SHF SEMICONDUCTOR DEVICES
The brief review of the research and development works on Schottky-barrier mixer-detector diodes (SBD) and generating Gunn diodes (GD) carried out in Research and Development Institute of Semiconductor Devices (Tomsk) is presented. These researches allowed one to develop adequate physical and mathematical models of SBDs and GDs, work out the device structure technology, and put into production about hundred devices of various types complying with the modern requirements on reliability and performance. The microcase SBDs, the beam lead SBDs, and the chips with honeycomb array of Schottky contacts make it possible to produce effective receivers for millimeter- and submmillimeter ranges of wavelengths. The single- and multifunctional modules are made in short-wave range on the basis of the diode МIСs, which opens possibilities for more intensive developing of this wave range.
Download file
Counter downloads: 704
Keywords
Authors
| Name | Organization | |
| Bozhkov V.G. | bozhkov@tomsk.ru | |
| Lukash V.S. |
References
Тагер А.С. // Литовский физический сборник. 1981. T. XXI. № 4. C. 23.
Kahng D. // Solid-State Electron. 1963. V. 6. No 3. P. 281.
Padovani F.A. and Sumner G.G. // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. No. 12. P. 3744.
Вяткин А. П., Максимова Н.К., Катаев Г.А., Батенков В.А. // Изв. вузов. Физика. 1967. № 8. C. 86.
Goodman A.M. // J. Apl. Phys. 1963. V. 34. No. 2. P. 329.
Стриха В.И. // Радиотехника и электроника. 1964. T. 9. № 4. C. 681.
Cowley A.M. and Sze S.M. // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. No. 10. P. 3213.
Crowell C.R., Shore H.B., La Bate E.E. // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. No. 12. P. 3843.
Crowell C.R., Sze S.M. // Solid-State Electron. 1966. V. 9. No. 9. P. 965.
Bardeen J. // Phys. Rev. 1947. V. 71. P. 717.
Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973.
Стриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл - полупроводник. Киев: Наукова думка, 1974.
Стриха В.И., Бузанёва Е.В., Радзиевский И.А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. М.: Сов. радио, 1974.
Saxena A.N. // Surface science. 1969. V. 13. P. 151.
Anand J., Moroney W.J. // Proc. IEEE. 1971. V. 59. No. 8. P. 1190.
Feldman E.J. // Electronic World. 1966. July. Р. 57.
Bauer R.J., Cobin M., Cotton J.M., Packard R.F. // Proc. IEEE. 1966. V. 54. No. 4. P. 595.
Горбачёв А.И., Кукарин С.В. Полупроводниковые СВЧ-диоды. М.: Сов. радио, 1968.
Rhoderick E.H. and Williams R.H. Metal-Semiconductor contacts. 2nd ed. Oxford: Clarendon, 1988.
Божков В.Г., Ковтуненко Г.Ф., Суроткина Г.М., Селина Л.С. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1978. Вып. 4 (122). С.14.
Вяткин А.П., Максимова Н.К. // Изв. вузов. Физика. 1983. № 3. С. 22.
Chekir F., Lu G.N., and Barret C. // Solid-State Electron. 1986. V. 29. No. 5. P. 519.
Божков В.Г., Усольцев А.А., Хан А.В. // Радиотехника и электроника. 1986. Т. 31. № 1. С. 180.
Rau U., Guttler H.H., and Werner J.H. // Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations / Ed. by T. Musha, S. Sato and M. Yamamoto. Ohmsha Ltd., 1991. Р. 213.
Божков В.Г., Малаховский О.Ю., Леуский В.Е., Струков И.А. // Радиотехника и электроника. 1983. Т. ХХVIII. № 6. С. 1182.
Kollberg E.L., Zirath H., Jelenski A. // IEEE Trans. on MTT. 1986. V. 34. No. 9. Р. 913.
Божков В.Г., Кашкан А.А. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1981. Вып. 7 (150). С. 12.
Божков В.Г. // Изв. вузов. Физика. 1987. № 2. С. 29.
Wittmer M. // Phys. Rev. B. 1990. V. 42. No. 8. P. 5249.
Wittmer M. // Phys. Rev. B. 1991. V. 43. No. 5. P. 4385.
Werner J.H. and Guttler H.H. // J. Appl. Phys. 1991. V. 69(3). Р. 1522.
Tung R.T. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. Nо. 24. Р. 2821.
Sullivan J.P., Tung R.T., Pinto M.R., Graham W.R. // J. Appl. Phys. 1991. V. 70(12). Р. 7403.
Божков В.Г. // Седьмая Российская конф. «Арсенид галлия». «GaAs-99». Томск, 21 - 23 октября 1999 г. Материалы конф. Томск, 1999. С. 13.
Божков В.Г. // Изв. вузов. Радиофизика. 2002. Т. 45. № 5. С. 416.
Божков В.Г., Зайцев С.Е. // Изв. вузов. Физика. 2004 (в печати).
Божков В.Г., Зайцев С.Е. // Изв. вузов. Радиофизика. 2004 (в печати).
Божков В.Г., Зайцев С.Е. // Изв. вузов. Радиофизика. 2004 (в печати).
Wagner L.F., Joung R.W., and Sugerman A. // IEEE Electron Dev. Lett. 1983. V. EDL-4. No. 9. Р. 320.
Божков В.Г. Дис. ... докт. наук. Томск: НИИПП, 1987.
Божков В.Г., Солдатенко К.В., Ятис А.А. // Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. Киев: Наукова думка, 1979. С. 48.
Божков В.Г., Солдатенко К.В., Ятис А.А. // Фосфид индия в полупроводниковой электронике. Кишинёв: Штиинца, 1988. С. 62.
Диод с барьером Шоттки. А.С. № 1556472. Приоритет от 25.04.88 г. / К.В. Солдатенко, Н.В. Карпович, О.Ю. Малаховский, В.Г. Божков.
Young D.T., Irvin I.C. // Proc. IEEE. 1965. V. 53. P. 2130.
Божков В.Г., Вилисова В.В., Куркан К.И. и др. // Электронная промышленность. 1993. № 9. С. 82.
Кораблёва Т.В., Жарков Ю.П., Малаховский О.Ю. и др. // Электронная промышленность. 1993. № 9. С. 56.
Божков В.Г. // Изв. вузов. Радиофизика. 2003. Т. 46. № 8 - 9. С. 702.
Багаев С.Н., Божков В.Г., Захарьяш В.Ф. и др. // Квантовая электроника. 1998. Т. 25. № 6. С. 558.
Божков В.Г., Геннеберг В.А., Куркан К.И. и др. // Электронная промышленность. 1993. № 9. С. 88.
Clifton B. J., Alley G.D., Murphy R. A., Mrozckoski H. // IEEE Trans. 1981. V. ED-28. No. 2. P. 155.
Интегральная схема СВЧ. Патент № 2076393. Приоритет от 14.05.92 г. / В.Г. Божков, В.А. Геннеберг, В.И. Романовская.
CВЧ диод с балочными выводами. Патент № 2061980. Приоритет от 14.08.92 г. / В.Г. Божков, В.А. Геннеберг, В.И. Романовская.
Siegel P.H. Terahertz technology // IEEE Trans. on MTT. 2002. V. 50. No. 3. P. 9.
Божков В.Г., Геннеберг В.А., Куркан К.И., Перфильев В.И. // Электронная промышленность. 2001. № 5. С. 77.
Bozhkov V.G., Ghenneberg V.A., Kourkan K.I., Perfiliev V.I. // MSMW'2001 Symposium Proceedings. Kharkov. Ukraine. June 4 - 9. 2001. Р. 126.
Божков В.Г., Геннеберг В.А., Куркан К.И., Перфильев В.И. // Восьмая Российская конф. «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V». GaAs-2002. Материалы конф. Томск, 1 - 4 октября 2002. С. 30.
Gunn J.B. // Solid State Commun. 1963. V. 1. Р. 88.
Kroemer H. // Proc. IEEE. 1964. V. 52. Р. 1736.
Ridley B.K., Watkins T.B. // Proc. Phys. Soc. Lrnd. 1961. V. 78. P. 293.
Hilsum C. // Proc. IRE. 1962. V. 50. P. 185.
Левинштейн. М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С. Эффект Ганна. М., 1975.
Лукаш В.С., Юрченко В.И., Поспергелис О.М. // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1985. Вып. 4.
Юрченко В.И., Лукаш В.С. // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1985. Вып. 5. С. 27.
Rostoezy F. Gallium Arsenide and Related Compounds. 1974. London-Bristol, 1975. Р. 3.
Караваев Г.Ф., Судаков С.В. // VI Всес. симп. по плазме и неустойчивостям в полупроводниках. Вильнюс, 1986. С. 8.
Васильев Н.А., Лукаш В.С., Муравьев В.В., Шалатонин В.И. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1985. Т. 28. № 10.
Пороховниченко Л.П., Чернов Н.А. Способ получения эпитаксиальных структур арсенида галлия из газовой фазы / Заявка на изобретение № 3595309/079995 от 09.04.84.
Ахунов И.Ш., Лукаш В.С., Бакин Н.Н. // Спец. электроника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1977. № 8. С. 30.
