Comparison of processes of germanium quantum dots growth on Si(100) and Si(111) surfaces | Izvestiya vuzov. Fizika. 2020. № 2. DOI: 10.17223/00213411/63/2/104

Comparison of processes of germanium quantum dots growth on Si(100) and Si(111) surfaces

This work considers the epitaxial growth of germanium quantum dots on the oxygenated silicon surface. A kinetic model of the nucleation and growth of three-dimensional islands by the Volmer - Weber mechanism in this system is proposed. The dependences of the average size and surface density of quantum dots on the parameters of their synthesis are obtained. The proposed theoretical model may be easily applied for other material systems where growth of islands by Volmer - Weber mechanism is realized.

Download file
Counter downloads: 133

Keywords

квантовые точки, кремний, германий, оксид кремния, наногетероструктуры, молекулярно-лучевая эпитаксия, критическая толщина, механизм Фольмера - Вебера, поверхностная плотность, функция распределения по размерам, quantum dots, silicon, germanium, silicon oxide, nanoheterostructures, molecular beam epitaxy, critical thickness, Volmer - Weber growth mechanism, surface density, size distribution function

Authors

NameOrganizationE-mail
Lozovoy K.A.National Research Tomsk State Universitylka@sibmail.com
Kokhanenko A.P.National Research Tomsk State Universitykokh@mail.tsu.ru
Akimenko N.Y.Pacific National Universityn_akimenko@inbox.ru
Dirko V.V.National Research Tomsk State Universityvovenmir@gmail.com
VoItsekhovskiI A.V.National Research Tomsk State Universityvav43@mail.tsu.ru
Всего: 5

References

Духан Р.М.Х., Коханенко А.П., Лозовой К.А. // Изв. вузов. Физика. - 2018. - Т. 61. - № 7. - С. 8-14.
Izhnin I.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., et al. // Opto-Electron. Rev. - 2018. - V. 26. - P. 195-200.
Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., and Voitsekhovskii A.V. // Nanotechnology. - 2018. - V. 29. - P. 054002 (1-7).
David T., Aqua J.-N., Liu K., et al. // Sci. Rep. - 2018. - V. 8. - P. 2891 (1-10).
Liu K., Berbezier I., Favre L., et al. // Phys. Rev. Mater. - 2019. - V. 3. - P. 023403 (1-7).
Никифоров А.И., Ульянов В.В., Пчеляков О.П. и др. // ФТТ. - 2004. - Т. 46. - С. 80-82.
Rowell N.L., Lockwood D.J., Karmous A., et al. // Superlattices and Microstructures. - 2008. - V. 44. - P. 305-314.
Шкляев А.А., Ичикава М. // УФН. - 2008. - Т. 178. - Вып. 2. - С. 139-169.
Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., and Voitsekhovskii A.V. // Phys. Chem. Chem. Phys. - 2015. - V. 17. - No. 44. - P. 30052-30056.
Dubrovskii V.G., Cirlin G.E., and Ustinov V.M. // Phys. Rev. B. - 2003. - V. 68. - P. 075409 (1-9).
Dubrovskii V.G. Nucleation Theory and Growth of Nanostructures. - Berlin: Springer, 2014. - 601 p.
Zhang X., Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., and Ren X. // Crystal Growth & Design. - 2011. - V. 11. - P. 5441-5448.
Muller P. and Kern R. // Appl. Surf. Sci. - 1996. - V. 102. - P. 6-11.
Кукушкин С.А., Осипов А.В. // УФН. - 1998. - Т. 168. - Вып. 10. - С. 1083-1116.
Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., and Voitsekhovskii A.V. // Crystal Growth & Design. - 2015. - V. 15. - No. 3. - P. 1055-1059.
Пчеляков О.П., Болховитянов Ю.Б., Двуреченский А.В. и др. // ФТП. - 2000. - Т. 34. - № 11. - С. 1281-1299.
Коханенко А.П., Лозовой К.А., Войцеховский А.В. // Изв. вузов. Физика. - 2017. - Т. 60. - № 11. - С. 20-27.
 Comparison of processes of germanium quantum dots growth on Si(100) and Si(111) surfaces | Izvestiya vuzov. Fizika. 2020. № 2. DOI: 10.17223/00213411/63/2/104

Comparison of processes of germanium quantum dots growth on Si(100) and Si(111) surfaces | Izvestiya vuzov. Fizika. 2020. № 2. DOI: 10.17223/00213411/63/2/104