Download file
Counter downloads: 885
Keywords
Authors
| Name | Organization | |
| vilisovaa@mail.ru |
References
Вяткин А.П. Исследование сплавных контактов полупроводников с металлами: Дис. ... канд. наук. Томск: СФТИ при ТГУ, 1959. 154 с.
Вяткин А.П. Механизм образования, структура и свойства контактов арсенида галлия с металлами // Арсенид галлия: Сб. статей. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1968. С. 169 - 190.
Вяткин А.П., Васильев А.П. Влияние условий образования сплавных p - n-переходов в арсениде галлия на их электрические характеристики (низкотемпературные контакты) // Электрон. техника. Сер. 2. Полупроводн. приборы. 1968. Вып. 5 (48). С. 51 - 57.
Вяткин А.П., Кулиш У.М. Влияние условий образования сплавных p - n-переходов в арсениде галлия на их электрические характеристики (высокотемпературные контакты) // Электрон. техника. Сер. 2. Полупроводн. приборы. 1968. Вып. 5 (48). С. 58 - 65.
Вяткин А.П., Вилисов А.А. Точечно-контактные диоды из арсенида галлия. Арсенид галлия: Сб. статей. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1968. С. 239 - 248.
Вяткин А.П., Вилисов А.А. Быстродействующие диоды из арсенида галлия // Докл. науч.-техн. конф., посв. Дню радио. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1966. С. 49-51.
Вилисов А.А., Вяткин А.П., Дементьев В.А. СВЧ-диоды на основе арсенида галлия // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1968. Т. 11. № 10. С. 1080 - 1084.
Вилисов А.А., Вяткин А.П., Латинис В.С. и др. Быстродействие точечно-контактных диодов // Радиотехника и электроника. 1970. Т. 15. № 9. С. 1999.
Барышников В.Ф., Вилисов А.А., Воронков В.П., Вяткин А.П. Фотоэлектрические характеристики сплавных переходов германий - арсенид галлия // Изв. вузов. Физика. 1973. № 2. С. 143 - 145.
Вилисов А.А., Воронков В.П., Диамант В.М. и др. Фотоэлектрические характеристики германиевых S-диодов // ФТП. 1976. Т. 10. № 7. С. 1342 - 1344.
Вилисов А.А., Воронков В.П. Двухкоординатный элемент с продольным фотоэффектом // ПТЭ. 1976. № 4. С. 214 - 216.
Вилисов А.А., Воронков В.П., Гермогенов В.П., Позолотин В.А. Исследование фоточувствительных структур на основе полупроводниковых твёрдых растворов // Труды Всес. конф. по фотометрии и её метрологич. обеспечению. М., 1976.
Гермогенов В.П., Коротченко З.В., Отман Я.И. и др. Влияние поверхности на темновой ток фотодиодов на основе AlGaSb(As) // Электрон. техн. Сер. 2. Полупровод. приборы. 1990. Вып. 2 (205). С. 13 - 16.
Вилисов А.А., Воронков В.П., Диамант В.М., Позолотин В.А. Электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов GaAs-Gex (GaAs)1-x при всестороннем сжатии // II Всес. конф. по физич. процессам в полупроводн. гетероструктурах: Тез. докл. Ашхабад
Вилисов А.А., Гаман В.И., Диамант В.М., Фукс Г.М. Фотоэлектрические характеристики p - n - n-структур на основе GaAs(Fe) // ФТП. 1980. Т. 14. № 4. С. 625 - 628.
Вилисов А.А., Воронков В.П., Позолотин В.А. Кремниевые p - i - n-диоды с V-образным отражающим рельефом // ФТП. 1981. Т. 15. № 5. С. 992 - 994.
Балюба В.И., Вилисов А.А., Воронков В.П., Потылицын Е.А. Способ измерения мощности излучения / А.с. СССР № 161448, 07.07.81.
Вилисов А.А., Воронков В.П., Вяткин А.П. Сплавные гетеропереходы германий - арсенид галлия // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника. Саратов: Изд-во Сар. ун-та, 1974. С. 3 - 21.
Воронков В.П., Вилисов А.А., Балюба В.И., Вяткин А.П. Влияние режимов сплавления на электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов германий - арсенид галлия // Арсенид галлия. Вып. 4. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1974. С. 252 - 255.
Вилисов А.А., Воронков В.П., Диамант В.М. Влияние режима сплавления на характеристики «длинных» германиевых диодов // Изв. вузов. Физика. 1975. № 6. С. 148 - 150.
Вилисов А.А., Воронков В.П., Диамант В.М. Исследование «длинных» германиевых диодов с отрицательным дифференциальным сопротивлением // Изв. вузов. Физика. 1975. № 6. С. 152 - 154.
Воронков В.П., Вилисов А.А., Вяткин А.П. Скорость контактного плавления германия с арсенидом галлия // Докл. Юбилейной науч.-техн. конф. радиофизического факультета: Часть 1. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1973. С. 13 - 18.
Вилисов А.А., Гаман В.И., Диамант В.М., Фукс Г.М. Фотоэлектрические характеристики p - n - n-структур на основе GaAs(Fe) // ФТП. 1980. Т. 14. № 4. С. 625 - 628.
Вилисов А.А., Гаман В.И., Диамант В.М., Фукс Г.М. Исследование p - п - н - n-структур из арсенида галлия // Тез. докл. 2-го Всес. со-вещ. по глубоким уровням в полупроводниках. Ташкент, 1980. Ч. 1.
Вилисов А.А, Вяткин А.П., Гермогенов В.П. Выращивание из жидкой фазы эпитаксиальных слоев твердых растворов AlxGa1-xSb // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1976. Т. 12. № 9. С. 1528 - 1532.
Гермогенов В.П., Вилисов А.А., Вяткин А.П. Получение и исследование структур с p - n-переходами на основе твёрдых растворов AlGaSb // Изв. вузов. Физика. 1975. № 9. С. 63 - 69.
Вилисов А.А., Гермогенов В.П., Ким Ф.С., Эпиктетова Л.Е. Легирование твердых растворов при жидкофазовой эпитаксии: II. Антимонид галлия-алюминия // Изв. вузов. Физика. 1977. № 7. С. 15 - 21.
Вилисов А.А., Воронков В.П., Позолотин В.А. Квантовая эффективность фотодиодов с отражающим рельефом // Изв. вузов. Физика. 1981. № 1. Деп. ВИНИТИ. № 4667-80.
Глущенко В.А., Ефимчик М.И., Закопайло В.М. Туннельные диоды пикосекундного диапазона и способ повышения их надежности в переключающих схемах // Материалы II Всес. науч.-техн. семинара «Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем».
Глущенко В.А., Вяткин А.П., Закопайло В.М. и др. Сверхбыстродействующие полупроводниковые структуры пикосекундного диапазона // Техника средств связи. Сер. Радиоизм. техника. 1980. Вып. 3 (28). С. 50 - 53.
Вяткин А.П. Тензоэлектрические явления в арсенидгаллиевых структурах // Изв. вузов. Физика. 1980. № 1. С. 91 - 104.
Коврижных Н.А., Перегуд В.И., Вяткин А.П. и др. Датчик с p - n-переходом для измерения статических и импульсных давлений // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Электрофизическая аппаратура. Л.: Энергоатомиздат, 1985. Вып. 22. С. 90 - 92.
Вяткин А.П., Криворотов Н.П., Щеголь С.С. Высокочувствительный быстродействующий датчик давления с туннельным диодом // Приборы и техника эксперимента. 1988. № 1. С.186 - 188.
Криворотов Н.П. Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: Дис. ... докт. наук. Томск, 2002.
Вяткин А.П., Максимова Н.К., Филонов Н.Г. Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs // Наст. вып. С. 122 -129.
Вяткин А.П., Максимова Н.К., Поплавной А.С. и др. Анизотропия электрических свойств поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия. Роль таммовских состояний // Арсенид галлия: Сб. статей. Вып. 2. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1969. С.141 - 146.
Вяткин А.П. , Максимова Н.К., Поплавной А.С. и др. Поверхностно-барьерные переходы в арсениде галлия и роль таммовских состояний в их образовании // ФТП. 1970. Т. 4. С. 915.
Вяткин А.П., Максимова Н.К. Физико-химические взаимодействия в контактах металл - полупроводник и свойства барьеров Шоттки // Материалы электронной техники. Новосибирск: Наука, 1983. Ч. 2. С. 29.
Вяткин А.П., Максимова Н.К. Влияние межфазных взаимодействий на структуру и свойства контактов металл - арсенид галлия // Новые материалы электронной техники. Новосибирск: Наука, 1990. С. 32 - 48.
Максимова Н.К., Калыгина В.М., Воронков В.П., Вяткин А.П. Структура и свойства межфазных границ арсенид галлия - металл (диэлектрик) // Изв. вузов. Физика. 1993. № 10. С. 52 - 62.
Вяткин А.П., Максимова Н.К. Дефекты в структурах с барьером Шоттки // Изв. вузов. Физика. 1983. № 10. С. 96.
Вяткин А.П., Максимова Н.К., Пекарский Е.Н. Импульсные диоды с барьером Шоттки на арсениде галлия // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1971. Т. 14. С. 703.
Филонов Н.Г. Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Дис. ... докт. наук. Томск, 2000. 234 с.
Анисимов О.В., Максимова Н.К., Филонов Н.Г. и др. Особенности электрических и газочувствительных характеристик полученных катодным напылением тонких плёнок диоксида олова // Сенсор. 2003. № 1. С. 35 - 44.
Анисимов О.В., Максимова Н.К., Филонов Н.Г. и др. Особенности отклика тонких плёнок Pt/SnO2:Sb на воздействие СО // ЖФХ. 2004. № 10.
Гаман В.И., Дученко М.О., Калыгина В.М. Влияние водорода на вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики туннельных МДП-диодов на основе кремния // Изв. вузов. Физика. 1999. № 9. С. 3 - 14.
Гаман В.И., Калыгина В.М. Временная зависимость емкости кремниевого туннельного МОП-диода при воздействии водорода // Изв. вузов. Физика. 2003. № 4. С. 3 - 13.
