Influence of doping on luminescent properties led heterostructures with quantum wells
It is established that the model of interband radiative recombination in a semiconductor during bipolar injection of charge carriers, in which the recombination rate is described by the product of the total charge carrier concentrations, does not take into account the imbalance in the concentration of recombining particles physically existing during doping. To calculate the number of events of recombination of electron-hole pairs taking into account the difference in the concentrations of recombining particles, it is proposed to use the calculation of the reciprocal sum of the reciprocal of the concentrations using the participation functions. It is shown that with such a description of the number of recombination events, an increase in the concentration of the dopant reduces the number of acts, but leaves the radiative recombination time unchanged at any injection level.
Keywords
эмиссия излучения,
скорость излучательной рекомбинации,
функции участия,
radiation emission,
rate of radiative recombination,
participation functionsAuthors
| Davydov V.N. | Tomsk State University of Control System and Radioelectronics | dvn@fet.tusur.ru |
| Zadorozhny O.F. | Tomsk State University of Control System and Radioelectronics | oleg9300@mail.ru |
Всего: 2
References
Алферов Ж.И. // ФТП. - 2000. - Т. 32. - № 1. - С. 3-18.
Шуберт Ф.Е. Светодиоды: пер. с англ. под ред. А.Е. Юновича. - 2-е изд. - М.: Физматлит, 2008. - 496 с.
Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. - М.: Мир, 1976. - 431 с.
Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. - М.: Наука, 1990. - 685 с.
Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках: пер. с анг. под ред. Ж.И. Алферова, В.С. Вавилова. - М.: Мир, 1973. - 456 с.
Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники. - М.: Сов. радио, 1971. - 376 с.; Епифанов Г.И. Физика твердого тела. - СПб.: Лань, 2011. - 288 с.
Абакумов В.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. - СПб.: Изд-во «Петербургский институт ядерной физики им Б.П. Константинова РАН», 1997. - 376 с.
Богданов Д.А., Горбатовский Г.А., Вербицкий В.Н. и др. // ФТП. - 2017. - Т. 51. - № 1. - С. 1229-1234.
ВащенкоА.А., Горячий Д.О., Витухновский А.Г. и др. // ФТП. - 2016. - Т. 50. - Вып. 1. - С. 120-124.
Глуховский Е.Г., Жуков Н.Д. // Письма в ЖТФ. - 2015. - Т. 41. - Вып. 14. - С. 47-55.
Корсунская Н.Е., Шульга Е.П., Стара Т.Р. и др. // ФТП. - 2016. - Т. 50. - № 1. - С. 112- 119.
Векслер М.И., Тягинов С.Э., Илларионов Ю.Ю. и др. // ФТП. - 2013. - Т. 47. - № 5. - С. 675-683.
Вергелис П.С., Якимов Е.Б. // ФТП. - 2015. - Т. 49. - № 2. - С. 149-154.
Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М. и др. // ФТП. - 2016. - Т. 50. - № 1. - С. 35-38.
Ильинский Н.Д., Карандашев С.А., Карпухина Н.Г. и др. // ФТП. - 2016. - Т. 50. - № 5. - С. 657-662.
Акимов А.Н., Климов А.Э., Неизвестный И.Г. и др. // ФТП. - 2016. - Т. 50. - Вып. 4. - С. 447-453.
Сорокин С.В., Гронин С.В., Седова И.В. и др. // ФТП. - 2015. - Т. 49. - № 3. - С. 342-348.
Давыдов В.Н., Харитонов С.В., Лугина Н.Э. // ФТП. - 2017. - Т. 51. - № 9. - С. 1223-1228.
