Sequential-parallel equivalent circuit of heterostructures with quantum wells | Izvestiya vuzov. Fizika. 2022. № 4. DOI: 10.17223/00213411/65/4/133

Sequential-parallel equivalent circuit of heterostructures with quantum wells

Based on the topology of a heterostructure with quantum wells, its equivalent circuit is proposed in the form of a series connection of parallel RC circuits describing the electrophysical properties of barrier layers, quantum wells. The scheme takes into account the properties of the process of delivery of carriers to the wells, the capture of charge carriers by them, their radiative recombination, and also the through current through the heterostructure. Expressions are obtained for finding the capacitance and resistance of a serial RC equivalent circuit, as well as expressions for calculating the active and reactive elements of the equivalent circuit.

Download file
Counter downloads: 21

Keywords

heterostructure, quantum well, equivalent circuit, capture, emission

Authors

NameOrganizationE-mail
Davydov V.Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronicsdvn@fet.tusur.ru
Zadorozhny O.Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronicsoleg9300@mail.ru
Всего: 2

References

Clarysse T., Vandervorst W. //j. Vac. Sci. Technol. B. - 2000. - V. 18. - P. 369-380.
Зубков В.И. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии амиттанса. - СПб.: Элмор, 2007. - 220 с.
De Man H.JJ. // IEEE Trans. Electron. Devices. - 1970. - V. ED-17. - P. 1087-1088.
Tettelbach-Helmrich K. // Semicond. Sci. Technol. - 1993. - V. 8. - P. 1372-1376.
Зернов Н.В., Карпов В.Г. Теория радиотехнических цепей. - М.; Л.: Энергия, 1965. - 892 с.
Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. - М.: Университетская книга; Логос, 2006. - 496 с.
Нанотехнология. Физика, процессы, диагностика, приборы / под ред. проф. В.В. Лучинина и проф. Ю.М. Таирова. - М.: Физматлит, 2006. - 552 с.
Мартинес-Дуарт Дж.М., Мартин-Палма Р.Дж., Агулло-Руеда Ф. Мир материалов и технологий. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. - М.: ТЕХНОСФЕРА, 2007. - 367 с.
Алферов Ж.И. // ФТП. - 1998. - Т. 32. - № 3. - С. 3-18.
Шуберт Ф.Е. Светодиоды. - М.: Физматлит, 2008. - 436 с.
Солтанович О.А., Якимов Е.Б. // ФТП. - 2012. - Т. 46. - № 12. - С. 1597-1603.
Бочкарева Н.И., Вороненков В.В., Горбунов Р.И. и др. // ФТП. - 2013. - Т. 47. - № 1. - С. 129-136.
Солтанович О.А., Шмидт Н.М., Якимов Е.Б. // ФТП. - 2011. - Т. 45. - № 2. - С. 226-229.
Супредякина И.А., Абгарян К.К., Бажанов Д.И. // ФТП. - 2013. - Т. 47. - № 12. - С. 1647-1651.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х кн. Кн. 2: пер. с англ. - М.: Мир, 1984. - 455 с.
Секен К., Томпсон М. Приборы с переноcом заряда. - М.: Мир, 1978. - 327 с.
Зубков В.И. // ФТП. - 2007. - Т. 41. - № 12. - С. 331-337.
Са Джи Дан // ТИИЭЭ. - 1967. - Т. 55. - № 5. - С. 61-94.
Nakhmanson R.S. // Sol. Stat. Electron. - 1976. - V. 19. - No. 9. - P. 745-758.
Ван дер Зил. Шумы. Источники, описание, измерение. - М.: Сов. радио, 1973. - 229 с.
Давыдов В.Н., Новиков Д.А. // Изв. вузов. Физика. - 2015. - Т. 58. - № 7. - С. 102-109.
Давыдов В.Н., Моргунов А.Н. // Изв. вузов. Физика. - 2015. - Т. 58. - № 11. - С. 127-133.
Давыдов В.Н., Харитонов С.В., Лугина Н.Э., Мельник К.П. // ФТП. - 2017. - Т. 51. - № 9. - С. 1223-1228.
Bloom P.W.M., Smit С., Haverkort J.E.M., Wolter J.H. // Phys. Rev. B. - 1992. - V. 47. - P. 2072.
Абакумов В.Н., Перель В.И., Яссиевич И.В. Безизлучательная рекомбинация в полупроводниках. - СПб.: Изд-во «Петербургский институт ядерной физики РАН», 1997. - 376 с.
Karol Ka’lma. Theoretical Study of Carrier Capture into Semiconductor Quantum Wells: PhD Thesis. Slovak Academy of Science. 842 39 - Slovakia, Bratislava, 1997. - 51 p.
Алёшин В.Я., Гавриленко П.В. // ФТП. - 2017. - Т. 51. - № 11. - С. 1498-1502.
Блошкин А.А., Якимов А.И., Двуреченский А.В. // ФТП. - 2014. - Т. 48. - № 8. - С. 1065-1069.
Пожела Ю., Пожела К., Михрин В.С. // ФТП. - 2009. - Т. 43. - № 12. - С. 1634-1640.
Соколова З.Н., Бахвалов К.В., Асрян Л.В. // ФТП. - 2016. - Т. 50. - № 5. - С. 679-682.
Давыдов В.Н., Каранкевич О.А. // Изв. вузов. Физика. - 2015. - Т. 61. - № 2. - С. 19-25.
Соколова З.Н., Тарасов И.С., Асрян Л.В. // ФТП. - 2011. - Т. 45. - № 11. - С. 1553-1559.
Данилов Л.В., Зегря Г.Г. // ФТП. - 2013. - Т. 47. - № 10. - С. 1347-1355.
Давыдов В.Н., Лапин А.Н., Задорожный О.Ф. // Изв. вузов. Физика. - 2021. - Т. 64. - № 3. - С. 144-147.
 Sequential-parallel equivalent circuit of heterostructures with quantum wells | Izvestiya vuzov. Fizika. 2022. № 4. DOI: 10.17223/00213411/65/4/133

Sequential-parallel equivalent circuit of heterostructures with quantum wells | Izvestiya vuzov. Fizika. 2022. № 4. DOI: 10.17223/00213411/65/4/133