Formation of dislocations in the process of impurities diffusion in GaAs
A study of the formation of dislocations in the process of impurities diffusion in GaAs has been carried out. The formation of dislocations in GaAs diffusion layers doped with different impurities (elements of groups II, IV, VI and transition elements) is studied, depending on the conditions of diffusion. It is shown that during the diffusion of impurities in GaAs diffusion layers, dislocations are formed, the density of which in the layers doped to the limiting surface concentrations can reach 108 cm- 2. As the surface concentration of the diffusing impurity decreases, the dislocation density decreases. The diffusion conditions under which additional dislocations are not formed are determined. Based on a comparison of the obtained experimental data and the results of the performed calculation, it was concluded that the formation of dislocations during the diffusion of impurities in GaAs is due to the gradient of the impurity concentration.
Keywords
gallium arsenide,
diffusion,
mechanical stresses,
formation of dislocationsAuthors
| Khludkov S.S. | National Research Tomsk State University | knludkov@sibmail.com |
| Prudaev I.A. | National Research Tomsk State University | funcelab@gmail.com |
| Tolbanov O.P. | National Research Tomsk State University | top@mail.tsu.ru |
| Ivonin I.V. | National Research Tomsk State University | iiv@phys.tsu.ru |
Всего: 4
References
Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. - М.: Металлургия, 1984. - 256 с.
Мильвидский М.Г., Освенский Б.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. - М.: Металлургия, 1985. - 160 с.
Prussin S. // J. Appl. Phys. - 1961. - V. 32. - No. 10. - P. 1876.
Cousins P. J., Cotter J. E. // IEEE Trans. Electron. Devices. - 2006. - V. 53. - No. 3. - P. 457.
Laptev A.M., Malede Y., Duan S., et al. // Extreme Mech. Lett. - 2017. - V. 15. - P. 145.
Павлова О.Л., Ровенская Л.Г., Солертинская Е.С., Цыпин М.И. // Неорган. материалы. - 1969. - Т. 5. - № 4. - С. 721.
Воскобойникова Л.В., Пахомов В.Л., Петров А.Л., Швейкин В.Й. // Неорган. материалы. - 1973. - Т. 11. - № 11. - С. 1878.
Захаров Б.Г., Хлудков С.С. // Изв. вузов. Физика. - 1966. - Т. 9. - № 11. - С. 18.
Окунев В.Д., Захаров Б.Г., Хлудков С.С., Дружинкин И.Ф. // Электронная техника. - 1972. - Сер. 6. - № 5. - С.79.
Хлудков С.С., Прудаев И.А., Новиков В.А. и др. // ФТП. - 2010. - Т. 44. - № 8. - С. 1009.
Прудаев И.А., Хлудков С.С., Гутаковский А.К. и др. // Неорган. материалы. - 2012. - Т. 48. - № 2. - С. 133.
Прудаев И.А., Верхолетов М.Г., Королёва А.Д. и др. // Письма в ЖТФ. - 2018. - Т. 44. - Вып. 11. - С. 21.
Prudaev I.A., Oleinik V.L., Smirnova T.E., et al. // IEEE Trans. Electron Devices. - 2018. - V. 65. - № 8. - P. 3339.
Becker J., Tate M.W., Shanks K.S., et al. // J. Instrumentation. - 2018. - V. 13. - P. 01007.
Захаров Б.Г. // Кристаллография. - 1966. - Т. 11. - № 2. - С. 227.
Устинов В.М., Захаров Б.Г., Большакова Т.В. // Обзоры по электрон. техн. Сер. 6 «Материалы». - Изд. ЦНИИ «Электроника», 1977. - № 5. - С. 2.
Gagi K., Miyamoto N., Ishizawa J. // Jpn. J. Appl. Phys. - 1970. - V. 9. - No. 3. - P. 245.
Бокий Г.Б. Кристаллохимия. - М.: Наука, 1971. - 350 с.
Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. - М.: Наука, 1967. - 416 с.
