Energy possibilities of led heterostructures with combined profile quantum wells
The emissivity of a LED heterostructure with quantum wells of a combined profile obtained by composing several rectangular wells of different thicknesses and heights is considered. The lower well of the smallest thickness is emitting, and the other wells located above it increase the rate of capture of charge carriers from the barrier layers. The performed consideration of the energy spectrum in the wells and the calculation of the radiation intensity of combining a well composed of three wells show the possibility of a significant increase in the radiation intensity of a heterostructure with wells of a combined profile.
Download file
Counter downloads: 26
Keywords
quantum well of combined profile, dimensional quantization levels, radiation intensity, energy spectrumAuthors
| Name | Organization | |
| Davydov V.N. | Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics | dvn@fet.tusur.ru |
| Zadorozhny O.F. | Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics | oleg9300@mail.ru |
References
Arif R.A., Yik-Khoon Ee, Tansu N. // Appl. Phys. Lett. - 2007. - V. 91. - P. 091110.
Hongping Zhao, Guangyu Liu, Xiao-Hang Li, et al. // Appl. Phys. Lett. - 2009. - V. 95. - P. 061104.
Zhao H., Liu G., Zhang J., et al. // Opt. Express. - 2011. - V. 19. - P. A991.
Wang H.C., Feng S.W., Malinauskas T., et al. // Thin Solid Films. - 2010. - V. 51. - P. 7291.
Schubert E.F. Light-Emitting Diodes. - Cambridge: Cambridge University Press, 2006.
Okamoto K., Kawakami Y. // IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. - 2009. - V. 15(4). - P. 1199-1209.
Zhao H., Zang J., Liu G., Nansu N. //j. Appl. Phys. - 2011. - V. 98. - P. 15.
Belyaev K.G., et al. // Fiz. and Tekhn. Polupr. - 2015. - V. 49. - Iss. 2. - P. 254-260.
Abdulah R.A., et al. // Optik. - 2012. - V. 123. - P. 185.
Li X., et al. // Appl. Phys. - 2013. - V. 103. - P. 111103.
Chichibu S.F., et al. // Nature Publ. Group. - 2006. - V. 5P. - P. 810-816.
Han L., Kash K., Zhao H. // Proc. SPIE. - 2014. - V. 9003. - P. 90030W-1-90030W-5.
Zhao H., Arif R.A., Ee Y.K., Tans N. // IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. - 2009. - V. 15(4). - P. 1104-1114.
Давыдов В.Н. // Изв. вузов. Физика. - 2014. - Т. 57. - № 12. - С. 31-38.
Zhao H.P., Liu G., Liu G.Y., et al. // IET Optoelectron. - 2009. - V. 3. - No. 6. - P. 283-295.
Wu Z.H., Fisher A.M., Ponce F.A., et al. // Appl. Phys. Lett. - 2007. - V. 93. - No. 4. - P. 041915.
Park S.H., Ahn D., Kim J.W. //j. Appl. Phys. Lett. - 2009. - V. 94. - No. 4. - P. 041109.
Park S.H., Ahn D., Koo B.H., Kim J.W. // Phys. Status Solidi. A. Appl. Matter. Sci. - 2009. - V. 206. - No. 11. - P. 2637-2640.
Абакумов В.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. - СПб.: Петербургский институт ядерной физики РАН, 1997. - 376 с.
Kalna K. Theoretical study of carrier capture into semicondacture quantum wells: PhD Thesis. - Bratislava, Slovakia: Slovak Academy of Sciences, 1997. - 51 p.
Алёшкин В. Я., Гавриленко Л.В. // ФТП. - 2017. - Т. 51. - № 11. - С. 1498-1502.
Блошкин А.А., Якимов А.И., Тимофеев В.А., Двуреченский А.В. // ФТП. - 2014. - Т. 48. - № 8. - С. 1065-1069.
Пожела Ю., Юцене В., Сужеделис С. и др. // ФТП. - 2009. - Т. 43. - № 12. - С. 1634-1640.
Давыдов В.Н., Каранкевич О.А. // Изв. вузов. Физика. - 2018. - Т. 61. - № 2. - С. 18-25.
Данилов Л.В., Зегря Г.Г. // ФТП. - 2013. - Т. 47. - № 10. - С. 1347-1355.
Давыдов В.Н., Задорожный О.Ф., Туев В.И., Давыдов М.В., Солдаткин В.С., Вилисов А.А. Светодиодная гетероструктура с квантовыми ямами комбинированного профиля // Патент на изобретение RU 2 720 046 C1. Заявка на изобретение № 2019123050, дата регистрации 17.07.2019.
Давыдов В.Н., Лапин А.Н., Задорожный О.Ф. // Изв. вузов. Физика. - 2021. - Т. 64. - № 3. - С. 144-147.
Мартинес-Дуарт Дж.М., Мартин-Палма Р.Дж., Агулло-Руеда Ф. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники: пер. с англ. А.В. Хачояна / под ред. д.ф.-м.н. Е.Б. Якимова. - М.: Техносфера, 2007. - 367 с.
Давыдов В.Н., Задорожный О.Ф., Каранкевич О.А. // Изв. вузов. Физика. - 2019. - Т. 62. - № 3. - С. 99-103.
Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. - М.: Логос, 2006. - 496 с.
Давыдов В.Н., Задорожный О.Ф. // Изв. вузов. Физика. - 2019. - Т. 62. - № 10. - С. 19-25.
