Restriction of number of levels of dimensional quantization in nanoelectronics elements
Realization of criterion of dimensional quantization in quantum holes of various form for power conditions of varions valueof energy is considered. It is established that there is the limit count of a discrete condition of the free charge carrier in a hole above which the criterion of dimensional quantization is not carried out. It is shown that in quantum holes of a rectangular and triangular profile the number of levels of dimensional quantization cannot exceed two-three. The received result is applicable to both quantum wells, and quantum wires, quantum point.
Keywords
levels of dimensional quantization,
de Broil wavelength,
rectangular quantum well,
triangular quantum well,
уровни размерного квантования,
длина волны де Бройля,
треугольная квантовая яма,
прямоугольная квантовая ямаAuthors
Davydov V.N. | Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics | dvn@fet.tusur.ru |
Zadorozhny O.F. | Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics | oleg9300@mail.ru |
Karanchkevich O.A. | Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics | Okarankevich@inbox.ru |
Всего: 3
References
Лозовский В.Н., Константинова Г.С., Лозовский С.В. Нанотехнология в электронике. - СПб.: Лань, 2008. - 336 с.
Борисенко В.Е., Воробьева А.И., Уткина Е.А. Наноэлектроника. - М.: БИНОМ. Лаб. знаний, 2009. - 223 с.
Фридрихов С.А., Мовнин С.М. Физические основы электронной техники. - М.: Мир, 1985. - 684 с.
Игнатов А.Н., Фадеева Н.Е., Савиных В.Л. Классическая электроника и наноэлектроника. - М.: Флинта, 2009. - 477 с.
Азаренков Н.А., Берестнев В.М., Погребняк А.Д. и др. Наноматериалы, нанопокрытия, нанотехнологии: - Харьков: Изд ХНУ им. В.Н. Каразина, 2009. - 209 с.
Кравченко А.Ф., Овсюк В.Н. Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности. - Новосибирск: Изд-во Новосиб. ун-та, 2000. - 447 с.
Ермаков О.Н. Прикладная оптоэлектроника. - М.: Техносфера, 2004. - 416 с.
Щука А.А. Наноэлектроника / под ред. проф. А.С. Сигова. - СПб.: ВХВ-Петербург, 2006. - 799 с.
Юнович А.Э.// Светотехника. - 2007. - № 6. - С. 13-17.
Optoelectronic Devices: Advanced Simulation and Analysis / ed. by J. Piprek. - N.Y.: Springer, 2005.
Мартинес-Дуарт Дж.М., Мартин-Палма Р.Дж., Агулло-Руеда Ф. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники: пер. с англ. А.В. Хачояна под ред. д.ф.-м.н. Е.Б. Якимова. - М.: Техносфера, 2007. - 367 с.
Nitride Semiconductor Devices. Principle and Simulation / ed. by J. Piprek. - Wiley - VCH Verlag GmbH and Co KGaA, 2007. - 496 p.
Шишкин Г.Г., Агеев И.М. Наноэлектроника: элементы, приборы, устройства. - М.: БИНОМ. Лаб. знаний, 2011. - 408 с.
Алферов Ж.И. // ФТП. - 1998. - Т. 32. - № 1. - С. 3-18.
Schubert E.F. Light-Emitted Diodes. - Cambridge, 2006. - 436 p.
Рощин В.М. Технология материалов микро-опто- и наноэлектроники. - М.: БИНОМ. Лаб. знаний, 2010. - 180 с.