Download file
Counter downloads: 674
Keywords
Authors
| Name | Organization | |
References
Хлудков С.С. Диффузия примесей в арсениде галлия, диффузионные структуры и приборы // Наст. вып. С. 85 - 95.
Хлудков С.С. Арсенидгаллиевые структуры с глубокими примесными центрами и приборы на их основе (история возникновения, становления и развития, основные результаты) // Сб. «40 лет НИИПП». Томск: Изд-во «Красное знамя», 2004.
Хлудков С.С. Арсенидгаллиевые лавинные S-диоды // Изв. вузов. Физика. 1983. № 10. С. 67 - 88.
Каримбаев Д.Д., Корецкий А.В., Павлов Ю.Д. и др. Разработка GaAs-диодов и их применение в схемах импульсной техники // Электронная промышленность. 1993. № 9. С. 62 - 70.
Хлудков С.С., Толбанов О.П., Будницкий Д.Л. Арсенидгаллиевые структуры с глубокими центрами и детекторы ионизирующих излучений на их основе // Изв. вузов. Физика. 1998. С. 39 - 43.
Преснов В.А., Вяткин А.П., Новотный С.И. и др. Исследование выпрямляющих свойств арсенида галлия // Тез. докл. совещ. по электронно-дырочным переходам в полупроводниках. Ташкент: ТашГУ, 1961. С. 25; Сб.: Электронно-дырочные переходы в полупроводниках. Таш
Chmil V.B., Sergeev V.A., Vorobiev A.P., et al. // Proc. of the 6th European Simp. on Semicond. Detectors. Milano, Italy, Febr. 1992. C. 24 - 26.
