Measurement of the tensor components of the anisotropic conductivity of semiconductor wafers a modified method of Van der Pauw
In work on the basis of the decision of boundary problems of electrodynamics the original technique of measurement by a contact method of components of a tensor of specific conductivity of anisotropic semiconductor plates of the square form is offered. Ohmic current and measuring contacts are located on the perimeter of the sample according to the most commonly used in practice schemes Van der Pauw. The obtained expressions are presented as polynomial dependences on the anisotropy parameter of the sample under study. The experimental test on the semiconductor CdSb single crystals and CdAs2.
Keywords
the method of Van der Pauw,
electrical conductivity,
anisotropic semiconductor,
метод Ван дер Пау,
удельная электропроводность,
анизотропный полупроводникAuthors
Filippov V.V. | Lipetsk State Pedagogical P. Semenov-Tyan-Shansky University; Southwest State University | wwfilippow@mail.ru |
Zavorotniy A.A. | Lipetsk State Pedagogical P. Semenov-Tyan-Shansky University | aazavorotnii@mail.ru |
Tigrov V.P. | Lipetsk State Pedagogical P. Semenov-Tyan-Shansky University | tigrisandn@mail.ru |
Всего: 3
References
Kleiza J. and Kleiza V. // Acta Phys. Polon. A. - 2011. - V. 119. - No. 2. - P. 148-150.
Шевченко А.Е., Поляков Н.Н. // Зав. лаб. Диагностика материалов. - 2001. - Т. 67. - № 6. - С. 25-29.
Зеегер К. Физика полупроводников. - М.: Мир, 1977. - 616 с.
Филиппов В.В., Власов А.Н. // Изв. вузов. Электроника. - 2012. - № 1 (93). - С. 48-53.
Шевченко А.Е., Поляков Н.Н. // Зав. лаб. Диагностика материалов. - 2000. - Т. 66. - № 9. - С. 28-32.
Филиппов В.В., Бормонтов Е.Н. // ФТП. - 2013. - Т. 47. - № 7. - С. 874-881.
Филиппов В.В. Особенности явлений электронного переноса в анизотропных полупроводниках. - М.: Спутник+, 2015. - 259 с.
Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. - М.: Высшая школа, 1987. - 240 с.
Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. - М.: Радио и связь, 1985. - 264 с.
Van der Pauw L.J. // Philips Tech. Rev. - 1959. - V. 20. - No. 8. - P. 220-224.
Van der Pauw L.J. // Philips Res. Rep. - 1958. - V. 13. - No. 1. - P. 1-9.
Мустафаева С.Н., Алиев В.А., Асадов М.М. // ФТТ. - 1998. - Т. 40. - № 1. - С. 48-51.
Трухан В.М., Гременок В.Ф., Рубцов В.В., Викторов И.А. // Письма в ЖТФ. - 1998. - Т. 24. - Вып. 19. - С. 85-88.
Житинская М.К., Немов С.А., Мухтарова А.А. и др. // ФТП. - 2010. - Т. 44. - № 6. - С. 759-763.
Луганский Л.Б., Цебро В.И. // Приборы и техника эксперимента. - 2015. - Т. 58. - № 1. - С. 122-133.
Маренкин С.Ф., Трухан В.М. Фосфиды, арсениды цинка и кадмия. - Минск: Вараскин, 2010. - 224 с.
Adachi S. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors. - UK: Wiley, 2009. - 400 p.