VAPOUR PHASE EPITAXY OF GALLIUM ARSENIDE
The studies of growth and doping kinetics under vapour phase epitaxy (VPE) of GaAs are reviewed. The investigations have been primarily made in the Laboratory of Epitaxial Structures of SPhTI as well as in collaboration with colleges from the electronic-industry enterprises and institutes of Academy of Science of the USSR. The results of these investigations allowed us to develop models of growth and impurity incorporation under the vapour phase epitaxy of GaAs involving the chemical transport reaction as well as to work out the lateral epitaxy techniques and methods of growth of doped layers for specific technical applications.
Download file
Counter downloads: 716
Keywords
Authors
| Name | Organization | |
| Lavrentieva L.G. | lavr@ic.tsu.ru | |
| Vilisova M.D. | vilisovaa@mail.ru | |
| Ivonin I.V. | iiv@phys.tsu.ru |
References
Kirwan W.J. // Electrochem. Soc. 1970. V. 117. P. 1572 - 1576.
Коковин Г.А., Федорова Т.В., Кузнецов Ф.А. Термодинамический анализ процессов выращивания арсенида галлия из газовой фазы // Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников. Т. 1. Новосибирск: Наука, 1968. С. 106 - 121.
Fergusson R.R., Gabor T. // J. Electrochem. Soc. 1964. V. 111. P. 185.
Лаврентьева Л.Г. Дис. ... докт. наук. Новосибирск, 1981.
Лаврентьева Л.Г., Якубеня. М.П. Арсенид галлия: Сб. ст. Вып. 2 / Под ред. М.А. Кривова, Л.Г. Лаврентьевой. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1969. С. 40 - 45; Лаврентьева Л.Г., Катаев Ю.Г. Там же. С. 46 - 50; Лаврентьева Л.Г., Дедков В.Д., Бакин Н.Н., Ермолаев В.
Moest R.R. // J. Electrochem. Soc. 1966. V. 113. No. 2. P. 141.
Магомедов Х.А. Влияние ориентации подложек на скорость роста и морфологию автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия // Арсенид галлия: Сб. ст. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1968. С. 346.
Катаев Ю.Г., Лаврентьева Л.Г. Электрические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия р-типа // Там же. С. 377.
Shaw D.W. «Gallium arsenide». Proc. of 2nd Int. Symp. Dallas, oct. 1968. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 7. 1969. P. 50.
Williams F.V. // J. Electrochem. Soc. 1964. V. 111. No. 7. P. 886.
Лисенкер Б.С., Марончук И.Е., Марончук Ю.Е., Шерстяков А.П. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1972. Т. 8. № 4. С. 670.
Лаврентьева Л.Г. Механизм роста эпитаксиального арсенида галлия // Процессы роста кристаллов и пленок полупроводников. Новосибирск: Наука, 1970. С. 118 - 136.
Lavrentieva L.G., Kataev Yu.G., Moskovkin V.A., Yakuben М.Р. Effect of substrate orientation on growth rate and doping level of vapour grown GaAs // Kristall und Technik. 1971. V. 6. Nо. 5. P. 607 - 622.
Лаврентьева Л.Г. Анизотропия скорости роста и механизм роста арсенида галлия в газотранспортных системах // Кристаллография. 1980. Т. 24. № 6. С. 1273 - 1279.
Lavrentieva L.G. Anisotropic phenomena in GaAs growth process in vapour deposition systems // Thin Sol. Films. 1980. V. 66. Nо. 1. P. 71 - 84.
Лаврентьева Л.Г. Материалы электронной техники. Т. 1. Новосибирск: Изд-во АН СССР, 1983. С. 34 - 45.
Элементарные процессы роста кристаллов. М.: ИЛ, 1959.
Лаврентьева Л.Г., Ивонин И.В., Красильникова Л.М., Московкин В.А., Якубеня М.П. Исследование микроморфологии автоэпитаксиального арсенида галлия. Зависимость от ориентации подложек // Изв. вузов. Физика. 1973. №10. С. 149 - 151.
Ивонин И.В. Дис. ... докт. наук. Новосибирск, 1998.
Чернов А.А., Рузайкин М.П. // Рост кристаллов. Т. 13. М.: Наука, 1979. С. 20 - 27.
Рузайкин М.П., Эрвье Ю.Ю. // Кристаллография. 1996. Т. 41. № 4. С. 597 - 601.
Лаврентьева Л.Г., Ивонин И.В., Красильникова Л.М. и др. Влияние типа легирующей примеси на формирование ростового рельефа арсенида галлия в хлоридной газотранспортной системе // Изв. вузов. Физика. 1976. № 1. С. 44 - 48.
Лаврентьева Л.Г., Ивонин И.В., Красильникова Л.М., Пороховниченко Л.П. Скорость роста и структура поверхности АЭС арсенида галлия // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Т. 2. Сб. ст. Новосибирск: Наука, 1977. С. 84 - 98.
Лаврентьева Л.Г., Московкин В.А., Ивонин И.В. Влияние пересыщения на рост слоев арсенида галлия в хлоридной газотранспортной системе // Изв. вузов. Физика. 1981. № 3. С. 89 - 93.
Лаврентьева Л.Г., Московкин В.А., Иванов В.Г., Ивонин И.В. Влияние пересыщения на рост полярных граней (111) арсенида галлия // Изв. вузов. Физика. 1982. № 4. С. 112 - 113.
Лаврентьева Л.Г., Вилисова М.Д., Московкин В.А. Кинетика захвата теллура гранями (111) арсенида галлия в системе GaAs - AsCl3 - H2 при различных пересыщениях // Изв. вузов. Физика. 1983. № 6. С. 42 - 46.
Лаврентьева Л.Г., Пороховниченко Л.П., Ивлева О.М. Рост арсенида галлия при различных входных пересыщениях в газотранспортной системе GaAs - AsCl3 - H2. I. Кинетика роста и структура эпитаксиальных слоев // Изв. вузов. Физика. 1976. № 6. С. 54 - 59.
Лаврентьева Л.Г., Ивонин И.В., Пороховниченко Л.П. Рост арсенида галлия при различных входных пересыщениях в газотранспортной системе GaAs - AsCl3 - H2. II. Механизм роста // Изв. вузов. Физика. 1977. № 12. С. 24 - 29.
Лаврентьева Л.Г., Вилисова М.Д., Катаев Ю.Г., Пороховниченко Л.П. Рост арсенида галлия при различных входных пересыщениях в газотранспортной системе GaAs - AsCl3 - H2. III. Электрофизические свойства эпитаксиальных слоев // Изв. вузов. Физика. 1978. № 5.
Лаврентьева Л.Г. Захват примеси при газофазовой эпитаксии арсенида галлия // Изв. вузов. Физика. 1983. № 10. С. 31 - 44.
Лаврентьева Л.Г. Кинетика легирования арсенида галлия при газофазовой эпитаксии // Рост кристаллов: Сб. ст. Т. 16. / Под ред. Х.С. Багдасарова, Э.Л. Лубе. М.: Наука, 1988. С. 128 - 140.
Лаврентьева Л.Г., Иванов В.Г., Ивонин И.В. и др. Влияние температуры кристаллизации на скорость роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе GaAs - AsCl3 - H2 // Изв. вузов. Физика. 1982. № 9. С. 101 - 105.
Лаврентьева Л.Г., Ивонин И.В., Иванов В.Г., Московкин В.А. Влияние температуры кристаллизации на структуру ростовых поверхностей эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе GaAs - AsCl3 - H2 // Изв. вузов. Физика. 1982. № 9. С. 105 - 106.
Лаврентьева Л.Г., Вилисова М.Д., Московкин В.А., Торопов С.Е. Влияние температуры роста и ориентации подложки на вхождение теллура в эпитаксиальные слои арсенида галлия // Изв. вузов. Физика. 1982. № 11. С. 12 - 17.
Лаврентьева Л.Г., Вилисова М.Д., Красильникова Л.М. и др. Исследование переходных слоев в эпитаксиальном арсениде галлия. Морфология и распределение электронов в слоях в зависимости от времени роста в иодидной системе // Изв. вузов. Физика. 1973. № 2. С.
Лаврентьева Л.Г., Пороховниченко Л.П., Ивонин И.В. и др. Влияние способа обработки подложек на кинетику роста автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия и их свойства // Изв. вузов. Физика. 1974. № 1. С. 20 - 24.
Лаврентьева Л.Г. Механизм образования переходных слоев в эпитаксиальных арсенид-галлиевых структурах // Арсенид галлия: Сб. ст. Вып. 6 / Под ред. М.А. Кривова и др. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1975. С. 95 - 122.
Лаврентьева Л.Г., Вилисова М.Д. Переходные слои в автоэпитаксиальных структурах // Изв. СО АН СССР, сер. хим. 1975. № 2. Вып. 1. С. 58 - 77.
Лаврентьева Л.Г., Ивонин И.В., Красильникова Л.М., Пороховниченко Л.П. Исследование микроморфологии автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия. II. Начальные стадии роста // Изв. вузов. Физика. 1975. № 9. С. 69 - 74.
Ивонин И.В., Красильникова Л.М., Лаврентьева Л.Г., Лымарь Г.Ф. Кинетика формирования дефектов типа ЦТС при газофазовой эпитаксии арсенида галлия // Изв. вузов. Физика. 1979. № 6. С. 115 - 117.
Lavrentieva L.G., Ivonin I.V., Krasilnikova L.M., Vilisova M.D. Formation of submicron growth defects during vapour deposition of GaAs films // Crystal Research and Technology. 1980. V. 15. Nо. 6. P. 683 - 689.
Александрова Г.А., Ивонин И.В., Красильникова Л.М. и др. Образование субмикронных ямок роста при газофазовой эпитаксии арсенида индия // Изв. вузов. Физика. 1982. № 4. С. 110 - 111.
Вилисова М.Д., Лаврентьева Л.Г., Пороховниченко Л.П. и др. Локальные примесные неоднородности в автоэпитаксиальных слоях арсенида галлия // Изв. вузов. Физика. 1978. № 10. С. 96 - 101.
Залетин В.М., Астахов В.М., Васин О.И. и др. Дефекты структуры в полупроводниках. Новосибирск: Наука, 1973. С. 62 - 64.
Вилисова М.Д., Гурченок Г.А., Катаев Ю.Г. и др. Влияние свойств эпитаксиального арсенида галлия на параметры диодов Ганна // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1980. Вып. 4. С. 82 - 87.
Jastrzebski L. SOI by CVD: epitaxial lateral overgrowth (ELO) process - review // J. Crystal Growth. 1983. V. 63. P. 493 - 526.
Владимирова С.Ю., Ивонин И.В., Катаев Ю.Г. и др. Кинетика кристаллизации арсенида галлия при латеральной эпитаксии в хлоридной газотранспортной системе // Кристаллография. 1995. Т. 40. № 5. C. 916 - 919.
Владимирова С.Ю., Ивонин И.В., Лаврентьева Л.Г. и др. Влияние ориентации подложки на анизотропию скорости латерального роста GaAs в хлоридной газотранспортной системе // Кристаллография. 1996. Т. 41. № 5. С. 932 - 934.
Брудный В.Н., Воеводина О.В., Воеводин В.Г. и др. Физика сложных полупроводниковых кристаллов и структур // Изв. вузов. Физика. 1998. № 8. С. 26 - 38.
Ivonin I.V., Lavrentieva L.G., Porokhovnichenko L.P. Lateral epitaxy of gallium arsenide by chloride vapor transport // Growth of Crystals. N.Y., Boston, Dordrecht, London, Moscow: Kluwer Academic (Consultants Bureau), 2002. V.21. P. 25 - 35.
Вилисова М.Д., Ивлева О.М., Красильникова Л.М. и др. Исследование структуры и свойств эпитаксиального арсенида галлия, легированного серой // Изв. вузов. Физика. 1985. № 7. С. 24 - 27.
Вилисова М.Д., Бобровникова И.А., Ивлева О.М. и др. Поведение примеси германия в эпитаксиальных слоях арсенида галлия, выращенных из газовой фазы // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1990. Т. 26. С. 1763 - 1765.
Вилисова М.Д., Катаев Ю.Г., Чернов Н.А. и др. Электрофизические свойства эпитаксиального арсенида галлия, легированного акцепторными примесями // Изв. вузов. Физика. 1995. № 2. С. 54 - 58.
Бобровникова И.А., Вилисова М.Д., Лаврентьева Л.Г., Рузайкин М.П. Закономерности легирования и формирования примесно-вакансионных комплексов в условиях ГФЭ арсенида галлия / Препринт № 9. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1990. 31 с.
Bobrovnikova I.A., Lavrentieva L.G., Ruzaikin M.P., Vilisova M.D. Doping and impurity-vacancy complex formation during vapour phase epitaxy of gallium arsenide // J. Cryst. Growth. 1992. V. 123. No. 3/4. P. 529 - 536.
Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. Новосибирск: Наука, 2001. С. 119.
Лаврентьева Л.Г., Вилисова М.Д., Преображенский В.В., Чалдышев В.В. Молекулярно-лучевая эпитаксия арсенида галлия при низких температурах: влияние избыточного мышьяка на структуру и свойства материала // Изв. вузов. Физика. 2002. № 8. С. 3 - 19.
Вилисова М.Д., Лаврентьева Л.Г. Газофазовая эпитаксия полуизолирующего арсенида галлия // Обзоры по электронной технике. Сер. 6 (материалы). Вып. 3 (1132). М.: ЦНИИ «Электроника», 1985. 33 с.
Бобровникова И.А., Вилисова М.Д., Иконникова Г.М. и др. Исследование процесса роста, структуры и свойств эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированных марганцем // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1988. Вып. 2. С. 53 - 57.
Вилисова М.Д., Красильникова Л.М., Тетеркина И.В. и др. Исследование свойств эпитаксиального арсенида галлия при двойном легировании серой и железом // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1989. Вып. 4. С. 5 - 8.
Вилисова М.Д., Иконникова Г.М., Толбанов О.П., Хлудков С.С. Быстродействующий S-диод на основе GаAs:Fe-структур, полученных газофазовой эпитаксией // Изв. вузов. Физика. 1981. № 11. С. 3 - 6.
Вилисова М.Д., Другова Е.П., Полтавец И.Ю. и др. Детекторы на основе VPE-GaAs, компенсированного хромом // Электронная промышленность. 2002. Вып. 2/3. С. 53 - 55.
