтронном облучении // Изв. вузов. Физика. 1983. № 11. С. 123 - 129.
Брудный В.Н., Новиков В.А. Предельные электрические параметры GaP, облученного электронами // ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 4. С. 747 - 749.
Brudnyi V.N., Peshev V.V. Electron traps in n-GaAs, irradiated with high electron beam fluxes at high temperature // Phys. Stat. Sol. (a). 1988. V. 105. Nо. 1. P. K57 - K60.
Брудный И.Н., Каменская И.В. Электрофизические свойства антимонида галлия, облученного ионами H+ / Ред. журн. «Изв. вузов. Физика». - Деп. в ВИНИТИ, № 104-В88.
Brudnyi V.N., Kamenskaya I.V. The electrical properties and Fermi level pinning in proton irradiated GaSb // Phys. Stat. Sol. (a). 1988. V. 105. Nо. 2. P. K141 - K144.
Брудный В.Н., Будницкий Д.Л., Колин Н.Г. и др. Влияние электронного облучения на электрические свойства и фотолюминесценцию ядерно-легированного арсенида галлия // Изв. вузов. Физика. 1991. № 4. С. 45 - 51.
Брудный В.Н., Будницкий Д.Л., Колин Н.Г. и др. Влияние электронного облучения на свойства арсенида галлия, легированного германием // Изв. вузов. Физика. 1991. № 4. С. 82 - 86.
Брудный В.Н., Каменская И.В. Электрофизические свойства InSb, облученного электронами при 300 К // Изв. вузов. Физика. 1991. № 7. С. 99 - 103.
Брудный В.Н., Вилисова М.Д.,Пороховниченко Л.П. Компенсация проводимости и глубокие ловушки в эпитаксиальном n-GaAs, облученном электронами // Изв. вузов. Физика. 1992. № 10. С. 57 - 60.
Брудный В.Н., Колин Н.Г., Потапов А.И. Электрофизические свойства и отжиг дефектов в ядерно-легированном GaAs, облученном ионами H+ // Изв. вузов. Физика. 1991. № 10. С. 61 - 65.
Brudbyi V.N., Novikov V.A., Kolin N.G. Transmutation doping and Fermi level stabilization in neutron irradiated n-InP // Phys. Stat. Sol. (a). 1992. V. 132. Nо. 1. P. 35 - 42.
Брудный В.Н., Колин Н.Г., Потапов А.И. Глубокие ловушки в n-GaAs, облученном быстрыми нейтронами // ФТП. 1993. Т. 27. Вып. 2. С. 260 - 263.
Brudnyi V.N., Peshev V.V., Gradoboev A.V. The broad midgap deep-level transient spectroscopy band in proton (65 MeV) and fast-neutron irradiated n-GaAs // Phys. Stat. Sol. (b). 1999. V. 212. Nо. 2. P. 229 - 239.
Брудный В.Н., Потапов А.И. Электронные свойства полуизолирующего GaAs(Cr), облученного протонами // ФТП. 2001. Т. 35. № 12. С. 1423 - 1427.
Брудный В.Н., Пешев В.В. U-пик в спектрах DLTS n-GaAs, облученного быстрыми нейтронами и протонами (65 МэВ) // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 2. С. 151 - 155.
Брудный В.Н., Колин Н.Г., Потапов А.И. Электрофизические свойства InAs, облученного протонами // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 4. С. 408 - 413.
Брудный В.Н., Бойко В.М., Каменская И.В., Колин Н.Г. Электрофизические свойства и предельное положение уровня Ферми в InSb, облученном электронами // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 7. С. 802 - 807.
Брудный В.Н., Браиловский Е.Ю., Кривов М.А., Редько В.П. Спектры оптического поглощения n-GaAs, облученного большими интегральными потоками электронов // ФТП. 1972. Т. 6. Вып. 10. С. 2075 - 2077.
Брудный В.Н., Браиловский Е.Ю., Кривов М.А., Редько В.П. Инфракрасное поглощение в арсениде галлия, обусловленное глубокими уровнями дефектов // Изв. вузов. Физика. 1974. № 10. С. 118 - 121.
Brudnyi V.N., Budnitskii D.L., Krivov M.A., Red'ko V.P. The infrared attenuation in б-particle irradiated gallium arsenide // Phys. Stat. Sol. (a). 1975. V. 27. Nо. 2. P. K95-K97.
Брудный В.Н., Будницкий Д.Л., Кривов М.А. О характере поглощения в облученном электронами n-арсениде галлия // Изв. вузов. Физика. 1977. № 10. С. 136 - 138.
Брудный В.Н., Будницкий Д.Л., Кривов М.А. Спектры оптического поглощения облученного электронами p-арсенида галлия // Изв. вузов. Физика. 1977. № 5. С. 139 - 142.
Брудный В.Н., Будницкий Д.Л., Кривов М.А. Длинноволновое оптическое поглощение в GaAs, облученном электронами // Изв. вузов. Физика. 1981. № 7. С. 93 - 97.
Брудный В.Н., Гроза Ф.Ф., Кривов М.А. Структура поглощения при hн~1 эВ в облученном электронами GaAs // Изв. вузов. Физика. 1982.№ 4. С. 101 - 103.
Брудный В.Н., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И., Новиков В.А. Изменение спектров оптического поглощения ядерно-легированного GaAs при отжиге // ФТП. 2001. Т.35. Вып. 6. С. 739 - 744.
Брудный В.Н., Криворотов Н.П., Вяткин А.П., Кривов М.А. Датчик давления на основе туннельных диодов из арсенида галлия, облученных электронами // ПТЭ. 1974. № 6. С. 168 - 170.
Брудный В.Н., Вилисов А.А., Диамант В.М., Криворотов Н.П. Исследование радиационных дефектов в арсениде галлия в условиях гидростатического сжатия // ФТП. 1980. Т.14. № 1. С. 13 - 16.
Brudnyi V.N., Vilisov A.A., Gaman V.I., Diamond V.M. Electron bombardment effect on the reverse I-V characteristics and tensosensibility of p+-n GaAs diodes // Sol. Stat. Commun. 1983. V. 26. Nо. 7. P. 699 - 703.
Брудный В.Н., Толебаев Б.Т. Изменение микротвердости SiC(6H) при нейтронном облучении // Атомная энергия. 1985. Т. 59. № 3. С. 232 - 233.
Brudnyi V.N., Diamond V.M. Electrical measurements of the electron irradiation-induced E- and H-traps in GaAs under hydrostatic pressure // Sol. Stat. Commun. 1985. V. 54. Nо. 4. P. 355 - 359.
Брудный В.Н., Диамант В.М. Электрические и тензоэлектрические исследования радиационных дефектов в GaAs // Изв. вузов. Физика. 1986. № 10. С. 81 - 87.
Brudnyi V.N.,Gaman V.I., Diamond V.M. Effect of deep levels induced by electron irradiation upon the charge transport mechanism and the pressure dependent electrical properties of forward-biased p+-n-n+ GaAs diodes // Sol. State Electron. 1988. V. 31. Nо.
Брудный В.Н., Новиков В.А. Электрофизические свойства и чувствительность к всестороннему сжатию облученного электронами GaP // Изв. вузов. Физика. 1998. № 6. С. 124 - 126.
Брудный В.Н. Исследование радиационных дефектов в полупроводниках в условиях всестороннего сжатия // ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 11. С. 1290 - 1294.
Арефьев А.К., Брудный В.Н., Будницкий Д.Л. и др. Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs, облученном электронами // ФТП. 1979. Т. 13. Вып. 6. С. 1142 - 1146.
Брудный В.Н., Воробьев С.А., Цой А.А. Аннигиляция позитронов в облученном электронами n-InP // ФТП. 1982. Вып. 16. Вып. 1. C. 32 - 39.
Brudnyi V.N., Vorob'ev S.A., Tsoi A.A. Positron annihilation and electrical; properties of electron irradiated (2 MeV) InAs crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1982. V. 72. Nо. 2. P. 529 - 534.
Brudnyi V.N., Tsoi A.A. Positron annihilation and hall effect in electron irradiated n-InP crystals // Appl. Phys. (a). 1982. V. 29. Nо. 4. P. 219 - 223.
Brudnyi V.N., Novikov V.A., Pogrebnyak A.D., Surov Yu.V. Positron annihilation in electron irradiated p-ZnGeP2 compound // Phys. Stat. Sol. (a). 1983.V. 83. Nо. 1. P. K35 - K38.
Brudnyi V.N., Vorob'ev S.A., Tsoi A.A., Shahovtsov V.I. Positron annihilation in electron irradiated n-type GaP // Rad. Effects. 1983. V. 79. Nо. 1/2. P. 123 - 130.
Брудный В.Н., Ерматов С.Е., Нурмагамбетов С.Б., Погребняк А.Д. Аннигиляция позитронов в облученном нейтронами n-SiC(6H) // ФТТ. 1984. Т. 26. Вып. 5. С. 1453 - 1456.
Брудный В.Н., Цой А.А. Центры аннигиляции позитронов в облученных электронами полупроводниках А3B5 // ФТП. 1986. Т. 20. Вып. 3. С. 511 - 514.
Brudnyi V.N., Charchenko V.A., Kolin N.G., Novikov V.A. Electrical properties and positron annihilation in neutron irradiated n-InP // Phys. Stat. Sol. (a). 1986. V. 93. Nо. 1. P. 195 - 200.
Brudnyi V.N., Pogrebnyak A.D., Surov Yu.V., Rudnev A.S. Positron trapping at point defects in electron irradiated GaAs // Phys. Stat. Sol. (a). 1989. V. 114. Nо. 2. P. 481 - 489.
Брудный В.Н., Пешев В.В., Притулов А.М. Накопление E3-центров в n-GaAs при г-облучении в интервале температур (77 - 580) К // ФТП. 1988. Т. 22. Вып. 6. С. 1124 - 1126.
Брудный В.Н., Бакин Н.Н., Пешев В.В. Образование центров E10(Ec-0.62 эВ) в области пространственного заряда и в нейтральном объеме n-InP при электронном облучении // ФТП. 1989. Т. 23. Вып. 5. С. 890 - 892.
Brudnyi V.N., Peshev V.V., Smorodinov S.V. New metastable W-center in electron irradiated n-type InP // Phys. Stat. Sol. (a). 1989. V. 114. Nо. 2. P. K139 - K142.
Brudnyi V.V., Peshev V.V. Electric field effect on the E3(Ec-0.33 eV)-center introduction rate under г-irradiation in n-GaAs // Phys. Stat. Sol. (a). 1990. V. 118. Nо. 1. P. 219 - 223.
Брудный В.Н.,Пешев В.В., Смородинов С.В. Электронные свойства метастабильного W-дефекта в InP / Ред. журн. «Изв. вузов. Физика». - Деп. в ВИНИТИ, № 4677-D90.
Brudnyi V.N., Peshev V.V., Smorodinov S.V. Characterization of W-defect in electron-irradiated InP // Phys. Stat. Sol. (a). 1991. V. 128. Nо.1. P. 311 - 317.
Брудный В.Н., Пешев В.В., Суржиков А.П. Радиационное дефектообразование в электрических полях: арсенид галлия, фосфид индия. Новосибирск: Наука, 2001. 136 с.
Брудный В.Н., Пешев В.В. Влияние электронного (зарядового) состояния E-ловушек на эффективность их накопления в n-GaAs при облучении // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 1. С. 22 - 28.
Брудный В.Н., Воеводина О.В., Кривов М.А. Исследование дефектов в кристаллах CdSnAs2, облученных электронами // ФТП. 1976. Т. 10. Вып. 7. С. 1311 - 1314.
Brudnyi V.N., Budnitskii D.L., Krivov M.A., Melev V.G. P - n-conversion and optical properties of 2-MeV - electron irradiated ZnSnAs2 // Phys. Stat. Sol. (a). 1976. V. 35. Nо. 2. P. 425 - 430.
Брудный В.Н., Кривов М.А., Потапов А.И. и др. // ФТП. 1978. Т. 12. Вып. 6. С. 1109 - 1114.
Brudnyi V.N., Budnitskii D.L.,Krivov M.A., et al. The electrical and optical properties of 2.0 MeV - electron irradiated ZnGaAs2 // Phys. Stat. Sol. (a). 1978. V. 50. Nо. 2. P. 379 - 384.
Брудный В.Н., Кривов М.А., Потапов А.И. и др. Компенсация проводимости фосфидов А2B4С52 электронным облучением // Письма в ЖЭТФ. 1978. Т. 46. № 1. С. 41 - 46.
Brudnyi V.N., Krivov M.A., Potapov A.I., et al. Change of electrical properties in electron irradiated CdGeAs2 crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1978. V. 49. Nо. 2. P. 761 - 765.
Brudnyi V.N, Krivov M.A., Mamedov A., et al. Electrical properties of electron (2 MeV) irradiated n-CdSiAs2 and p-ZnSiAs2 crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1978. V. 49. Nо. 2. P. 761 - 765.
Brudnyi V.N. ,Voevodin V.G., Voevodina O.V., Krivov M.A. Defects in electron irradiated CdSnAs2 crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1980. V. 62. Nо. 1. P. 155 - 162.
Брудный В., Ведерникова Т.В., Воеводин В.Г. и др. Отжиг дефектов в монокристаллах CdGeAs2, облученных электронами при 300 К // Изв. вузов. Физика. 1981. № 9. С. 122 - 125.
Брудный В.Н., Потапов А.И. Электрические свойства ZnGeAs2, облученного ионами Н+. ЦНИИ «Электроника», Р-3371/82.
Brudnyi V.N., Krivov M.A., Potapov A.I., et al. Radiation defects in H+-irradiated p-CdSiAs2 and p-ZnSiAs2 crystals // Rad. Effects. 1982. V. 59. Nо. 3/4. P. 211 - 215.
Брудный В.Н., Кривов М.А., Потапов А.И., Рудь Ю.В. Электрические свойства ZnGeAs2, облученного электронами // Изв. вузов. Физика. 1982. № 9. С. 121 - 123.
Брудный В.Н., Потапов А.И., Рудь Ю.В., Сергинов М. Электрические свойства твердых растворов А3B5 - А2B4С52 // ФТП. 1983. Т. 17. Вып. 7. С. 1347 - 1348.
Brudnyi V.N., Potapov A.I., Rud Yu.V. Electrical properties of H+-irradiated p-ZnGeAs2 // Phys. Stat. Sol. (a). 1983. V. 73. Nо. 1. P. K73 - K76.
Brudnyi V.N., Potapov A.I., Rud Yu.V., Serginov M. Electrical properties of electron irradiated GaAs and ZnSiAs2.solid solutions // Phys. Stat. Sol. (a). 1983. V. 77. Nо. 1. P. K33 - K36.
Brudnyi V.N., Krivov M.A., Potapov A.I., Rud Yu.V. Electrical properties of electron and proton irradiated GaAs and ZnGeAs2 solid solutions // Phys. Stat. Sol. (a). 1984. V. 82. Nо. 2. P. K191 - K194.
Брудный В.Н. Радиационные дефекты в полупроводниках II-IV-V2 (обзор) // Изв. вузов. Физика. 1986. № 8. С. 84 - 97.
Брудный В.Н., Новиков В.А., Попова Е.А. Электрические и оптические свойства ZnGaP2, облученного электронами // Изв. вузов. Физика. 1986. № 8. С. 123 - 127.
Брудный В.Н., Дробот П.Н., Новиков В.А. Исследование радиационных дефектов в облученных ионами Н+ фосфидах InP, CdSnP2 / Ред. журн. «Изв. вузов. Физика». - Деп. в ВИНИТИ, № 6854-В87.
Brudnyi .V.N., Borisenko S.I., Potapov A.I. Electrical, optical properties and fermi-level pinning in electron irradiated ZnSnAs2 // Phys. Stat. Sol. (a). 1990. V. 118. Nо. 2. P. 505 - 511.
Брудный В.Н., Новиков В.А. Электрические свойства облученного ионами Н+ p-ZnGeP2 // Изв. вузов. Физика. 1991. № 10. С. 91 - 93.
Физические процессы в облученных полупроводниках / Под ред. Л.С. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977. 256 с.
Винецкий В.Л., Смирнов Л.С. О компенсации проводимости радиационными дефектами в полупроводниках // ФТП. 1971. № 5(1). С. 176.
Брудный В.Н. Радиационная модификация и дефекты некоторых полупроводников сложного состава: Дис. ... докт. наук. Томск: ТГУ, 1993. 383 с.
Appelbaum J.A., and Hamann D.R. Surface-induced charge disturbance in filled bands // Phys. Rev. B. 1974. V. 10. Nо. 12. P. 4973 - 4979.
Walukiewich W. Mechanism of Schotky barrier formation: The role of amfoteric native defects // J. Vac. Sci. Technol. B. 1986. V. 5. Nо. 4. P. 1082 - 1089.
Flores F., Tejedor C. On the formation of semiconductor interfaces // J. Phys. C. 1987. V. 20. Nо. 2. P. 145 - 175.
Tersoff J. Calculation of Schottky barrier heights from semiconductor band structures // Surf. Sci. 1986. V. 168. Nо. 91-3. P. 275 - 269.
Брудный В.Н., Гриняев С.Н. Локальная электронейтральность и закрепление химпотенциала в твердых растворах соединений III-V // ФТП. 1998. Т. 32. № 3. С. 315 - 318.
Степанов В.Е. // Новые материалы в электронной технике / Под ред. Ф.А. Кузнецова. Новосибирск: Наука, 1990. С. 26 - 31.
Brudnyi V.N., Grinyaev S.N., Stepanov V.E. Local neutrality conception: Fermi level pinning in defective semiconductors // Physica B. Cond. Matter. 1995. V. 212. P. 429 - 435.
Брудный В.Н., Гриняев С.Н., Колин Н.Г. // Материаловедение. 2003. Т. 3(72). С. 17 - 25.
Брудный В.Н., Гриняев С.Н., Колин Н.Г. Электронные свойства облученных полупроводников, модель закрепления уровня Ферми // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 5. С. 557 - 564.
Брудный В.Н., Гриняев С.Н., Колин Н.Г. Закрепление уровня Ферми в полупроводниках (границы раздела, кластеры, радиационное модифицирование) // Изв. вузов. Физика. 2003. № 6. С. 59 - 66.
Brudnyi V.N., Grinayev S.N., Kolin N.G. A model fot Fermi-level pinning in semiconductors: radiation effects, interface boundaries // Physica B Cond. Matter. 2004.V. 348. Nо. (1 - 4). P. 213 - 225.
100.Козловский В.В. Модифицирование полупроводников пучками протонов. СПб.: Наука, 2003. 268 с.
Агринская Н.В., Машовец Т.В. Самокомпенсация в полупроводниках // ФТП. 1994. Т. 28. Вып. 9. С. 1505 - 1534.
Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Н.Д.,1979. 332 с.
Zhang S.B., Wei S. H., Zunger A. Microscopic origin of the phenomenological equilibrim «Doping limit rule» // Phys. Rev. Lett. 2000. V. 84. Nо. 6. P. 1232 - 1235.
