PHOTOELECTRONIC INFRARED DETECTORS WITH CONTROLLABLE SPECTRAL CHARACTERISTICS.
The comparative analysis of limiting detectivities of different types of infrared detectors with controllable spectral characteristics is made. It is shown that the intrinsic detectors on the basis of the HgCdTe have the best 174performances for the use in a spectral range of 8-12 microns in comparison with the photodetectors on the basis of structures with an internal photoemission such as heterostructures, Schottky barriers, and structures with quantum wells. The influence of the near-surface graded-band layers on electrophysical and photoelectrical properties of MIS-structures on the basis of the heteroepitaxial HgCdTe is experimentally explored. It is shown that making of near-surface graded-band layers in HgCdTe allows one to diminish the influence of the surface recombination on the lifetime of minority charge carriers. It is concluded that the matrixes of photosensitive MIS-structures can be used as monolithic IR-detectors with signal processing in the focal plane.
Keywords
Authors
| Voitsekhovskii A.V. | | vav@elefot.tsu.ru |
| Nesmelov S.N. | | nes@elefot.tsu.ru |
Всего: 2
References
Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульцичкий Н.А. // Материалы 16 Междунар. симп. «Тонкие пленки в электронике». М.: Техномаш, 2004. С. 141 - 147.
Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Nesmelov S.N. // Opto-electronics Review. 2003. V. 11. No. 2. P. 161 - 168.
Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Несмелов С.Н. // Оптика атмосферы и океана. 2003. Т. 16. № 9. C. 856 - 861.
Рогальский А. Инфракрасные детекторы: Пер. с англ. под ред. А.В. Войцеховского. Новосибирск: Наука, 2003. 636 с.
Овсюк В.Н., Курышев Г.Л., Сидоров Ю.Г. и др. Матричные фотоприемники инфракрасного диапазона. Новосибирск: Наука, 2001. 376 с.
Kinch M.A. // Proc. SPIE. 2001. V. 4288. P. 245 - 265.
Kinch M.A. // J. Electron. Mater. 2000. V. 29. Nо. 6. P. 809 - 817.
Rogalskii A. // Journal of Applied Physics. 2003. V. 93. No. 8. P. 4355 - 4391.
Войцеховский А.В., Рогальский А. // Материалы Междунар. конф. «Современные проблемы физики и высокие технологии». Томск: Изд-во НТЛ, 2003. С. 193 - 195.
Войцеховский А.В., Денисов Ю.А., Коханенко А.П. и др. // ФТП. 1997. Т. 31. Вып. 7. С. 774 - 776.
Войцеховский А.В. // Изв. вузов. Физика. 1994. № 2. С. 99 - 104.
Lin T.L., Park J.S., George T., et al. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. P. 3318 - 3320.
Войцеховский А.В, Коханенко А.П., Несмелов С.Н. и др. // Изв. вузов. Физика. 2001. № 8. C. 11 - 20.
Войцеховский А.В, Коханенко А.П., Несмелов С.Н. и др. // Изв. вузов. Физика. 2001. № 11. С. 8 - 18.
Nesmelov S.N., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P. // Proceeding of SPIE. 2003. V. 5056. P. 127 - 134.
Машанов В.И., Чистохин И.Б., Зайцев Б.А. и др. // Микроэлектроника. 1998. Т. 27. № 6. C. 412 - 418.
Presting H. // Thin Solid Films. 1998. V. 321. P. 186 - 195.
Park J.S., Lin T.L., Jones E.W., et al. // Proc. SPIE. 1993. V. 2020. P. 12 - 21.
Jimenez J.R. // Proc. SPIE. 1994. V. 2225. P. 393 - 403.
Xiao X., Sturm J.S., Parihar S.R., et al. // IEEE Electron Devices Letters. 1993. V. 14. No. 4. P. 199 - 201.
Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Несмелов С.Н. // Изв. вузов. Физика. 2003. № 4. C. 26 - 28.
Воробьев Л.Е., Данилов С.Н., Зегря Г.Г. Фотоэлектрические являения в полупроводниках и размерно-квантованных структурах. Новосибирск: Наука, 2001. 248 с.
Шик А.Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.Ф., Рыков С.А. Физика низкоразмерных систем. СПб.: Наука, 2001. 160 с.
Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Средин В.Г. Оптоэлектронные приборы на квантово-размерных структурах. М.: Изд-во Минобороны, 1999. 176 с.
Войцеховский А.В., Давыдов В.Н. Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников. Томск: Радио и связь, 1990. 327 с.
