ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF GaAs STRUCTURES WITH SCHOTTKY BARRIERS
The review of studies of GaAs structures with Schottky barriers is presented. The metallurgical structure of the barrier contacts formed at different conditions is discussed. The influence of the barrier metal type, thermal annealing regime, internal mechanical stresses, and external pressure on the electrical characteristics of the GaAs Schottky diodes is analyzed.
Download file
Counter downloads: 696
Keywords
Authors
| Name | Organization | |
| Vyatkin A.P. | ||
| Maksimova N.K. | ||
| Filonov N.G. | filonov@public.tsu.ru |
References
Yu K.M., Walukiewicz W., Jaklevic J.M., et.al. // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. No 3. P. 189 - 191.
Walukiewicz W. // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. No. 21. P. 2094 - 2096.
Вяткин А.П., Максимова Н.К. и др. // Изв. вузов. Физика. 1981. № 4. С.3 - 7.
Вяткин А.П., Максимова Н.К., Арбузова Г.К. и др. // Спец. электроника. Сер. 2. Полупроводн. приборы. 1986. № 1(47). С. 73 - 77.
Максимова Н.К., Калыгина В.М., Воронков В.П., Вяткин А.П. // Изв. вузов. Физика. 1993. № 10. С.52 - 62.
Вяткин А.П., Максимова Н.К., Степанов В.Е. и др. // Арсенид галлия 2. Томск: Изд-во. Том. ун-та, 1969. С. 141 - 146.
Брудный В.Н. Дис. ... докт. физ.-мат. наук. Томск, 1993.
Filonov N.G., Maksimova N.K., Vyatkin A.P., et al. // Phys. Stat. Sol. (a). 1984. V. 83. P. 701 - 708.
Вяткин А.П., Максимова Н.К., Дубинин А.В., Филонов Н.Г. // ФТП. 1981. Т. 15. №. 3. С. 484 - 489.
Максимова Н.К., Романова И.М., Филонов Н.Г. // ФТП. 1985. Т. 19. №. 1. С. 92 - 95.
Максимова Н.К., Филонов Н.Г. // Изв. вузов. Физика. 1996. № 5. С. 30 - 36.
Вяткин А.П., Крылова И.В., Максимова Н.К. и др. // ФТП. 1990. Т. 24. № 1. С. 109 - 114.
Филонов Н.Г. // Труды V Междунар. конф. «Актуальные проблемы электронного приборостроения», АПЭП-2000. Новосибирск, 2000. Т. 2. С. 26 - 29.
Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с.
