Under barrier and over barrier transfer of electrons through multilayered semiconductor structures
The transparency coefficients of the semiconductor structure consisting of alternating asymmetric potential barriers and wells are calculated, which takes into account the Bastard condition. It is shown that the oscillation of the transmission coefficient of electrons as a function of their energy should be observed in the structure, which is due to the interference of de Broglie waves reaching the barrier and reflected from the potential barrier. The electronic states of a multilayer semiconductor structure consisting of alternating potential wells and barriers are analyzed.
Download file
Counter downloads: 124
Keywords
полупроводник, многослойная структура, барьер, яма, электрон, коэффициент прозрачности, semiconductor, multilayer structure, barrier, well, electron, transparency coefficientAuthors
| Name | Organization | |
| Rasulov R.Ya. | Fergana State University | r_rasulov51@mail.ru |
| Rasulov V.R. | Fergana State University | |
| Mamadaliyeva N.Z. | Kokand State Pedagogical Institute | |
| Sultanov R.R. | Kokand State Pedagogical Institute |
References
Щука А.А. Наноэлектроника. - М.: Физматкнига, 2007. - 465 с.
Младенов Г.М., Спивак В.М., Колева Е.Г., Богдан А.В. Наноэлектроника. Введение в наноэлекронные технологии. - Киев; София: Техносфера, 2009. - 1 кн. - 327 с.
Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физические основы наноэлектроники. - Саратов, 2013. - 128 с.
Драгунов В.П. Основы наноэлектроники. - М.: Физматкнига, 2006. - 494 с.
Bastard G. Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructure, Editions de Physique. -Les Ulis. - France, 1988. - 317 р.
Ivchenko E.L. and Pikus G.E. Superlattices and Other Heterostructures: Symmetry and Optical Phenomena, Springer Series in Solid-State Sciences. - Berlin; Heidelberg: Springer Verlag, 1995; second edition 1997. - 657 р.
Беляев И.В., Голант Е.И., Пашковский А.Б. // ФТП. - 1997. - Т. 31. - № 2. - С. 137-144.
Голант Е.И., Пашковский А.Б. // ФТП. - 1997. - Т. 31. - № 9. - С. 1077-1082.
Голант Е.И., Пашковский А.Б. // ФТП. - 2000. - Т. 34. - № 2. - С. 334-339.
Голант Е.И., Пашковский А.Б. // ФТП. - 2002. - Т. 36. - № 3. - С. 330-337.
Пашковский А.Б. // Письма в ЖЭТФ. - 2005. - Т. 82. - № 3-4. - С. 228-233.
Елесин В.Ф. // ЖЭТФ. - 2002. - Т.121. - № 4. - С. 925-932.
Елесин В.Ф. // ЖЭТФ. - 2003. - Т.123. - № 5. - С. 1096-1105.
Елесин В.Ф. // ЖЭТФ. - 2003. - Т.124. - № 2. - С. 379-393.
Елесин В.Ф., Катеев И.Ю. // ФТП. - 2008. - Т. 42. - С. 586.
Елесин В.Ф. // ЖЭТФ. - 2014. - Т. 145. - № 6. - С. 1078-1086.
Галиев В.И., Круглов А.Н., Полупанов А.Ф. и др. // ФТП. - 2002. - Т. 36. - С. 576-581.
Davies J.N. The Physics of Low-Dimensional Semiconductors. - Cambridge University, 1998. - 438 p.
