Monitoring the homogeneity of semiconductor films during probe measurements of electrical conductivity | Izvestiya vuzov. Fizika. 2025. № 2. DOI: 10.17223/00213411/68/2/9

Monitoring the homogeneity of semiconductor films during probe measurements of electrical conductivity

The paper discusses the basic expressions that make it possible to determine the value of specific electrical conductivity in semiconductor wafers and films of rectangular and round shape using the two-probe method of direct current measurements. Based on asymptotic analysis, approximate formulas convenient for calculations are obtained for the potential difference between the measuring probes. It is shown that in most practically used cases, the proposed asymptotic formulas can be used without increasing the measurement error in cases of monitoring the uniformity of the distribution of electrical parameters of the samples under study.

Download file

Counter downloads: 1

Keywords

semiconductor crystal, two-probe method, electrical conductivity, boundary conditions, asymptotic analysis

Authors

Name	Organization	E-mail
Zavorotnii Anatoly A.	Lipetsk State Technical University	aazavorotniy@mail.ru
Ershov Alexander A.	N.N. Krasovskii Institute of Mathematics and Mechanics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences	ale10919@yandex.ru
Filippov Vladimir V.	Lipetsk State Pedagogical P. Semenov-Tyan-Shansky University; Lipetsk Cossack Institute of Technology and Management (branch) of the Moscow State University of Technology and Management named after K.G. Razumovsky (First Cossack University)	wwfilippow@mail.ru
Luzyanin Sergey E.	Lipetsk State Pedagogical P. Semenov-Tyan-Shansky University	luzyanin_se@mail.ru

Всего: 4

References

Li Q. Anisotropic Nanomaterials. Preparation, Properties and Applications. - Switzerland: Springer International Publishing, 2015. - 500 p.

Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Наноэлектроника: в 2 ч. Часть 1. - М.: Юрайт, 2022. - 285 с.

Yadav N., Jadav S., Saini G. // Silicon. - 2023. - V. 15. - P. 217-228. - URL:.

Yamamoto T. // IEEE International Conference on Interconnect Technology, 27-30 June 2022. - 2022. - P. 40-41. -.

Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. - М.: Радио и связь, 1985. - 264 с.

Филиппов В.В. Особенности явлений электронного переноса в анизотропных полупроводниках. - М.: Спутник+, 2015. - 259 с.

Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. - М.: Высшая школа, 1987. - 240 с.

Lugansky L.B., Tsebro V.I. // Instrum. Exp. Tech. - 2015. - V. 58. - No. 1. - P. 118-129. -.

Поляков Н.Н. // Заводская лаборатория. - 1990. - Т. 56. - № 5. - С. 42-46.

Филиппов В.В., Лузянин С.Е., Богоносов К.А. // Изв. вузoв. Поволжский регион. Физико-математические науки. - 2022. - № 4. - С. 76-91. -.

Ершов А.А. // Журнал вычислительной математики и математической физики. - 2010. - Т. 50. - № 3. - С. 479-485. -.

Бронштейн И.Н., Семендяев К.А. Справочник по математике для инженеров и учащихся втузов. - М.: Лань, 2021. - 608 с.

Ершов А.А., Ершова А.А. // Материалы Всероссийской научно-практической конференции "Проблемы естественных, математических и технических наук в контексте современного образования", 25-26 ноября 2021 г. - Липецк: ЛГПУ имени П.П. Салтыкова-Тян-Шанского, 2021. - С. 112-119.

Filippov V.V., Bormontov E.N. // Semiconductors. - 2013. - V. 47. - No. 7. - P. 884-891. -.

Лузянин С.Е., Поляков Н.Н. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2002. - Т. 68. - № 9. - С. 42-45.