The scattering of charge carriers in the impurity ions in the heterostructure InAs/AlSb
The article investigates the mechanism by ionized atoms carrier scattering at impurities heterostructure InAs/AlSb with two occupied subbands. The aim of the article is to develop and complement the existing theory, which fully describes the quantum-mechanical processes in the structure of the study. Conducted transport time calculation showed that the proposed theory accurately describes the two-dimensional carrier scattering mechanism is donor impurity ions in the active layer of InAs. It was found that the lifetime of limiting the mobility of two-dimensional carrier, in scattering by impurity ions 10-12 s.
Download file
Counter downloads: 121
Keywords
квантовая яма, рассеяние на атомах примеси, гетероструктура, транспортное время, дислокация ионов донорной примеси, упругое рассеяние, quantum well, the scattering on impurity atoms, dopedheterostructure, transport time, the deployment of donor impurity ions, elastic scatteringAuthors
| Name | Organization | |
| Burmistrov E.R. | Ryazan State University named of S.A. Esenin | eugeni.conovaloff@yandex.ru |
| Afanasova M.M. | Ryazan State University named of S.A. Esenin | marinaaf-80@mail.ru |
References
Бурмистров Е.Р. // Сверхпроводящие и электронные свойства твёрдых тел: тез. докл. Междунар. конф. студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов 2019» (МГУ имени М.В. Ломоносова, 8-12 апреля 2019 г.). - М., 2019. - С. 597-598.
Афанасова М.М. // Электроника: сб. науч. трудов. - Рязань: РГРТУ, 2006. - С. 108-120.
Андо Т., Фаулер А. Электронные свойства двумерных систем: пер. с англ. - М.:Мир, 1985. - 214 с.
Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. - М.: Наука, 1963. - С. 362-363.
Бурмистров Е.Р. // Актуальные вопросы физики в высшей школе: тез. докл. Всерос. науч. конф. «Актуальные проблемы физики и технологии в образовании, науке и производстве» (Рязань, 28-29 марта 2019 г.). - Рязань, 2019. - С. 88-92.
Аскеров Б.М. Электронные явления переноса в полупроводниках. - М.: Наука, 1985. - 95 с.
Афанасова М.М., Степанов В.А. // Наносистемы: физика, химия, математика. - 2012. - Т. 3. - № 6. - С. 36-46.
Hwang E.H. and S. Das Sarma // Phys. Rev. B. - 2008. - V. 77. - P. 235437.
Stern F. and Howard W. // Phys. Rev. - 1967. - V. 163. - P. 816-835.
Протасов Д.Ю., Бакаров А.К., Торопов А.И. // ФТП. - 2018. - Т. 52. - № 1. - С. 48-57.
