Электролюминесценция азот-вакансионных и никелевых центров окраски алмаза | Технологии безопасности жизнедеятельности. 2024. № 8. DOI: 10.17223/29491665/8/7

Электролюминесценция азот-вакансионных и никелевых центров окраски алмаза

Исследованы электролюминесценции центров окраски четырех синтетических алмазных образцов, выращенных методом температурного градиента. Зарегистрированы спектры электролюминесценции азот-вакансионных и никелевых центров окраски: NV, N²V, NE2. Измерены зависимости интенсивности свечения центров окраски от протекающего тока в объеме образца. Определено влияние зоны роста на электролюминесценцию в алмазе. Области внутренних напряжений алмазных образцов являлись источниками яркой электролюминесценции. Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.

Скачать электронную версию публикации

Загружен, раз: 5

Ключевые слова

алмаз, лазер, квантовый сенсор, алмазный светодиод, электролюминесценция алмаза

Авторы

ФИО	Организация	Дополнительно	E-mail
Бородулин Захар Игоревич	Национальный исследовательский Томский государственный университет; Институт сильноточной электроники СО РАН	лаборант лаборатории квантовых информационных технологий; инженер лаборатории оптических излучений	zahar.borodulin12@gmail.com
Васильева Людмила Александровна	Национальный исследовательский Томский государственный университет	лаборант лаборатории квантовых информационных технологий, аспирант радиофизического факультета
Смородин Константин Игоревич	Национальный исследовательский Томский государственный университет	студент радиофизического факультета
Шулепов Михаил Александрович	Национальный исследовательский Томский государственный университет; Институт сильноточной электроники СО РАН	кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник лаборатории квантовых информационных технологий; научный сотрудник лаборатории оптических излучений

Всего: 4

Ссылки

Хмельницкий Р.А., Талипов Н.Х., Чучева Г.В. Синтетический алмаз для электроники и оптики. М. : ИКАР, 2017.

Khramtsov I. A., Fedyanin D. Superinjection in diamond homojunction P-I-N diodes // Semiconductor Science and Technology. 2019. Vol. 34, № 3. P. 03LT03. doi: 10.1088/1361-6641/ab0569.

Pezzagna S., Meijer J. Quantum computer based on color centers in diamond // Applied physics review. 2021. Vol. 8, № 1. P. 011308. doi: 10.1063/5.0007444.

Wolfe R., Woods J. Electroluminescence of Semiconducting Diamonds // Physical review. 1957. Vol. 2. P. 921-923.

Lobaev M.A., Radishev D., Vikharev A.L., Gorbachev A.M., Bogdanov S.A., Isaev V.A., Kraev S.A., Okhapkin A.I., Arhipova E.A., Demidov E. V., Drozdov M.N. SiV center electroluminescence in high current density diamond p-i-n diode // Applied Physics Letters. 2023. Vol. 123, P. 251116. doi: 10.1063/5.0178908.

Savvin A., Dormidonov A., Smetanina E., Mitrokhin V., Lipatov E., Genin D., Potanin S., Yelisseyev A., Vins V. NV- diamond laser // Nature Communications. 2021. Vol. 12, № 7118. P. 21. doi:10.1038/s41467-021-27470-7.

Li M., Yin L., Cui J., Song Y., Li F., Hao Z. Atom force microscopy study on HTHP as-grown diamond single crystals // Journal of Material Science and Technology. 2001. Vol. 19, № 2. P. 113-116. doi: 10.1007/s003390101007.

Zaitsev A.M., Optical Properties of Diamond, Data Handbook. B: Springer Heidelberg, 2001. doi: 10.1007/978-3-662-04548-0Z.

Zhang B., Shen S., Wang J., He J., Shanks H.R., Leksono M. W., Girvan R. Blue-green electroluminescence of free-standing diamond thin films // Chinese Physics Letters. 2009. Vol. 11, № 4. P. 235. doi: 10.1088/0256-307X/11/4/012.

Haruyama M., Kato H., Ogura M., Kato Y., Takeuchi D., Yamasaki S., Iwasaki T., Morishita H., Fujiwara M., Mizuochi N., Makino T. Electroluminescence of negatively charged single NV centers in diamond // Applied Physics Letters. 2023. Vol. 122. P. 072101. doi: 10.1063/5.0138050I.