Luminescence of nanocrystalline Si in (Si + CaF2) / CaF2 structures in the visible spectrum
Photoluminescence from Si nanocrystals embedded in a CaF2 dielectric matrix and formed on the surface of a Si (111) substrate is demonstrated. Visible photoluminescence was clearly observed in a dark room at room temperature.A typical Photoluminescence spectrum had a 664 nm peak wavelength and 134 nm the full width at half maximum (FWHM).At a low temperature (77 K), photoluminescence was not observed.
Download file
Counter downloads: 43
Keywords
photoluminescence, nanocrystalline silicon, calcium fluoride, molecular beam epitaxyAuthors
| Name | Organization | |
| Velichko A.A. | Novosibirsk State Technical University | vel6049@mail.ru |
| Ilyushin V.A. | Novosibirsk State Technical University | ilval@ngs.ru |
| Krupin A.U. | Novosibirsk State Technical University | mirazh@eml.ru |
| Filimonova N.I. | Novosibirsk State Technical University | ninafilimonova@ngs.ru |
References
Величко А.А., Крупин А.Ю., Гавриленко В.А. // Патент РФ 2642132. Заявл. 20.07.2016. Опубл. 24.01.2018. Бюл. № 3.
Берашевич Ю.А., Лазарук С.К., Борисенко В.Е. // ФТП. - 2006. - Т. 40. - Вып. 2. - С. 240- 245.
Герт A.В., Журавлев К.С. // Журнал радиоэлектроники. - 2012. - № 12. - С. 1-9.
Ioannou-Sougleridis V., Kamenev B., Kouvatsos D.N., and Nassiopoulou A.G. // Mater. Sci. Eng. - 2003. - V. 101. - P. 324-328.
Ioannou-Sougleridis V., Nassiopoulou A.G., Ouisse T., and Bassani F // Appl. Phys. Lett. - 2001. - V. 79. - No. 13. - P. 2076-2078.
Photopoulos P., Nassiopoulou A.G., Kouvatsos D.N., and Travlos A. // Mater. Sci. Eng. - 2000. - V. 69. - No. 70. - Р. 345-349.
Watanabe M., Matsunuma T., Maruyama T., and Maeda Y. // Jpn. J. Appl. Phys. - 1998. - V. 37. - P. 591-593.
Maruyama T., Nakamura N., and Watanabe M. // Jpn. J. Appl. Phys. - 2000. - V. 39. - P. 1996- 2000.
Величко А.А., Илюшин В.А., Крупин А.Ю. и др. // Поверхность. Рентгеновский, синхротронные и нейтронные исследования. - 2016. - № 9. - С. 33-37.
Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. // ФТП. - 1997. - Т. 33. - № 2. - С. 198-204.
Maruyama T., Nakamura N., and Watanabe M. // Jpn. Appl. Phys. - 1999. - V. 38. - P. L904- L906.
Ioannou-Sougleridis V., Ouissse T., Nassiopoulou A.G., et al. // J. Appl. Phys. - 2001. - V. 89. - No. 1. - P. 610-614.
Величко А.А., Илюшин В.А., Филимонова Н.И., Крупин А.Ю. // XIV Междунар. науч.-технич. конф. «Актуальные проблемы электронного приборостроения». - Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2018. - Т. 2. - С. 32-34.
Бурдов В.А. // ФТП. - 2002. - Т. 36. - № 10. - С. 1233-1236.
Papadimitriou D., Nassiopoulou A.G., Bassani F., and d'Avitaya F.A. // Mater. Sci. Eng. - 2000. - V. 69. - P. 546-548.
