FROM ALLOY CONTACTS TO EPITAXIAL HETEROSTRUCTURES
Some results of studies of interaction processes between the metallic melts and semiconductor surface are discussed. These studies are performed in the Siberian Institute of Physics and Technology over about 50 years. The metallurgical structures and the electrical characteristics of the contacts produced by alloying of different metals into Ge and GaAs substrates are considered. The data on the perfection of the interface and layer as well as on the peculiarities of doping are presented for the liquid-phase epitaxial growth of GaAs, AlGaSb, and InGaAsP.
Download file
Counter downloads: 631
Keywords
Authors
| Name | Organization | |
| Germogenov V.P. | germ@elefot.tsu.ru |
References
Вяткин А.П. // ЖТФ. 1957. Т. 27. № 6. С. 1197 - 1204.
Вяткин А.П., Эйчин В.А. // Там же. С. 1205 - 1208.
Вяткин А.П., Селиванов Б.А. // Изв. вузов. Физика. 1958. № 5. С. 60 - 64.
Вяткин А.П. // Изв. вузов. Физика. 1959. № 2. С. 48 - 52.
Вяткин А.П. Исследование сплавных контактов полупроводников с металлами: Дис. ... канд. наук. Томск: СФТИ при ТГУ, 1959. 154 с.
Кулиш У.М. Исследование высокотемпературных сплавных контактов полупроводников с металлами: Дис. ... канд. наук. Томск: СФТИ при ТГУ, 1966. 211 с.
Вагнер К. Термодинамика сплавов. М., 1957.
Вяткин А.П., Васильев А.П. // Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1964. С. 219 - 232.
Вяткин А.П., Васильев А..П., Кулиш У.М. // Арсенид галлия: Сборник статей. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1968. С. 191 - 199.
Вяткин А.П., Васильев А.П. // Электрон. техника. Сер. 2. Полупроводн. приборы. 1968. Вып. 5 (48). С. 51 - 57.
Вяткин А.П., Васильев А..П., Алексеева З.М., Преснов В.А. // Физика p - n-переходов: Сборник статей. Рига: Зинатне, 1966. С. 147 - 155.
Васильев А.П. Исследование сплавных электронно-дырочных переходов в арсениде галлия: Дис. ... канд. наук. Томск: СФТИ при ТГУ, 1966. 201 с.
Васильев А.П., Вяткин А.П. // Изв. вузов. Физика. 1965. № 3. С. 152-153.
Кулиш У.М., Вяткин А.П., Васильев А.П. // Арсенид галлия: Сборник статей. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1968. С. 200 - 207.
Федоров К.Н., Вяткин А.П., Кулиш У.М. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1971. Т. 7. № 2. С. 197 - 201.
Федоров К.Н. Исследование сплавных контактов антимонида галлия с металлами: Дис. ... канд. наук. Томск: СФТИ при ТГУ, 1972. 154 с.
Семенченко В.К. Поверхностные явления в металлах и сплавах. М.: ГИТТЛ, 1957. 492 с.
Кулиш У.М., Вяткин А.П. // Рост кристаллов. М.: Наука, 1968. Т. 8. Ч. 2. С. 72 - 77.
Глущенко В.А., Ефимчик М.И., Закопайло В.М. // Матер. II Всес. науч.-техн. семинара «Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем». Рязань: Рязанский радиотехн. ин-т, 1982. С. 105 - 110.
Захаров Б.Г., Васильев А.П., Вяткин А.П. // Арсенид галлия: Сборник статей. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1968. С. 208 - 216.
Вяткин А.П., Ивлева О.М., Красильникова Л.М. и др. // Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1964. С. 205 - 218.
Воронков В.П., Вилисов А.А., Вяткин А.П. // Докл. Юбилейн. науч.-техн. конф. радиофиз. факультета: Часть 1. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1973. С. 13 - 18.
Воронков В.П., Вилисов А.А., Балюба В.И., Вяткин А.П. // Арсенид галлия. Вып. 4. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1974. С. 252 - 255.
Вяткин А.П., Кулиш У.М. // Электрон. техника. Сер. 2. Полупроводн. приборы. 1968. Вып. 5 (48). С. 58 - 65.
Алексеева З.М., Вяткин А.П., Лупин В.М., Кочерыгин Б.С. // Арсенид галлия: Сборник статей. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1968. С. 230 -238.
Nelson H. // RCA Rev. 1963. V. 24. No. 4. P. 603 - 615.
Кулиш У.М., Лаврищев Т.Т., Вяткин А.П. // Арсенид галлия: Сборник статей. Вып. 2. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1969. С. 87 - 91.
Алексеева З.М., Кулиш У.М., Вяткин А.П., Захаров П.И. // Арсенид галлия: Сборник статей. Вып. 2. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1969. С. 224 - 227.
Кулиш У.М., Васильев А.П., Вяткин А.П. и др. // Арсенид галлия: Сборник статей. Вып. 3. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1970. С. 152 - 162.
Гермогенов В.П., Вяткин А.П. // Арсенид галлия. Вып. 4. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1974. С. 234 - 237.
Алферов Ж. И. Гетеропереходы в полупроводниках: Дис. ... докт. наук. Л.: ЛФТИ, 1970.
Алферов Ж.И. // УФН. 2002. Т. 172. № 9. С. 1068 - 1086.
Гермогенов В.П. // Докл. Юбилейн. науч.-техн. конф. радиофиз. факультета. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1973. Ч.1. С. 73 - 77.
Вилисов А.А, Вяткин А.П., Гермогенов В.П. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1976. Т. 12. № 9. С. 1528 - 1532.
Вилисов А.А, Гермогенов В.П., Ким Ф.С., Эпиктетова Л.Е. // Изв. вузов. Физика. 1976. № 6. С. 75 - 80.
Гермогенов В.П. Эпитаксиальные структуры на основе твердого раствора AlxGa1-xSb (физические основы технологии, свойства, применение): Дис. ... докт. наук. Томск: СФТИ при ТГУ, 1997. 442 с.
Гермогенов В.П., Позолотин В.А., Эпиктетова Л.Е. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1984. Т. 20. № 9. С. 1584 - 1585.
Гермогенов В.П., Позолотин В.А. // Изв. вузов. Физика. 1988. № 2. С. 47 - 52.
Stringfellow G.B. // J. Phys. Chem. Sol. 1974. V. 35. No 7. P. 775 - 783.
Вилисов А.А., Гермогенов В.П. // Изв. вузов. Физика. 1977. № 7. С .10 - 14.
Вилисов А.А., Гермогенов В.П., Максимова Н.К., Эпиктетова Л.Е. // Изв. вузов. Физика. 1980. № 4. С. 19 - 25.
Вилисов А.А., Гермогенов В.П., Ким Ф.С., Эпиктетова Л.Е. // Изв. вузов. Физика. 1977. № 7. С. 15 - 21.
Kuphal E. // J. Cryst. Growth. 1984. V. 67. No 3. P. 441 - 457.
Антонов В.В., Гермогенов В.П., Пономарев С.В. и др. // Электрон. техн. Сер. 6. Материалы. 1991. № 4 (258). С. 20 - 22.
Гермогенов В.П., Ивлева О.М., Пономарев С.В. и др. // Изв. вузов. Физика. 1992. № 1. С. 26 - 34.
Chmil V.B., Chuntonov A.P., Vorobiev A.P. et al. // Nuclear Instrum. and Methods in Phys. Research. 1994. V. A340. P. 328 - 336.
Гущин С.М., Пороховниченко Л.П., Гермогенов В.П., Шмаков О.Г. // Изв. вузов. Электроника. 2003. № 5. С. 32 - 37.
Айзенштат Г.И., Гермогенов В.П., Гущин С.М. и др. // Вестник ТГУ. 2003. № 278. С. 81 - 86.
Ayzenshtat G.I., Germogenov V.P., Guschin S.M. et al. // Nuclear Instrum. and Methods in Phys. Research. 2001. V. A531, No. 1 - 2. P. 97 -102.
